高速16比特N-MOS静态RAM

日本某公司研制成一种高速的IMS1400-35型16×1比特N-MOS静态RAM,制造中采用了该公司最新的N沟道MOS技术和电路设计,取数时间达到了35毫微秒,比得上ECL(发射极耦合逻辑)存储器的速度.最大功耗为660毫瓦(运行时)和110毫瓦     

静态RAM

Vitelic公司研制的V62C64是一种低功耗的、结构形式为8k×8bit的CMOS静态RAM,其引脚与工业标准器件兼容。该RAM的标准存取时间为150毫微秒,工作期间的功耗为175mW,在数据保持方式时的功耗为4μW。该数据保持方式在需要备用电池的应用中是有用的。该RAM用了4个晶体管元件,并被做成一个SO组件或24腿DIP。每100个的价格为:4.66美元(DIP);4.86美元(SO组件)。     

SpansionHyperBus接口及RAM：RAM产品

Spansion公司与存储解决方案厂商Integrated Silicon Solution公司将联手开发基于SpansionHyperBus接口的HyperRAM产品,该产品可以极大地改善性能,同时减少引脚数量。芯片组厂商通过将HyperFlash和HyperRAM部件组合到一条总线上,减少了控制器引脚数量,满足更小型封装尺寸需求并简化PCB设计,还可以替换或减少DRAM的使用,从而在大幅节约成本的同时显著提高性能。     

片内存储器RAM

8031单片机没有片内程序存储区(ROM),有256字节的数据存储区(RAM)。其结构如图1和表1。 访问内部数据区,用MOV指令。 8031的内部数据区分成两块,00～7F和80～FF, 在00～7F范围内又能区分: 00～1F的32个字节分为4组,称为工作寄存器。在每组内均以R_0～R_7的名称出现。选择哪一组,由状态寄存器中的RSO和RS1这两位来选择。它的主要功能是用作循环计数器,各组的R_0和R_1可用作内部数据和     

易于应用的硅调谐器

据有关资料报道,Philip公司公布了一种用于民用电子设备的硅调谐器[TDA8270]。这种调谐器的特点是不需要无线频率部件和滤波器部件,它具有模拟处理和数字处理两方面的特点。由于非常容易应用,因而应用范围较广。     

存取速度快的ECL RAM

日本富士通有限公司最近生产的64Kb双极ECLRAM,存取时间高达5ns。它应用了1μm规则和U型槽隔离方法,存贮单元面积为403μm~2,芯片面积为76.4mm~2。此存贮器结构为8K×8b,可分成两个字     

256K 动态RAM

在不断地降低成本和提高密度的努力下,256K字×1位的单管单元RMA设计成功,并封装在标准的300密耳16脚的双列直插管壳中。 该RAM设计成与现有的16脚16K RAM和16脚64KRAM相容。管脚排列和照片示于图1。芯片被排列为256行×1024列的矩阵,并在内部组成两个128K RAM。芯片上主要电路块位置示于图2。 存储器单元版图设计见图3,每个单元尺寸为5.7×12.5μ,由于把电容氧化膜厚度减至200(?),使之具有0.035PF的存储电容。     

易于操作的Web发布软件

什么?您还没有一个Web页?即使创立最基本的Web网点,也会为您的公司带来数百万潜在的客户,使您能快速得到回报并扩大您的商业,更何况最新的Web发布软件包比以前更易于操作而且价格更便宜。即使不知道如何进行HTML或图形设计,您也可以在几个小时之内创建一个专业的网点。     

RAM掉电保护电路

计算机系统中的RAM必须始终接上电源,否则它存储的数据就会丢失,因此电源的任何中断(掉电)都将是灾难性的。为了保护RAM存储的数据任何时候都不致丢失,通常用电池作为备用电源。当取自市电的电源电压因停电而中断供电时,电池就立即取而代之,保证对RAM持续供电。 在系统中接入备用电池的方法有许多种,本电路采用专用集成电路ICL7673CPA(IC1)来实现掉电时的电源转换,并可提供状态(SATUS)输出信号以驱动掉电指示电路     

易于改变脉宽的激光器

为了研究不同脉冲宽度激光与等离子体相互作用和用不同脉宽激光轰击特殊X射线靶,寻求最佳的实现X射线激光途径,需要各种宽度的高功率激光。我们实验室研制了一种激光器,不用改变光路,在同一种振荡器上,只改变关键元件,实现了脉冲     

双端RAM的多路测试

文中针对双端ＲＡＭ在实际应用中存在的问题，介绍了一种对双端ＲＡＭ进行测试的多路测试方法，实践证明此种方法既简便，又有效。     

大容量动态 RAM 的发展途径

<正> 进入七十年代之后,迎来了 LSI 的全盛时期,1970年出现了1K 位动态 RAM,而后在1974年和1976年又分别出现了4K 和16K 的产品,1979年研制成功了64K 位动态 RAM,从而进入了 VLSI 的领域。在1980年2月召开的国际固体电路会议上,日本发表了两篇关于256K 动态 RAM 的论文,引起了人们的极大关注和强烈反响。此外,日本还在会上提出了兆位存储器的设计方案和试制样品。随着半导体技术的发展,人们估计在八十年代末期,也许会使兆位存储器达到实用化的水平。     

不用接口电路的永久性RAM

美国英特尔公司研制出的2001型永久性随机存取存贮器(NVRAM)用于8位微型控制器和多路微处理机,不需要接口电路就可在同一条线路上输送地址和数据信息。在电源电压下降到4V 以下时,片上数据保护电路可以检测,这时内清除和写入电路被切断。用这种     

用于CPU之间的RAM技术

用于ＣＰＵ之间的ＲＡＭ技术李凯里在微处理机应用系统设计中，随着系统功能的日益复杂，设计者越来越趋向于采用多ＣＰＵ方案。各ＣＰＵ的型号．主频、总线结构等均可不同。这就产生了使它们之间的数据传送速率相互匹配的问题。共处理方式如何将对系统的整体效率及性能产...