场发射平板显示器件

综述近年来一些先进国家利用真空微电子技术开展场发射平板显示器件研究的情况。概述这类器件的结构、工作原理、制作工艺、性能特点与发展水平，市场竞争与预测。     

真空微电子学的研究与发展

本文系统介绍了近年来真空微电子不的研究内容，达到的水平和亟待解决的问题，包括真空微电子器件的基本结构，场发射列，微尖结构物理，新材料和新器的探索以及真空微电子学的主要应用。     

场发射显示技术

场发射显示器件（ＦＥＤ）正在成为新一代平板显示器件。本文简要介绍ＦＥＤ的发展历史，列举出ＦＥＤ与ＣＲＴ及ＬＣＤ相比的优点。介绍ＦＥＤ的工作原理、制作技术及其发展动态。还讨论了ＦＥＤ制作中的一些重要问题。     

场发射平板显示技术的研究方向

本文介绍显示技术的新发展，场发射显示技术的掘起，场发射技术及真空技术，微显示技术的发展，从崦论述了我国场发射显示技术的研究方向。     

真空微电子器件的进展与问题

本文简要地叙述了真空微电子学的主要进展，在介绍场发射阵列ＦＥＡ，场发射显示器ＦＥＤ，真空微电子微波毫米波器件等的发展过程中，重点叙述了有关器件对ＦＥＡ的特殊要求，可能的解决办法和存在的问题，并介绍了发展真空微电子微波管的主要内容和意义；最后提到了有效地发展我国真空微电子器件需重视的一个问题。     

真空微电子器件中的场发射硅尖阵列制作研究

本文阐述了本所采用湿法腐蚀方法制作硅场发射锥尖的过程和实验结果，并对其结果进行了讨论，同时还给出了测得的Ｆ—Ｎ和Ｖ—Ｉ特性曲线。     

场发射显示

本文介绍了场发射平板显示的基本结构、工作原理、场发射冷阴极的制做方法以及与其有关的若干问题，最后介绍了场发射显示的现状和发展动态。     

场发射平板显示器件

本文概述真空微电子技术的发展及特点。综述了场发射平板显示器件（ＦＥＤ又称平板ＣＲＴ）的优点及其广泛用途。概述了场发射显示器好的结构和工作原理。综述ｓｐｉｎｄｔ型、硅尖锥型及薄膜边缘型三种场发射阴极的制作工艺、性能水平以及制作显示器件所后材料的特点及制作工艺。对目前国际上ＦＥＤ的典型参数加以比较并概述对ＦＥＤ未来市场的预测情况，此外，我们利用ｓｐｉｎｄｔ型阴极研制了平板显示器的原理性样管，在栅、阳极为４００ｖ，６００ｖ时在荧光屏上显示出足够亮的光点，还设计了像素数为１２８×１２８的平板显示器并用矩阵选址方式控制显示图形。现正在作材料和工艺论证并着手进行试制。     

真空微电子器件及其研究进展

由于真空微电子器件具有十分诱人的应用前景,近几年引起了人们的极大兴趣,成为电子器件发展的一个重要分支和前沿。本文叙述真空微电子器件的特点,原理、应用和最新研究成果。     

FED发展面向何方

曾在1988年6月于美国召开了第一届国际真空微电子学会议(1th IVMC′88),它标志了一门新学科——真空微电子学(Vacuum Microelectronics)的正式诞生。此后每年召开一次,1996年7月已经是第9次会议了。每届会议参加者都十分踊跃。 真空微电子学的理论基础是场致发射(以下简称场发射)理论及真空电子学理论。而场发射理论与实验研究则已有几十年的历史。1961年Shoulders K.P.提出了用场发射电子源的纵向及横向真空微三极管的概念,奠定了真空微电子学的基础。1996年斯坦福研究所(SRI)的Spindt C.A.等人第一次报导了用薄膜技术及钼微尖锥工     

FED显示驱动电路结构及其场发射特性分析

从场发射的基本原理出发,分析了影响场发射电流的内外因素。阴极表面强电场是产 生发射电流的必要条件,但像素的不均匀性和场发射特性的非线性导致无法产生精确的发射电流,由此带来了亮度调节的可控性差;阴极驱动电路作为发射电流回路的一部分,其电路结构直接影响发射电流的控制特性,分析表明电流驱动模式能对阳极束电流进行精确控制,是实现FED亮度控制的理想驱动方式。     

场致发射显示器的现状与发展

通过对场致发射显示器（FED）发展现状及其应用前景进行系统的比较与分析，着重讨论了场致发射体与其阵列制备工艺以及各种关键技术的优缺点，并介绍国外著名公司的研究动态，展望FED的发展趋势。     

场发射显示器阴极结构的发展

场发射显示器（FED）集传统的阴极射线管显示（CRT）与液晶显示器（LCD）的优点于一身,具有很大的发展潜力,有望成为数字电视时代显示器件的主流。文章详细论述了电子场发射的原理．从F—N公式出发探讨了FED阴极材料的选取和阴极结构设计的原则,最后论述了FED阴极结构的发展。     

真空微电子学的现状及其应用

本文综述了真空微电子学近年来的发展及其应用。主要包括FEA、材料及在FED、微波器件和其它方面的应用。     

场发射显示器(FED)荧光粉的研究进展

场发射显示器(FED)是一种新发展起来的平板显示器。它在亮度、视角、响应时间、工作温度范围、能耗等方面具有优良的特性。文章首先简要地介绍了FED发展历史和现状、工作原理以及对荧光粉的要求，然后介绍了FED荧光粉的研究历史和发展现状以及有关FED荧光粉激发和发光机理的相关研究工作。最后就FED荧光粉的研究提出了一些建议。     

印刷型场发射显示器的图像处理与显示控制技术

为了改善场致发射显示器(FED)的显示效果,通过理论分析和实际验证,提出了亮度非均匀性校正、γ校正和自动功率控制等相应的解决方案.将图像处理技术应用到驱动电路中,改善了图像的亮度均匀性和灰度再现质量,降低了整机的功耗.     

40 inch碳纳米管场发射显示屏的驱动系统研究

针对自行研制开发的国内最大的40 inch二极管型纳米碳管场发射显示屏,采用DVI数字视频接口技术,结合图像解码电路、FPGA控制电路、行列驱动电路,研究开发了二极管型纳米碳管场发射显示屏专用驱动技术,并成功实现了大屏幕动态显示.     

光纤支撑墙碳纳米管场发射显示器的研制

针对现有的碳纳米管场发射显示器(CNT-FED)制造技术中存在的工艺复杂、成本过高的问题,利用通信光纤,通过烧结炉热处理的方法制作出了一种直径为125 μm的石英玻璃光纤支撑墙,并将其切为30 mm、50 mm 2种长度.根据设计结果,用自制的简易支撑墙定位装置,按10 mm等间距交错位排列该支撑墙,并在同一线上相邻光纤间留8 mm间隙.结合阴、阳极丝网印刷工艺,设计制作了一种显示面积为118 mm×123 mm、像素点数为64×64和可矩阵寻址的二极结构纤维支撑墙CNT-FED,并实现了动态显示.