纳米器件的制备、表征及其应用

利用建立的常规光刻法的纳米加工工艺系统，研制碳纳米管晶体管，单电子晶体管和单电子晶体集成的纳米器件，研制出了90K的单电子晶体管，实现了两单电子晶体管的电容耦合集成，多个单电子晶体管的串联集成以及单电子晶体管与传统器件的集成。     

激光二极管双路泵浦的固体激光器

首次用国产量子阱激光半导体二极管双路端面泵浦Ｎｄ：ＹＬＦ激光器，得到波长１．０４７μｍ、能量６＿μＪ、峰值功率１２０ｍＷ的激光输出．实验结果表明：双路同时泵浦输出功率大于两单路分别泵浦输出功率相加，起伏小于３％，与理论分析基本一致。     

有机场效应晶体管材料及器件研究进展

有机场效应晶体管(organic field—effect transistor，OFET)作为新一代半导体晶体管因其广阔的应用前景和近年来技术上的突飞猛进，使之成为微电子和信息领域科学研究和产品开发中热门的话题之一．文章慨述了有机场效应晶体管的材料研究、器件制备技术以及有机场效应晶体管在各领域中应用的最新进展．     

用LED演示晶体管的电流放大作用

1947年，世界上第一只晶体管(点接触型)在美国诞生，如今从生活到飞船都离不开晶体管。     

单电子晶体管

介绍了单电子晶体管是一种每当在栅压作用下在沟道内加进一个电子，晶体管就可以导通和截止一次的奇妙的器件。阐述了单电子晶体管的发现过程，工作原理以及它的一些可能的应用。     

泵浦灯预引燃的双路供电

本文出指了在高重复率下工作的固体激光器泵浦灯实行预引燃的必要性,采用双路供电的优点,给出了三种实用的双路供电预引燃电路。     

关于阻容耦合晶体管放大器频率特性的精确分析

采用节点法和晶体管ｙ参数等效电路，对单级阻容耦合晶体管共射极连接放大器的频率特性进行精确的分析。     

RF SET 超灵敏静电计

单电子晶体管(SET)作为灵敏静电计的灵敏度受到噪声的限制，其中散粒噪声(shot noise)是本征噪声，决定着单电子晶体管灵敏度的极限．利用射频(radio frequency，RF)单电子晶体管的极高的工作频率，可以消除SET的1／f噪声，从而达到极限灵敏度．利用一级低温低噪声放大器和一级室温放大器放大工作在反射模式的射频单电子晶体管的输出信号，使用LC共振电路，抬高了SET右边的整个微波系统的阻抗，使之与单电子的输出阻抗匹配，从而提高了RFSET静电计的灵敏度．     

阿耳费罗夫（Alferof，Zhores I，1930-）俄国物理学家（Physicist，Russia）

阿耳费罗夫主要从事半导体异质结构方面的研究工作，因而导致异质结晶体管、发光二极管和双异质结半导体激光器的发明。异质结晶体管的工作频率比普通晶体管高100倍，噪声小，适合做微波晶体管、高速开关管和光电晶体管。阿耳费罗夫因这方面的成就，与克勒默（Kroemer）分享Y2000年诺贝尔物理学奖。他曾来我国访问，并被南京大学聘为名誉教授。     

晶体管基区电阻γbb的测试

摘要：介绍了一种测试晶体管基区电阻γbb的方法，得出了晶体管电流放大系数β值不同γbb值不同的结论，并对γbe的计算公式进行了修正．     

分子晶体管的新构想

美国理论物理学家设计了一种新的方法来构造分子晶体管．来自亚利桑那大学的David Cardamone等人说，量子干涉效应晶体管是将现有晶体管技术推进到纳米尺度的可行途径．这种器件的基本原理是通过调整碳氢化合物环状分子结构中的电流来控制量子干涉的开关状态．     

波分复用器在光纤通信中的应用

在光纤通信领域中使用波分复用技术，可以极大地提高网络的传输容量及速率，是解决现代通信技术带宽危机的有效方法．本文介绍了波分复用（WDM）器件的特性，并以双路双向光纤通信为例说明应用WDM技术的优势．     

集电极取样电路具有缺陷的晶体管特性图示器改进方法

JT-1型晶体管特性图示器由于其读测简便、直接显示的优点而被广泛采用，但有的晶体管特性图示器集电极取样电路设计具有一定的缺陷，会给测量带来严重的影响。本提出了自己的观点，并给出了改进方法。     

多岛单电子晶体管的实现及其源漏特性分析

在淀积有纳米间隙栅电极、源电极和漏电极的衬底上生长量子点，制作出多岛结构的单电子晶体管.在77K温度下对源漏特性进行了测试，得到了库仑阻塞特性.并且成功抑制了单岛单电子晶体管中易出现的共隧穿效应，观察到较大的库仑阈值电压.对试验数据进行了分析，阐明了岛的不同结构组态产生的不同输运效果. 关键词： 单电子晶体管 量子点 库仑阻塞     

不同发射极面积npn晶体管高低剂量率辐射损伤特性

影响npn晶体管辐射损伤的因素有很多,如晶体管工艺、剂量率以及辐照偏置等.主要研究了三种发射极面积的国产npn晶体管在高低剂量率下的辐射损伤特性,分析了发射极尺寸对辐射损伤的影响.研究结果表明,国产npn晶体管具有低剂量率损伤增强效应,且发现当小电流注入下晶体管的辐射损伤会表现得愈加显著.比较三种发射极尺寸的晶体管辐照响应发现,发射极周长面积比P/A越大时晶体管归一化过剩基极电流ΔI_B/I_B0也越大.详细阐述了npn晶体管辐射损伤机制,从发射极尺寸和晶体管工作电压角度对npn晶体管的加固保证方法进行了探索. 关键词： 发射极面积 国产npn晶体管 剂量率 辐射损伤     

场效应晶体管—自电光效应器件灵巧像素的实验研究

在一块印刷电路板上通过将自电效应器件（ＳＥＥＤ）与ＧａＡｓ场效应晶体管（ＦＥＴ）进行互连制作一种简单的场效应晶体管－自电光效应器件（ＦＥＴ－ＳＥＥＤ）灵巧像素，这种灵巧像素由一个输入自电光效应器件，一个输出自电光效应器件及一个ＧａＡｓ场效应晶体管放大器构成，设计了一个光学系统，在这个系统以对这种灵巧像素进行了演示及测试，并对其工作原理及过程进行了描述。     

埋氧注氮工艺对部分耗尽SOI PMOSFET顶栅氧的辐射硬度的影响

研究了埋氧注氮对部分耗尽SOI PMOSFET顶栅氧的总剂量辐射硬度所造成的影响。注入埋氧的氮剂量分别是8×1015 , 2×1016 和1×1017cm-2。实验结果表明，辐照前，晶体管的阈值电压随氮注入剂量的增加向负方向漂移。在正2V的栅偏压下，经5×105 rad(Si)的总剂量辐照后，同埋氧未注氮的晶体管相比，埋氧注氮剂量为8×1015 cm-2的晶体管呈现出了较小的阈值电压漂移量。然而，当注氮剂量高达2×1016 和 1×1017cm-2时，所测大多数晶体管的顶栅氧却由于5×105 rad(Si)的总剂量辐照而受到了严重损伤。另外，对于顶栅氧严重受损的晶体管，其体-漏结也受到了损伤。所有的实验结果可通过氮注入过程中对顶硅的晶格损伤来解释。     

细线径螺旋线长脉冲产生技术

 提出了双路输出的螺旋脉冲形成线(PFL)结构,该结构内置用于充电的高耦合变压器,在螺旋PFL的两端各自输出一个脉冲,副路匹配输出时主路输出脉冲波形具有良好的平顶品质,主路输出脉冲能量占储能的大部分,解决了Korovin提出的螺旋PFL充电问题。对比分析双路输出的螺旋 PFL与SINUS-700/130两种技术路线,结果发现双路输出的螺旋 PFL改善了输出脉冲的平顶质量,输出功率提高29%,但是副路输出占用11%的储能,不易充分利用。     

双路离心式喷嘴的实验与数值模拟

通过实验与数值模拟方法开展了双路离心式喷嘴的研究。实验测量了喷嘴主、副油路在不同压力下的雾化锥角与流量特性,拍摄了喷嘴在典型工况下的喷雾场照片。数值模拟采用VOF(Volume-of-Fluid)两相流模型来模拟喷嘴内气液两相流流动,较好地模拟出喷嘴内的空气涡与喷雾锥角,所得到喷雾锥角与实验结果吻合较好。通过实验与数值模拟相结合的方法验证了双路离心式喷嘴的雾化性能,从而为双路离心喷嘴的设计和性能预测提供了理论基础。     

基于Multisim仿真的晶体管电流放大作用机理研究

晶体管是电子线路中极其重要的基本半导体器件之一,其主要作用是电流放大。晶体管的电流放大作用及其机理是电子学基础课程教学内容的重点和难点,是学生熟练掌握晶体管放大电路分析与设计方法的理论基础。本文针对教学中出现的问题,详细研究了晶体管的电流放大作用及其机理;同时应用Multisim软件对晶体管电路进行了仿真测试,以验证晶体管的电流放大作用。本文对晶体管电流放大作用的教学具有借鉴作用,有助于提高教学质量和效果,能够使学生更好地理解和掌握晶体管的电流放大作用及其机理,为电子学基础课程的理论学习和实验研究打下良好基础。