银饰品中铜杂质含量的激光剥离—激光诱导击穿光谱定量分析

正交双波长双脉冲的激光剥离—激光诱导击穿光谱技术能够在较少样品烧蚀的前提下获得高的光谱分析灵敏度,因此该技术可以从根本上解决在单脉冲激光诱导击穿光谱技术中空间分辨本领与光谱分析灵敏度之间的矛盾。为了消除在该光谱技术中的实验参数对光谱信号强度及其定量分析结果的影响,实验研究了银饰品中杂质铜的光谱信号与银元素的光谱信号的相关性。研究结果表明：324.75 nm的铜原子辐射线与328.07 nm的银原子辐射线的强度呈很高的线性相关性,因此选择以银328.07 nm的光谱线作为内标线,采用内标法就可以消除双光束激光的空间几何配置以及剥离激光脉冲能量等实验参数对铜原子辐射信号的影响,从而可以采用正交双波长双脉冲激光剥离——激光诱导击穿光谱技术开展银饰品中铜杂质含量的定量分析。选择银328.07 nm的光谱线作为内标线,基于内标法建立了铜的校正曲线。当激光烧蚀坑洞直径约为17 μm时, 当前实验条件下银饰品中铜元素的检出限可以达到44 ppm。     

在交流电弧中利用分馏法对金属铝中微量杂质的光谱定量分析

现代科学技术,特别是半导体、原子能技术的发展,对金属材料等的纯度的要求愈来愈高,对这些高纯度材料中的杂质的测定,光谱分析乃是主要方法之一。但是要想满足这种越来越高的要求,光谱分析工作者的首要任务就是寻求各种有效的途径来不断的提高分析的灵敏度和准确度。近十余年来国际上在解决提高灵敏度和准确度的问题上进行了不少的工作,同时也获得了若干明显的成就。但是到目前为止。可以说还未能充分地发挥出光谱分析方法所固有的潜力。     

等温平台石墨炉原子吸收光谱法测定高纯镍中痕量杂质锑

利用石墨炉原子吸收法，在等温平台条件下直接测定高纯镍中的痕量杂质锑，对石墨炉加热程序中的干燥时间、灰化温度及原子化温度进行了优化，同时考察了介质酸度的影响。试验表明，基体镍对锑的测定有显著的影响，为此进行了标准系列基体匹配。该法的特征质量为6．6pg；相对标准偏差为6．5％；加标回收率为100％-103％。     

乙醇水溶液中乙醇含量的喇曼光谱定量分析研究

由于使用了自己研制的原位毛细管样品池,选择了C-C-O伸缩振动谱带作分析线,针对该谱带中心随乙醇水溶液的浓度而移位的问题,提出用峰值位置的强度作喇曼定量分析,使定量分析的准确度提高,在置信水平α=0.05时,浓度测定的置信区间不大于(y-114.88)/75.69 ±3.3(％)     

ICP-AES直接测定锑产品中杂质元素

建立了ICP－AES直接测定锑产品中杂质元素的新方法。在折衷工作条件下锑的浓度低于5mg.mL^-1不干扰测定,As,Au,Fe,Pb,Se的检出限满足分析要求,混合标准回收率94．0－107．1％,相对标准偏差＜5％,结果满意。     

等温平台石墨炉原子吸收光谱法测定高纯铟中痕量杂质镉和锑

石墨炉原子吸收法在等温平台条件下 ,利用标准加入法直接测定了高纯铟中的痕量杂质镉和锑。对石墨炉加热程序中的干燥时间、灰化温度及原子化温度进行了优化 ,考察了介质酸度的影响。在测定锑时 ,加入了基体改进剂钯。镉和锑的特征质量分别为 3.2 pg和 77.1 pg,相对标准偏差平均值分别为 1 .9%和 3.1 % ,加标回收率分别为 86 %— 92 %和 81 %— 91 %。     

高光谱图像中纯光谱提取方法

利用线性解混合方法处理高光谱图像数据,需要获取存在于光谱图像中的纯光谱.目前的纯光谱提取方法都需要复杂的运算,并且都没有被证明具有普遍适用的特点,在特征空间对光谱图像中信息存在形式进行有效分析的基础上,提出基于特征空间分析和光谱相关制图法相结合的纯光谱提取方法(FSASCM),具有复杂度低、对大多数高光谱图像数据普遍适用的特点,     

纯硒中杂质元素的ICP-AES测定

电感耦合等离子体-原子发射光谱同时测定纯硒中的碲、铅、铋、锑、铜、铁、镍、铝、锡、砷和硼12种元素的含量,优化出各元素的分析波长和分析条件;用基体匹配补偿基体效应,方法简单,快速可靠,样品回收率为94%-107%.     

He中N_2的光谱定量分析

气体混合物的光谱定量分析,虽然在若干具体问题上已有成效地被应用于生产,但是,这种分析方法的成熟程度,则比固相和液相物质的光谱分析要差得多。这是因为:第一,进行气体的光谱分析存在着一系列的原则性的困难;第二,使用的实验设备和技术也比较复杂,例如,由于分析的对象是气体,就必须在高真空中进行,而一般真空材料在某种条件下要吸附气体,而在另一种条件下又要放出气休,这样就大大的影响了分析灵敏度     

衍射分析用的X射线管谱线纯度的定量测定

本文提出了衍射分析用的X射线管谱线纯度的定量测定方法。在国产衍射仪上用石英单晶作分光晶体进行展谱测定。实验测得的各种波长X射线的强度应还原为X射线管窗口处的出射强度。对影响强度的各种因素作了详细的理论分析,给出了对应于不同靶、不同杂质元素的强度还原换算因子表。X射线管阳极靶元素主特征谱线强度用铜或铝吸收箔进行衰减,以避免计数损失造成的误差。用这一方法,对许多X射线管进行了测定。 关键词：     

高纯金属铈的ICP—AES分析和稀土元素间的光谱干扰及其校正

本文采用乙醇预去溶方式进样,ICP-AES直接同时测定了>99.99%的高纯金属铈中5个痕量稀土杂质元素,并讨论了基体量对检测限的影响,稀土元素间的光谱干扰及其校正方法等。当样品溶液中铈的浓度为5mg/ml时,铈中稀土杂质元素的测定下限为:镧、钕和钇0.001%,镨和钐0.003%。其相对标准偏差为1.9～6.4%。     

半导体硅原材料及辅助材料中杂质的ICP－AES测定

本文采用电感耦合等离子体发射光谱对半导体硅原材料及辅助材料中的杂质分析进行了研究。着重研究了提升量对信背比的影响和残留硅对杂质元素的干扰影响，最后采用ＩＣＰ－ＡＥＳ对化学法提纯前的原料（石英砂）、拉制单晶用的辅助材料（硅粉）和拉制单晶过程中采用的石英坩埚中的杂质含量进行了分析。     

发射光谱法测定ITO透明导电膜的Sn／In

本文采用运动电极，火花激发，讨论了膜样品分析中标样和分析样品的一致性，介绍了选用多个样品叠加摄谱对ＩＴＯ膜中Ｓｎ／Ｉｎ浓度比的测量。结果表明分析方法的精密度和准确度满足分析要求。     

ICP－AES法测定铂催化网中的次成分及杂质元素

本文采用ＩＣＰ－ＡＥＳ内标法，对硝酸生产用铂催化剂的次成分Ｐｄ和Ｒｈ，以及十一个杂质元素，进行直接快速测定。部分受干扰的元素，采用扣除其相应等效强度的方法进行校正。本方法的回收率和相对标准偏差，对于次成分分别为：９９．１～１００％和０．１６～０．３１％；对于杂质元素分别为：９５～１１４％和０．８３～１３％。     

DETERMINATION OF ULTRA TRACE LEVEL METALLIC IMPURITIES IN SEMICONDUCTOR MATERIALS BY ICP-MS

Ｉｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎ　　Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｄｅｖｉｃｅｓｈａｖｅｂｅｅｎｗｉｄｅｌｙｕｓｅｄｆｏｒｖａｒｉｏｕｓａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓａｎｄｂｅｃｏｍｅｉｎｄｉｓｐｅｎｓａｂｌｅｆｏｒｃｉｖｉｌｉｚｅｄｌｉｆｅ ｓｔｙｌｅ.Ａｖａｒｉｅｔｙｏｆｃｈｅｍｉｃａｌｓａｎｄｍａｔｅｒｉａｌｓａｒｅｕｓｅｄｉｎｐｒｏｃｅｓｓｏｆｍａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇｏｆｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｄｅｖｉｃｅｓ.Ａｔｒａｃｅｌｅｖｅｌｏｆｍｅｔａｌｌｉｃｉｍｐｕ ｒｉｔｉｅｓｉｎｔｈｅｃｈｅｍｉｃａｌｓａｎ…     

ICP—AES摄谱法测定纯氧化铽中的稀土杂质

本实验建立了以国产ICP-AES摄谱仪测定高纯氧化铽中十个稀土杂质氧化物的分析方法,其测定下限总浓度为0.145%,回收率为89～107%,对国内稀土产品分析及控制具有实用意义。     

X射线荧光法测定土壤总硫量

本文采用模拟土壤基体的方法人工制备测定用标准样品,应用回归分析求取经验系数校正基体效应,建立了测定土壤总硫量的X射线荧光光谱分析方法。该法简便快速、灵敏(最低检出限小于5μg/g)。测定结果与化学法基本一致。     

用ICPS-PGS2扫描直读光谱仪直接测定高纯氧化铥中的十四个稀土杂质

本文选出了用改装的ICPS-PGS2单道扫描直读光谱仪直接测定高纯氧化铥中十四种稀土杂质的最优测量条件。考查了氧化铥基体对被测稀土元素的干扰和稀土元素间的相互干扰。在优化实验条件下,本方法测定下限为在10~(-2)～10~(-4)%之间,标准加入回收值在86.6%～115%之间,样品分析的相对标准偏差小于6.7%。本方法可适用于纯度小于99.95%氧化铥中十四个稀土杂质的例行分析。