球坐标和柱坐标下▽f、▽·(fg)、▽×(fg)、▽~2f的运算公式

找出球坐标、柱坐标各单位矢的微分运算规则 ,并进一步得出球坐标、柱坐标下 f、 ·(fg)、 ×(fg)、 2 f的方便而又严格的运算公式 .这些公式还可推广到更高阶张量的微分运算 ,因而具有普遍意义     

球坐标和柱坐标下—↓△t,↓△·（fg）、↓△×（fg）、↓△^2f的运算公式

找出球坐标、柱坐标各单位矢的微分运算规则,并进一步得出球坐标、柱坐标下f、.(fg)、×(fg)、2f的方便而又严格的运算公式.这些公式还可推广到更高阶张量的微分运算,因而具有普遍意义.     

简明推导▽~2▽A和▽x在一般正交曲线坐标系中的表达式

本文根据三维空间中梯皮场无旋、旋度场无源的特点，给出了一种较为简单的推导以及×Ａ在一般正交曲线坐标系中表达式的方法。     

对(Δ)算符运算规则的讨论及介绍一些有用的张量微分公式

介绍一些有实用意义的(Δ)算符运算规则的基本方法和知识,并给出一些有用的张量微分公式.     

中性张量介子f2(1270),f′2(1525)和胶球候选者ξ(2230)的混合

假定ξ(2230)的自旋宇称为2++,研究了中性张量介子f2(1270), f′ 2(1525)和胶球候选者ξ(2230)的混合,通过对可得到的这3个态的衰变数据的拟合,得到了这3个态的夸克和胶球内容. 并给出了一些关于ξ(2230)衰变的预言.     

QCD求和规则的张量胶子球(2++)的质量

利用量子色动力学求和规则计算了张量胶子球 (2++ )的质量 ,其结果与北京正负电子对撞机的BES实验组和MARKIII实验组的测量结果一致 ,表明张量胶子球的质量约 2 .2 3GeV左右。The mass of the tensor glueball (2 ++ ) is calculated in quantum chromodynamics(QCD) spectral sum rules. The theoretical prediction is in good agreement with the measurements of BES collaboration at BEPC, Beijing and MARK III, which indicates that the mass of the tensor glueball may be around 2.23 GeV.     

C2(×)Cn量子系统的最大纠缠混合态

讨论了C2(×)Cn量子系统的最大纠缠混合态,得到了Negativity纠缠度下的最大纠缠混合态的解析结果,并计算了该态在非满秩情形下的量子相对熵纠缠度.     

低能氖原子与H2(D2、T2)分子碰撞微分截面的研究

用密耦方法及Tang-Toennies势模型计算了Ne-H2(D2、T2)碰撞体系的转动激发碰撞截面,得到了H2分子的对称同位素替代情形下Ne-H2(D2、T2)三碰撞体系总截面及微分截面的变化规律.     

2(×) n量子系统二参量一类态的量子相对熵纠缠度

对于任意的两体量子系统,总可以通过局域操作和经典通讯变换成二参量的一类态.本文计算了2(×)n量子系统的两参量一类态的量子相对熵纠缠度,找到了与其最接近的可分离态,得出了具体的解析表达式,并与其他纠缠的度量-负值度和形成纠缠度作了比较,三种纠缠的度量从大到小的依次为负值度、形成纠缠度和量子相对熵纠缠度.     

AdS5 (×)S1,AdS5(×)S5和AdS2(×)S2超弦模型的一种KRR参数化新方法

给出了3种典型超弦模型AdS5 (×)S1,AdS5(×)S5和AdS2(×)S2的一种简单的KRR参数化新方法,并结合这些超弦模型所具有的κ对称性给出了它们的卡当1-form,Maurer-Cartan方程,作用量和运动方程.     

c(2×2)O吸附Cu(001)表面结构、电子态与STM图像的研究

用投影子缀加波和CP分子动力学方法研究了贵金属Cu(001)面的表面结构、弛豫以及O原子的c(2×2)吸附状态. 研究结果得出在这种吸附结构中，O原子与衬底Cu原子之间的垂 直距离约为0069nm，Cu—O键长为0.194nm，功函数约为5.29 eV；吸附O原子形成金属性能带结构，由于Cu—O的杂化作用,在费米能以下约6.7 eV处出现了局域的表面态.用Tersoff-Hamann途径计算了该表面的扫描隧道显微镜图像，并讨论了与实验结果之 间的关系. 关键词： Cu(001)-c(2×2)/O 电子态 STM图像     

屏蔽效应对氦原子(e,2e)反应中二重微分截面和单微分截面的影响

用DS3C模型计算了入射能为32.5, 36.5, 40.7 eV时电子入射单电离氦原子的二重微分散射截面, 并把计算结果与实验结果进行了比较, 对屏蔽效应进行了分析. 通过对二重微分散射截面在全空间的角度积分得到了电子入射单电离氦原子的单微分散射截面, 利用3C模型和DS3C模型计算了入射能为32.5, 36.5, 40.7, 50 eV时氦原子的单微分散射截面, 并把计算结果与实验结果进行了比较. 对截面的结构进行了分析, 并系统研究了交换效应对截面的贡献. 关键词： DS3C模型 二重微分散射截面 单微分散射截面 屏蔽效应     

(CH3)2和(NH2)2基团修饰的齐聚苯乙炔分子电子输运性质研究

采用密度泛函理论和非平衡格林函数相结合的方法研究了S原子作为单、双端基的(CH₃)₂-OPE (齐聚苯乙炔)和(NH₂)₂-OPE分子在金电极间的电子输运性质. 通过第一性原理优化计算获得分子部分稳定结构, 再置于Au电极之间构成两极系统, 然后再优化整个两极系统获得稳定结构. 另外, 通过非平衡格林函数方法计算了两极系统的电子输运性质. 计算结果表明, 不同的修饰基团和桥接方式可以导致两极系统的开关效应、负微分电阻行为和整流行为等不同的电子输运性质. 通过计算不同偏压下的分子体系投影轨道电子分布、透射谱、态密度, 对这些新异的电输运性质出现的机理进行了解释.     

Li“洞原子”高位三激发态~2S(m)和~2D(m)(m=2——7)的能级、精细结构和Auger宽度

采用鞍点变分方法和鞍点复数转动方法,考虑了相对论修正、质量极化修正等基础上,计算了L"i洞原子"高位三激发态2l2l′nl″2S(m)和2D(m)(m=2—7)高根系列的高精度波函数、相对论能量、精细结构,同时还计算了Auger分宽度和总宽度,通过相对论效应的讨论,对2S(7),2D(6)及2D(7)的组态进行了重新标定.     

动力学破缺和普通自发破缺的手征SU(2)×SU(2)σ模型(Ⅱ)

本文应用复合场的有效作用量,研究了同时具有动力学破缺和普通自发破缺情况下,SU(2)×SU(2)σ模型中π介子的质量谱;证明了在考虑了微扰效应后,π介子仍具有质量.在最低阶近似下,π介子的质量谱与我们以前的结论一致.     

动力学破缺和真空自发破缺的手征SU(2)L×SU(2)R×U(1)σ模型

将SU(2)_L×SU(2)_R手征对称的σ模型推广到带电磁场情况下的手征σ模型,采用研究自恰性方程的方法研究了同时具有动力学破缺和真空自发破缺的手征SU(2)_L×SU(2)_R×U(1)σ模型,得到了考虑动力学自发破缺、真空自发破缺和电磁相互作用后,σ、π介子和核子都出现了不同的质量修正,并得到此模型中σ,π和核子以不同方式依赖于动力学破缺的具体表示.     

基于圆柱型硅光子晶体的1×2光下路分束器(英文)

本文设计了一个基于圆柱型硅光子晶体自准直环形腔的1×2光下路分束器.该光下路分束器由三个分光镜和一个反射镜构成,其中窄光束依赖自准直效应进行传输.利用多光束干涉理论分析了光下路分束器中不同出口的理论透射谱,并且利用时域有限差分法对光下路分束器透射谱进行数值模拟计算,其结果与理论预测基本一致.当下路波长为1 550nm时,光下路分束器的自由光谱范围约为30nm,几乎涵盖了整个光通信C波段.由于其小尺寸和全硅材料,本文设计的1×2光下路分束器有望应用于未来的集成光路中.     

0.5 eV时H++D2(v=0,j=0) 反应的微分、积分截面

基于ab initio势能面(KBNN PES)[1],用耦合通道超球坐标理论研究了碰撞能等于0.5 eV时H D2(v=0,j=0)的积分,微分截面.对于反应性碰撞,计算的积分截面表明由于深势阱的存在使得这一绝热反应产物的分布表现出一种近似的统计行为.计算的微分截面反映该体系存在着长寿命的中间络合物;对于非反应性碰撞(传能过程),平动—平动传能过程更有效,且其积分截面随着转动量子数的增大而显著减少.通过反应性碰撞和非反应性碰撞积分截面的比较,发现在低能碰撞情况,非反应性碰撞更容易进行.     

离子和原子共面不对称(e,2e)三重微分截面的比较

本文用自旋平均静态交换势三体扭曲波波恩近似(DWBA)计算了Li+(1s2)和He(1s2)、K+(3p6) 和Ar(3p6)在1?000?eV入射能下的共面不对称(e, 2e)三重微分截面(TDCS).通过比较离子和原子靶三重微分截面的角分布,表明两体碰撞图像在离子靶的情形不成立.     

硼球烯B_(40)在外电场下的基态性质和光谱特性

以6-31G*为基组,采用密度泛函PBE0方法研究了不同外电场(0—0.060 a.u.)对硼球烯B_(40)的基态几何结构、电荷分布、能量、电偶极矩、能隙、红外及拉曼光谱特性的影响;继而采用含时的TD-PBE0方法研究了硼球烯B_(40)在外电场下的电子光谱.研究结果表明:外电场的加入导致分子对称性降低,当电场从0 a.u.变化到0.060 a.u.时,偶极矩逐渐增加,体系总能量和能隙一直减小;外电场的加入将改变红外和拉曼光谱特征,如谐振频率的移动以及红外和拉曼峰的增强或减弱;外电场对硼球烯B_(40)的电子光谱影响较大,当电场从0 a.u.变化到0.060 a.u.时,电子光谱发生红移,同时对振子强度有很大影响,原来振子强度最强的激发态变弱或成为禁阻跃迁,而原来振子强度很弱或禁阻的激发态变得最强.可以通过改变外电场来改变B_(40)的基态性质,以及控制B_(40)的光谱特性.