氢负离子在电介质球面附近的光剥离研究

利用镜像法结合半经典闭合轨道理论,对氢负离子在电介质球面附近的光剥离进行了研究.首先利用镜像法分析了剥离电子在电介质球内的镜像电荷分布情况,然后给出了体系的哈密顿量.通过求解哈密顿正则方程,找到了剥离电子在电介质球面附近运动时的闭合轨道.借助于半经典闭合轨道理论,推导出了体系的光剥离截面,并且对光剥离截面进行了计算和分析.计算结果表明,氢负离子在电介质球面附近的光剥离截面不仅与入射光子的能量有关,而且还与电介质球面的介电常数有关.对于给定的电介质球面,随着入射光子的能量增加,光剥离截面的振荡振幅减小、振荡频率增加.当入射光子的能量增加到某一临界值时,光剥离截面的振荡结构消失.除此之外,随着电介质球面介电常数的增大,光剥离截面的振荡结构变得更加复杂.当电介质常数增大到无穷大时,体系的光剥离截面和氢负离子在金属球面附近的光剥离截面一致.因此,可以通过改变入射光子的能量及电介质球面的介电常数对氢负离子在电介质球面附近的光剥离截面进行调控研究.研究结果对负离子体系在电介质球面附近的光剥离的实验研究可以提供一定的理论指导和参考价值.     

2π工作模式下可调谐同轴辐射相对论磁控管的模拟研究

采用三维粒子模拟,开展了2π工作模式下同轴辐射相对论磁控管的频率调谐研究.利用在互作用区的谐振腔中填充固体电介质来实现器件的频率调谐.通过改变电介质的相对介电常数以及内半径考察了所研究的同轴辐射相对论磁控管的工作频率、平均输出功率以及效率的变化情况,并对电介质的频率调谐作用进行了简单的理论分析.模拟结果表明:在不改变基本结构参数以及工作点的情况下,仅调整固体电介质的相对介电常数或内半径实现了所研究的同轴辐射相对论磁控管S波段到L波段的跨频段调谐;电介质的插入同时也改善了输出性能,当相对介电常数在6–15且内半径在4.18–4.40 cm之间时,功率效率得到提升,提升幅度可达80%,单边调谐宽度小于55%. 关键词： 频率调谐 同轴辐射磁控管 粒子模拟 高功率微波     

铁电体的介电常数

比较了电介质物理学和铁电物理学对介电常数定义的差异.这种差异导致了解释实验结果方面相反的结论:铁电体物理学能够很好地解释极化强度增大导致介电常数减小的实验结果和外加直流电场下铁电体的介电可调行为,而电介质物理学得到的却是相反的结论.其原因是铁电材料介电常数在顺电相仅来源于横光学模的贡献,在铁电相来源于横光学模和偶极子极化,且偶极子极化会引起损耗.数学推导证实弛豫铁电行为的成份分布不是高斯分布函数.     

三角形复式晶格的光子带结构研究

设计了一种三角形复式晶格结构的光子晶体，在该类晶体中，电介质圆柱在空气中的排列存在Ｅ偏振和Ｈ偏振的光子带隙重叠区，称之为绝对光子带隙；而空气圆孔在电介质中的排列时，虽然Ｅ偏振和Ｈ偏振均分别存在光子带隙，但不存在绝对光子带隙。同时利用晶体的光子带结构研究了有效长波介电常数，所得结果与静电理论吻合。     

液态电介质相对介电常数的测量

通过自制的专用电容器,采用电容测量仪测电容的方法,在物理实验中开设液体电介质的相对介电常数的测量实验。     

细导线阵列产生负等效介电常数的简单推导

根据周期性细导线阵列结构的等效电路模型,从电介质材料的本构关系出发,推导出细导线阵列结构的等效介电常数的表达式,并从电场强度与电极化强度之间的相位关系,说明在特定的入射电磁波频段,它的等效介电常数为负.     

呼之欲出的新一代MOS栅极电介质材料

传统的ＳｉＯ２栅极电介质材料无法克服ＭＯＳ年特征尺度缩小带来的量子隧穿效应的影响,作为进上步提高微电子器件集成度的途径,利用新一代具有高介电常数的栅极电介质材料取代ＳｉＯ２的研究工作已经展开,文中介绍了此类材料抑制隧穿效应的原理和其应当满足的各项性能指标,并对目前几种主要的研究方案,如几种高介电常数金属氧化物、硅酸盐及其迭层结构的研究状况和优缺点给予也简要评述。     

NaCl晶体结构的εr计算

现有计算电介质介电常数的方法都是基于单位体积内电介质宏观的电极化强度P等于微观电极化总强度n0 ·p的方法 .本文结合自然界的能量守恒关系 ,利用电介质在电场作用下的宏观电储能等于微观偶极子的弹性位移能的方法 ,推导出一个通用公式来计算碱卤晶体 (包括NaCl晶体结构 ,CsCl晶体结构 )的εr,理论值和公式计算值对比十分吻合 .     

《电介质物理学》——《凝聚态物理学丛书》中又一新书

由方俊鑫、殷之文主编的《电介质物理学》最近与读者见面了,这是《凝聚态物理学丛书》中的又一新书,这是一部历经近十年艰苦奋斗而问世的难得的好书. 有人认为,电介质就是绝缘体,其实这是一种比较经典的认识.自从人类对电的认识和应用开始以后,电介质就相应问世.当时的电介质仅用作为分隔电流的绝缘材料,而经典的电介质物理学就是以绝缘介质的介电常数、损耗、电导和击穿等所谓四大参数为其主要内容的, 30年代以后,随着电子技术、红外、激光、声学及其他许多新技术的出现和应用,电介质已远远不是仅作为绝缘材料了.特别是极性电介质的出现和…     

Analytical Dielectric Spectrum Formula Based on Representative Frequencies

基于电介质复折射率的实验数据,采用最小二乘法结合选取的代表频率拟合得到了电介质的介电谱解析表达式,可以得到电介质在全频段的光频常数和介电常数. 研究了三个典型液态电介质,水、乙醇和甲苯的介电谱. 在实验数据可以获取的频率范围内,采用解析表达式得到的光频常数与采用Kramers-Kronig转换得到的折射率实部和实验得到的折射率虚部吻合得很好. 基于介电谱解析表达式可以预测目前实验无法测量的区域的介电谱.     

用晶体管开关电路测量介电常数

本文介绍一个实用的晶体管开关电路（如图１），用它能够很准确地测定出电容和介电常数。     

用晶体管开关电路测量电容和介电常量

介绍一个实用的晶体管开关电路，用它能够较准确地测定电容和介电常量。     

POROUS AMORPHOUS FLUOROPOLYMER FILMS WITH ULTRALOW DIELECTRIC CONSTANT

With the development of ultralarge scale integrated circuit, new interlayer dielectrics with low dielectric constant for multilevel interconnections are required, instead of conventional SiO₂ films. For the sake of seeking perfect dielectrics, amorphous fluoropolymer (AF) thin film with a thickness of about 0.9μm has been prepared by spin-coating method, following the principle of phase separation. By capacitance-voltage (C-V) measurements the dielectric constant of the thin film is equal to 1.57 at 1 MHz, which is attributed to numerous pores contained in the film matrix. X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) spectra show that after annealing, about 71% CF₃ groups in the AF film have decomposed into CF₂, CF, etc. This leads to the increase of CF₂ groups by three times and CF groups by 8% in the AF film. In a word, compared with the film without being annealed, about 25% carbon, 7% fluorine and 12% oxygen atoms will be lost after annealing at 400℃ for 30min.     

电介质和智能材料

本文介绍了电介质和智能材料的基本自然属性及其应用现状，发展前景。     

《纺织品介电常数测定》实验中样品的选择

“纺织品介电常数测定”实验中样品的选择对保证实验的顺利进行十分重要。对多种样品在多种条件下进行测试。并对实验结果进行了分析。     

电介质和智能材料

本文介绍了电介质和智能材料的基本、自然属性及其应用现状,发展前景。     

均匀极化电介质内的球形空腔问题

运用拉普拉斯方程对均匀极化电介质被挖出一个球形空腔的内、外电场强度进行了新的运算，得到了与一些教材不同的结论．同时指出了绝缘材料中的气泡对材料绝垆性能的影响与危害．     

EFFECT OF DIELECTRIC CONSTANT ON THE EXCITON GROUND STATE ENERGY OF CdSe QUANTUM DOTS

The B-spline technique is used in the calculation of the exciton ground state energy based on the effective mass approximation (EMA) model. The exciton is confined in CdSe microspherical crystallites with a finite-height potential wall (dots). In this approach, (a) the wave function is allowed to penetrate to the outside of the dots; (b) the dielectric constants of the quantum dot and the surrounding material are considered to be different; and (c) the dielectric constant of the dots are size-dependent. The exciton energies as functions of radii of the dots in the range 0.5-3.5 nm are calculated and compared with experimental and previous theoretical data. The results show that: (1) The exciton energy is convergent as the radius of the dot becomes very small. (2) A good agreement with the experimental data better than other theoretical results is achieved. (3) The penetration (or leaking) of the wave function and the difference of the dielectric constants in different regions are necessary for correcting the Coulomb interaction energy and reproducing experimental data. (4) The EMA model with B-spline technique can describe the status of excition confined in quantum dot very well.     

冷绝缘超导电缆的结构及技术简介

超导电缆具有传输容量大、传输损耗低、占用通道小和环境友好等特性,备受电力行业的关注.随着超导电缆技术的不断进步,它将很有可能在未来电网的主干线路、城市电力负荷集中区、大型工矿厂区等电能传输密集的线路中得到广泛应用.冷绝缘是超导电缆的一种结构形式,在交流电传输上具有一定的优势.目前,冷绝缘超导电缆在国际上有多个已完成和进行中的示范性项目,是超导电缆技术发展的一个重要方向.本文介绍了冷绝缘超导电缆的基本结构,与热绝缘超导电缆的区别,并根据10kV/1500A单相冷绝缘超导电缆的研发实践,对其制作技术进行简要介绍.