溶胶凝胶模板法制备羟基磷灰石纳米线

以氯化钙和五氧化二磷的醇溶液为前驱体溶液,多孔阳极氧化铝(AAO)膜为模板,通过溶胶凝胶-模板法成功制备出羟基磷灰石(Ca10(PO4)6(OH)2,HAP)纳米线;利用扫描电镜、能量色散谱仪、透射电镜、X射线衍射仪及傅立叶变换红外光谱仪等分析了产物的组成和微结构;并讨论了纳米线的生长机理.结果表明,所制备的羟基磷灰石纳米线直径约为50nm、长度达20μm,分别与模板的孔径和厚度一致.     

溶胶-凝胶模板法合成SmFeO3纳米线

通过阳极氧化在质量分数为0.3 mol·L^-1草酸溶液中制得多孔氧化铝膜。经5%（质量分数）的磷酸扩孔处理得到具有孔径大小均一,排列有序,并具有一定厚度的阳极氧化铝模板（AAO）。用溶胶-凝胶法在氧化铝模板中制备了直径约为50 nm的有序SmFeO3纳米线阵列。用扫描电镜（SEM）、透射电镜（TEM）和X射线衍射仪（XRD）对SmFeO3纳米线的形貌、结构以及相组成进行了分析。结果发现：纳米线的长度受控于氧化铝模板的厚度,直径与氧化铝模板的孔径相等。同时分析了纳米线的形成机制。     

溶胶-凝胶模板法制备BaTiO3纳米线及其光催化性能

纳米线为准一维纳米材料[1],因其具有优异的光学、电学及力学性能而引起人们的极大关注.它的制备方法有许多种,如分子束外延法、光刻法、CVD法、模板法[2]等.其中模板法由于具有实验装置简单,操作容易,形态可控,适用面广等特点而成为纳米材料合成领域的一大焦点.常用的模板有:有序空洞阵列氧化铝模板、含有孔洞无序分布的高分子模板、纳米洞孔玻璃模板.其中阳极氧化铝(AAO)模板具有孔径均一、排列有序、孔密度高、热稳定性好且孔径大小可控等优点,成为模板合成法中最常用模板之一[3].     

溶胶凝胶模板法制备SiO2:Sm3+纳米阵列材料

采用溶胶凝胶模板法制备了不同Sm3+掺量的SiO2:Sm3+纳米阵列材料,通过SEM、EDS、FTIR等对材料的形貌和结构进行测试表征.FTIR分析表明Sm3+进入SiO2网络结构形成了Si-O-Sm键.SEM、EDS分析显示Sm3+掺量的增大促使阵列由纳米管向纳米线的转变.此外,腐蚀清洗等后处理工艺对保持纳米阵列的形貌至关重要.最后,讨论了溶胶凝胶模板法制备SiO2;Sm3+纳米阵列的机理.     

溶胶-凝胶模板法制备钛酸钡纳米管

采用氢氧化钡和钛酸四丁酯为前驱体, 溶胶-凝胶结合模板法制备了钛酸钡纳米管, 通过SEM, TEM, XPS和XRD等表征分析, 钛酸钡纳米管直径100 nm, 钛酸钡为立方相结构, 晶胞参数a＝3.995 Å.     

模板法合成Co纳米线有序阵列的偏光特性

Co nanowire arrays were prepared by anodic alumina oxide template，which formed during DC superposed pulse source anodization process. The structure of porous alumina template and properties of optical polarization of Co nanowire arrays are studied with the help of the scanning electron microscope， X-ray diffraction and infrared spectroscopy. The results showed that Co nanowire arrays have an excellent polarization property in near infrared region in 2700nm. We also found that the properties of optical polarization can also be controlled by adulterating kinds of electrodepositing metal and its alloys， by controlling length of nanowire， and by changing incidence angle.     

溶胶-凝胶法制备氧化铝光学薄膜

氧化铝薄膜性能优异,具有较高的介电常数、高热导率、抗辐照能力强、抗碱离子渗透能力强以及在很宽的波长范围内透明等性能。因此,氧化铝薄膜广泛地应用于微电子器件、电致发光器件、光波导器件以及抗腐蚀涂层等众多领域[1]。特别是氧化铝光学薄膜具有高的抗激光损伤阈值[2],用     

铅纳米线阵列的制备

使用电化学沉积方法,在有序的氧化铝模板(AAO)孔洞中制备了铅纳米线有序阵列。用X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)、透射电子显微镜(TEM)对样品的结构、形貌、进行表征和观测。XRD的结果表明所制备的样品为纯的立方面心铅,且纳米线生长沿<220>有很好的取向。FE-SEM的图片清晰地说明铅纳米线阵列是大面积、高填充率和高度有序的。TEM的结果显示纳米线直径均匀、表面光滑且长径比大。     

循环伏安法制备Ag纳米线阵列

In this paper, highly ordered anodic aluminum oxide (AAO) template with hexagonal close-packed arrays was successfully fabricated through a two-step anodization process. Ag nanowire arrays with high aspect ratio were prepared using cyclic voltammetry within the confined nanochannels of AAO template. In addition, standing Ag nanowire arrays free-support of templates were also fabricated successfully by cyclic voltammetry method. The micrographs and crystal structures of Ag nanowires were studied by field emission scanning electron microscope (FESEM) and X-ray diffraction (XRD). FESEM observation showed that the Ag nanowire arrays with high aspect ratio lie orderly on the surface of the substrate. The diameter of the Ag nanowire is about 60 nm and the length up to 30 μm or more. While the controlled nanowire arrays exhibit highly ordered structure in large area and the standing Ag nanowire in the array has the length of 1 μm and good orientation. XRD results illustrated that the Ag nanowires in the arrays deposited by cyclic voltammetry method have a face centered cubic structure and are preferentially oriented in the (220) direction.     

化学沉积法制备Ni-P纳米线与纳米管有序阵列

以多孔氧化铝膜为模板, 在室温下的酸性化学镀镍槽中通过化学沉积法生长出纳米线与纳米管有序阵列. 分别用X射线衍射仪(XRD)与透射电子显微镜(TEM)对纳米线、纳米管阵列进行表征. 并通过对纳米线与纳米管的生长方式进行分析比较, 系统地研究了多孔氧化铝模板的前处理对纳米阵列生长的影响. 结果表明, 生成的纳米线与纳米管均为非晶态的镍磷合金. 室温下镍纳米管的生成主要取决于敏化、活化过程, 而当纳米管的厚度达到一定程度后就不再随时间变化.     

CdSe纳米线阵列的制备及其表征(英)

通过在含有SeSO₃^2-和Cd²⁺的室温水溶液中，用模板-电沉积法在纳米孔阵列阳极氧化铝膜(AAM)模板中制备了高有序性的CdSe纳米线阵列，并对其形貌、结构和组分进行了表征。扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)结果表明，纳米线阵列中的CdSe纳米线具有相同的长度和直径，分别对应于使用的AAM模板的厚度和孔径；X-射线衍射(XRD)和X-射线能谱(EDAX)结果表明，CdSe纳米线中Cd和Se的化学组成非常接近于1∶1，其结构为立方CdSe。另外，对模板-电沉积法制备CdSe纳米线的机理进行了讨论。     

Sb有序单晶纳米线阵列的制备

采用直流电沉积的方法在氧化铝模板（AAM）中成功地制备了Sb单晶纳米线阵列. X射线衍射（XRD）证明所制得的纳米线阵列为(110)取向的六方相Sb.透射电镜（TEM）显示Sb纳米线平滑而均匀,直径40～50 nm,长径比大于1000.选区电子衍射（SAED）结果表明,所制得的纳米丝为Sb单晶丝.场发射扫描电镜（FE-SEM）显示Sb纳米线阵列规则,填充率接近100％.     

两步电沉积法制备单晶Au纳米线阵列

以多孔阳极氧化铝为模板,采用两步交流电脉冲沉积法制备具有单晶结构的有序金纳米线阵列.实验表明:在氧化铝模板中由交流电沉积制备的金属纳米线,其成核电压直接影响模板内纳米线的填充率,而生长电压则控制纳米线的结构和形貌均一性.在最佳沉积条件下得到的金纳米线阵列,其填充率高达95%,且具有单晶结构.     

糖葫芦状二氧化钛纳米线阵列的制备及其光催化性能

 采用溶胶-电泳技术,在多孔阳极氧化铝(PAA)模板的有序孔洞中制备了高度取向的糖葫芦状TiO2纳米线阵列光催化剂,通过扫描电镜(SEM)和X射线衍射对样品进行了表征. 结果表明, TiO2纳米线为锐钛矿晶型,纳米线直径与PAA模板的孔径一致,且分布均匀. 纳米线取向性极好,每根纳米线都具有周期性凹凸,形似糖葫芦,因此命名为糖葫芦状TiO2纳米线阵列. 以甲基橙的降解反应评价了光催化剂的活性,与相同条件下制备的TiO2/玻璃膜相比, TiO2纳米线阵列在光照1 h时对甲基橙的降解率达到93.6%, 比前者提高了40.2%, 具有很好的光催化活性.     

高度有序氧化钨纳米棒的制备和表征

采用直流磁控溅射法结合阳极氧化法在铝基纳米点阵上制备氧化钨(WO3)纳米棒. 运用原子力学显微镜(AFM), 电子扫描显微镜(SEM), X射线衍射仪(XRD), 电化学工作站(EW)和紫外-可见分光光度计(UV)观察表征了WO3纳米棒的表面形貌、结构、光学性能和电致变色性能. 结果表明: 在溅射过程中, 溅射粒子优先沉积于铝基纳米点阵的凸点上, 然后成核并形成棒状; WO3纳米棒的直径约为200 nm, 与铝基纳米点阵的直径一致, 拥有一定的电致变色性能.     

ZnO纳米线/棒阵列的水热法制备及应用研究进展

氧化锌(ZnO)纳米线/棒阵列的质量决定了所构建光电器件的性能. 为了制备出比表面积更大、垂直性更好以及无根部融合的高质量ZnO纳米线/棒阵列, 本文概述了近几年两步水热法可控制备ZnO纳米线/棒阵列的研究进展, 分别探讨了种子层、生长液和生长方法对纳米线/棒阵列形貌的影响, 详细分析了氨水、六次甲基四胺和聚乙烯亚胺对于促进纳米线/棒阵列生长的作用机理, 提出了通过微流控技术可控制备ZnO纳米线阵列提高纳米线生长效率的方法. 最后介绍了ZnO纳米线/棒阵列的形貌对于提高染料敏化太阳能电池、纳米发电机、气体传感器和场发射器件性能的重要作用, 并对未来两步水热法制备ZnO纳米线/棒阵列的发展趋势进行了展望.     

Co、Ni及其合金纳米线阵列的制备及磁性研究

采用交流电化学沉积法,在多孔阳极氧化铝(AAO）模板孔洞中成功组装了铁磁性金属Co、Ni、CoNi合金纳米线阵列并采用扫描电子显微镜(SEM）、X射线衍射(XRD）等对样品进行表征。结果表明,Co、Ni及CoNi合金阵列体系中纳米线均匀有序,形状各向异性较大(长径比达30以上）,有显著的结晶择优取向。对Co、Ni、CoNi合金纳米线阵列体系进行磁性分析,振动样品磁强计(VSM）测试结果显示,纳米线有明显的磁各向异性,适合用作垂直磁记录介质。纳米线阵列退火后沿纳米线方向矫顽力和矩形比减小,样品的垂直磁各向异