电子能谱线形分析研究碳物种的化学状态

利用ＸＰＳ的ＣＩｓ携上峰,Ｘ射线激发供歇线形,ＸＰＳ价带谱以及俄歇电子能谱的ＣＫＬＬ线形研究了几处碳材料的化学状态和电子结构。研究结果表明：ＸＰＳ的携上效应可以鉴别不同结构的碳材料。ＸＡＥＳＲ 化学位移和线形也可以有效地研究中不同的碳材料的成像方式。ＸＰＳ的价带谱电子结构的一种有效方法,对碳材料的研究也很有效。ＡＥＳ的ＣＫＬＬ俄歇线形非常适合金属碳化物的鉴别。     

砷化镓半导体表面自然氧化层的X射线光电子能谱分析

用X射线光电子能谱(XPS)，测量了Ga3d和As3d光电子峰的结合能值，指认了砷化镓(GaAs)晶片表面的氧化物组成，计算了表面氧化层的厚度，定量分析了表面的化学组成；比较了几种不同的砷化镓晶片表面的差异。结果表明：砷化镓表面的自然氧化层主要由Ga2O3、As2O5、As2O3和单质As组成，表面镓砷比明显偏离理想的化学计量比，而且，氧化层的厚度随镓砷比的增大而增加；溶液处理后，砷化镓表面得到了改善。讨论了可能的机理。     

薄膜CdSe及CdSexTe1-x电极的光电子能谱研究

用X射线光电子能谱(XPS)研究了不同含氧气氛中烧结的薄膜CdSe及Cdse_xTe_1-x电极表面,以及薄膜与Ti底基之间的界面。研究中发现,二种薄膜电极的表面形成了CdO,SeO₂及TeO₂氧化物,与薄膜接触的Ti底基表面上形成了TiO₂。用俄歇电子能谱(AES)对在电极表面及Ti表面所生成的氧化层分别进行了深度分析。结果表明,各种氧化物形成的程度有很大的不同,氧化层厚度也存在差异。对影响薄膜电极的光电性能的因素进行了讨论。     

X光电子能谱分析中光电子峰和俄歇峰的干扰及消除

X光电子能谱(XPS)在分析多元素材料时,光电子峰可能受到其它元素俄歇谱的干扰.在AlKα激发CrZnSi合金样品时,光电子峰Cr2p和俄歇峰ZnLMM相互干扰,而换用双阳极中的MgKα源激发,虽可消除此相互干扰,但样品表面的Cls和Nls又会受到ZnLMM干扰.类似地,AlKα激发的GaN样品中Nls受俄歇峰GaLMM的严重干扰,而换用MgKα源激发时,Cls峰又受到的GaLMM的干扰.交替使用Mg/Al双阳极激发源,可改变XPS分析中的俄歇谱及其背景对光电子峰的干扰位置,并用未受干扰的峰互相校正2组谱图能量位置,以对样品谱峰作出正确的分析.     

X射线光电子能谱研究低温氧等离子体对棉纤维表面改性

本文叙述了用X射线光电子能谱(XPS)表征棉纤维的表面特性,比较了不同方法处理的棉纤维的表面改性。还讨论了等离子体对棉纤维的润湿性和脱脂作用机理。实验表明:刻蚀、氧化、分裂和接枝含氧基团是低温氧等离子体对棉纤维表面的主要作用。     

采用XPS与接触角法研究氟聚合物表面结构与性能

本文采用接触角和变角XPS方法对FA共聚物的表面能、 表面微相结构做了进一步的研究.     

含铁化合物的Fe2p和Fe3s电子能谱研究

选择了十几种常见的含铁化合物,分另采集了它们的Fe2p和Fe3s谱。从峰位和峰形上讨论了它们各自的特点,结果表明Fe2p和Fe3s峰的峰形分析（如,shake-up卫星峰及多重分裂峰）像其结合能值一样可以提供化学状态分析的重要信息。     

匀胶铬版表面界面微观构成的X射线光电子能谱表征

用Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）研究了几种不同工艺制备的匀胶铬版表面、铬膜内部以及各层之间界面处的微观化学组成和化学状态，讨论了不同工艺对铬版材料微观构成及宏观特性的影响。     

稀土与L-谷氨酰胺配合物的电子能谱研究

合成了通式为LnL_3Cl_3·2H_2O(Ln=Eu,Tb,Ho,Tm;L=L-谷氨酰胺)的固体配合物。用XPS辅以元素分析、热分析及IR光谱研究了配合物的组成及性质。观察到配合物中O_(1a)、Ln_(3d)、Ln_(4d)和Cl_(2p)结合能的变化,并发现Eu配合物Eu_(3d)谱峰的伴峰结构,讨论了伴峰产生的机理。     

XPS和AES研究锡表面的防变色膜

通过比较多种防锡变色剂的防变色效果,发现乙二胺四甲叉膦酸(EDTMP)是一种优良的防锡变色剂。用XPS、AES及Raman光谱探讨了EDTMP的防变色机理,结果表明EDTMP在锡表面形成了一种耐蚀性保护膜。在深度剖析曲线的元素组成近似恒定区测得膜的相对原子浓度(A.C.％)为:O 48.0％;Sn 10.7％;N 7.7％;C 23.1％;P 10.5％。     

XPS和AES研究不锈钢上金色钼酸盐转化膜

用阴极电沉积法从钼酸盐溶液中取获得了金黄色的不锈钢转化膜，该膜具有良好的热稳定性和耐蚀性，ＸＰＳ和ＡＥＳ分析表明，膜厚约为６６３Ａ。膜的表面钼以Ｍｏ（Ⅵ）与Ｍｏ（Ⅳ）共存。从ＡＥＳ深度剥蚀曲线的组成恒定区求得膜的组成为：Ｏ５１．６％，Ｍｏ２８．５％，Ｐ１３．７％和Ｆｅ６．２％。循环伏安的氧化峰也证明膜内存在Ｍｏ（Ⅳ）。     

含氧酸盐热反应法制备Y-Ba-Cu-O系超导膜的X射线光电子能谱(XPS)研究

用X射线光电子能谱(XPS)法研究了在基体ZrO上以含氧酸盐热反应法制得的YBaCuO超导膜的表面状态、组成及各成分元素的结合能,特别是Ar~+刻蚀前后膜表面组成和状态的变化,并与另一条件下制得的Y_2BaCuO_5非超导膜作了比较。探讨了Ar~-刻蚀前后,超导膜表面状态和组成变化的原因。确定了YBa_2Cu0超导膜中各成分元素的结合能:Y=156.3eV;Ba=778.5eV;Cu=933.5eV和Os=528·3eV,529.4eV。结果还表明:超导膜表面容易受H_2O和CO的侵蚀,生成BaCO。     

XPS、AES研究卤素对铬酸电沉积的活化作用

测定了卤素-铬酸-硫酸体系中铬的电沉积效率及阴极极化曲线;XPS、AES测定了该体系中形成的阴极膜的组成。结果表明,硫酸能有效地催化光亮铬的形成,F~-、Cl~-能显著地提高铬沉积的电流效率;除Br~-外,F~-、Cl~-均参加成膜;膜的深度剖析曲线表明,卤素分布在膜的深层,SO_4~(2-)集中在膜的表面。由此可推测,F~-、Cl~-在金属表面和铬酸的还原产物重铬酸铬形成易发生电子转移反应的表面过渡态配合物,[Cr~Ⅲ-X-Cr~Ⅲ]~≠。     

Ga／HZSM－5催化剂中镓的状态及其分布的XPS研究

利用ＸＰＳ技术对不同Ｇａ／ＨＺＳＭ－５中镓组分的分布状态进行考察。结果表明镓与分子筛之间产生了相互作用，以活性组分和游离态镓存在，且镓呈外表面富集。还原、氧化处理对镓的状态及分布有明显的影响。关联催化活性评价结果，认为与ＨＺＳＭ－５产生相互作用的镓组分为低碳烷烃催化芳构化反应的活性物种。镓的均匀分布有利于提高催化活性。     

温度对Mg-Al-O复合氧化物催化剂体相和表面酸碱性质的影响

用ＮＨ３和ＣＯ２作探针分子,采用红外光谱,真空原位测定Ｍｇ－Ａｌ－Ｏ复合氧化物表面酸碱中心的类型结果表明,主要存在Ｌ酸,碱中心是氧阴离子,而焙烧温度对样品表面碱中心的类型几乎没有影响,在６７３、８７３和１０７８Ｋ焙烧样品的固态ＭＡＳ＾２７Ａｌ核磁共振结果显示,样品呈现显著的物相转变,炽的过渡态对确定它们碱性质显得非常重要。ＸＰＳ测定样品中Ａｌ２ａ和Ｏ１ａ结合能与样品表面酸碱中心的强度相关。     

铁钼氧化物TPD-MS及催化性能的研究

制备了一系列不同配比的Ｆｅ－Ｍｏ氧化物催化剂,采用比表面积,ＸＲＤ,ＦＴ－ＩＲ和ＬＲＳ等方法,考察了催化剂的有关物化性质,测定了对甲苯选择性氧化生成苯甲醛的催化活性。用ＴＰＤ－ＭＳ技术研究了催化剂表面氧物种的脱附。结果表明,随着样品中Ｆｅ／Ｍｏ含量的改变,表面氧物种的脱附峰的峰温,氧脱附量和脱附活化能Ｅｄ也发生变化。３＃样品的氧脱附峰峰温较低,表面氧物种Ｏ＾－和Ｏ＾２－脱附量最大,Ｅｄ值最小,生成     

V－Ag－Ni系氧化物的表面氧性质与甲苯选择性氧化的催化性能

制备了一系列Ｖ、Ａｇ、Ｎｉ原子比不同的三元氧化物，应用ＴＰＤ－ＭＳ技术研究了样品表面氧的性质，并测定了甲苯选择性氧化生成苯甲醛的催化活性．实验结果表明，样品表面存在有多种吸附的氧物种．在脱附温度＜９００℃：当Ｎｉ含量对Ａｇ（或Ｖ）的原子比为０．２５或０．５０时，仅在低温处出现有表面的Ｏ－和Ｏ２－两种氧物种的脱附峰；当Ｎｉ含量对Ａｇ（或Ｖ）的原子比增高到＞０．７５时，除有表面的Ｏ－和Ｏ２－两种氧物种的脱氧峰外，还有由于样品中的物相转变所生成的有晶格氧（Ｏ２－）参与脱附的脱氧峰．随着Ｖ－Ａｇ中Ｎｉ含量的改变，脱氧峰的脱附活化能Ｅｄ值也发生变化，３＃样品（Ｖ：Ａｇ：Ｎｉ＝１：１：０．７５）的Ｅｄ值最低，生成苯甲醛的选择性也最高．因此，样品的Ｅｄ值与生成苯甲醛的选择性之间存在着顺变关系．     

V-Ag-Ni系氧化物的表面氧性质与甲苯选择性氧化的催化性能

制备了一系列Ｖ，Ａｇ，Ｎｉ原子比不同的三元氧化物，应用ＴＰＤ－ＭＳ技术研究了样品表面氧的性质，并测定了甲苯选择性氧化生成苯甲醛的催化活性。实验结果表明，样品表面存在有多种吸附的氧物种。在脱附温度＜９００℃：当Ｎｉ含量对Ａｇ（或Ｖ）的原子比为０．２５或０．５０时，仅在低温处出现有表面的Ｏ＾－和Ｏ＾２＾－两种氧物种的脱附峰；当Ｎｉ含量对Ａｇ（或Ｖ）的原子比增高到＞０．７５时，除有表面的Ｏ＾－和Ｏ＾２＾