PDP驱动芯片中高压LDMOS建模

建立了PDP驱动芯片用高压LDMOS的SPICE子电路模型,该模型集成了LDMOS固有特性：准饱和特性、电压控漂移区电阻、自热效应、密勒电容等. 与其他物理模型和子电路模型比较,该模型不但能提供准确的模拟结果,而且建模简单快捷,另外该模型可较容易地嵌入SPICE模拟软件中. 模型的实际应用结果显示：模拟与实测结果误差在5%以内.     

PDP驱动芯片中高压LDMOS建模

建立了PDP驱动芯片用高压LDMOS的SPICE子电路模型,该模型集成了LDMoS固有特性:准饱和特性、电压控漂移区电阻、自热效应、密勒电容等.与其他物理模型和子电路模型比较,该模型不但能提供准确的模拟结果,而且建模简单快捷,另外该模型可较容易地嵌入SPICE模拟软件中.模型的实际应用结果显示:模拟与实测结果误差在5%以内.     

MOSFET半桥驱动电路设计要领

本文针对如何设计MOSFET半桥驱动线路进行了深入分析,其中对半桥驱动芯片的工作原理、自举电容的计算以及相线振铃和相线负压的产生作了详细分析并给出了相关实验波形。     

600伏高压LDMOS的实现

综合利用RESURF技术、内场限环技术及双层浮空场板技术，充分降低高压LDMOS的表面电场，使用常规低压工艺，最终实现600伏高压LDMOS。本文介绍了此高压LDMOS的设计方法、器件结构、制造工艺和测试结果。     

基于DSC的直流电机半桥驱动电路的设计

由于直流电机能实现方便的平滑调速且启动性能好的特性,在工业自动化领域中有着广泛的应用。目前,直流电机通常采用H桥电路进行控制,在控制大电流电机的情况下,控制电路的体积大,电路元件多,导致可靠性下降,电路成本也较高。本文提出了一种半桥控制电路,在不降低控制性能的前提下,减少了大功率的电路元件的使用,不但降低了成本,提高了电路的可靠性,而且还具有很好的扩展性。     

RF LDMOS器件仿真与单元设计

RFLDMOS器件在GSM／CDMA移动通讯基站、数字广播电视发射、射频通讯领域应用广泛,RFLDMOS在这些领域中的地位类似于CPU在计算机和互联网领域的核心地位。尤其,RFLDMOS器件对于国防科技和军事通讯领域的意义显得更为突出。对于RFLDMOS器件进行仿真研究是当今半导体领域研制产品常用的方法。这样不但可以节...     

半桥栅驱动600v高压驱动芯片设计

本文描述一种可驱动功率MOSFET和IGBT600v高压集成电路，它采用B.C．D．技术，把控制电路、检测保护电路、高低压电平移位电路、输出缓冲电路等集成到一块芯片上。本文就其采用的高压工艺平台、电路原理及版图设计作了初步的研究和试制，并对研制的初步结果进行了分析讨论。     

IR2XXX三相桥功率驱动芯片的原理及应用

ＩＲ２１３３／ＩＲ２１３５／ＩＲ２２３３／ＩＲ２２３５系列驱动芯片内部集成了互相独立的３组半桥驱动电路、具有多种保护电路,可直接驱动功率半导体ＭＯＳＦＥＴ或ＩＧＢＴ。本文简要介绍了其电气性能、工作原理和典型应用电路。     

半桥射频MOS管驱动电路设计

基于半桥拓扑结构的特点,得出了MOS管驱动电路的基本要求,重点分析了MOS管驱动电路各分电路的设计参数,实验验证了驱动电路的合理性.     

高温六路半桥驱动器芯片

ATA6837带有集成功率级，经由微控制器控制，每个高端和低端驱动器都能驱动高达650mA的电流。由于采用半桥电路，因此无须外接钳位二极管，大大减少了装配工作。     

高压LDMOS场极板的分析与设计

场板是高压LDMOS中普遍使用的一种结终端技术,对单阶梯LDMOS场板的长度、其下方氧化层厚度以及场氧侵蚀厚度等参数进行了模拟和分析,在此基础上设计了一种新型体硅双阶梯场板LDMOS,并对其具体参数进行了细致的模拟和分析.模拟结果表明,双阶梯场板LDMOS的击穿电压比单阶梯场板LDMOS提高了15.3%,导通电阻降低了17.1%,电流驱动能力也提高了8.5%.     

功率LDMOS中的场极板设计

本文提出了LDMOS器件漂移区电场分布和电势分布的二维解析模型,并在此基础上得出了LDMOS漂移区电势分布和电场分布的解析表达式。通过表达式的结果,研究了多晶硅场板的长度和位置对于器件表面电场和电势的影响,解析结果与MEDICI结果相符。     

高压功率LDMOS的场极板击穿电压分析

提高 LDMOS的一个关键步骤是加场极板以降低其表面击穿电压。文中分析了加场极板后的 LDMOS击穿电压模式 ,指出了场极板的分压作用和场极板边界的影响 ,得到了其击穿电压的计算公式并用实验验证了公式的正确性     

新型图形化 SOI LDMOS结构的性能分析

提出一种图形化SOILDMOSFET结构,埋氧层在器件沟道下方是断开的,只存在于源区和漏区.数值模拟结果表明,相对于无体连接的SOI器件,此结构的关态和开态击穿电压可分别提高57%和70%,跨导平滑,开态I-V曲线没有翘曲现象,器件温度低100K左右,同时此结构还具有低的泄漏电流和输出电容.沟道下方开硅窗口可明显抑制SOI器件的浮体效应和自加热效应.此结构具有提高SOI功率器件性能和稳定性的开发潜力.     

复合多晶硅栅LDMOS的设计

提出了一种应用于射频领域的复合多晶硅栅LDMOS结构,并提出了具体的工艺实现方法。此结构采用栅工程的概念,设计的栅由S-gate和D-gate两块并列组成,S-gate用高功函数P型多晶硅材料,D-gate用低功函数N型多晶硅材料。MEDICI模拟结果表明,该结构能够降低沟道末端和漏极附近的最高电场强度,提高器件的跨导和截止频率;同时,还能够提高器件的击穿电压,并减小器件的热载流子效应。     

LDMOS功率场效应晶体管的设计与研制

LDMOS器件是目前高压集成(HVIC)及功率集成的重要器件。本文提出了该器件的设计及研制结果。采用标准的DMOS工艺已研制成功耐压180V最大输出电流400mA、V_G=4V时跨导为50mV、最小导通电阻50Ω的器件。阈电压通过离子注入剂量调节在1～4V范围。某些参数达到了国外同类器件的水平。所研制的器件与同材料的VDMOS相比,作为双极型模拟电路兼容的高/低压MOS器件,它具有更好的性能。作者希望通过对该器件的研究,进一步推动国内高压集成的发展。     

关于电气传动控制系统中单片机技术的应用分析

电气传动控制是现代工业发展过程中的重要成就,通过自动控制技术实现电机或者其他电气设备的运行,能够极大的节省人力成本,并且利用高精度的控制器可以更加精确的实现系统控制,保证设备的安全、高效和稳定运行。一般,在企业发展过程中,工厂中所使用的电气传动控制器大多数为PLC设备,该设备能够适应更加复杂的环境,控制系统鲁棒性更强。但是该系统发展的成本也更高,一般使用在大型生产线的控制中。而随着微处理器技术的发展,单片机技术也变得更加成熟,越来越多的领域可以通过单片机进行控制,并且这种控制系统成本很小,非常适合应用在小范围的电气控制过程中。本文首先对单片机技术在电气传动控制系统中的应用优势进行了分析,同时针对现在控制系统的发展,为单片机在该领域的应用提出了相应的建议。     

一种LDMOS高压运算放大器的设计与实现

使用专门设计的LDMOS高压器件,实现了一个具有高压驱动能力(±150 V)和大增益(>80 dB)的CMOS运算放大器。模拟结果显示,N沟道和P沟道LDMOS晶体管的最大击穿电压都超过了320 V,高压隔离超过300 V,从而可以确保其高压放大功能。该运算放大器适用于数字通信,如程控交换机中的高压驱动电路的单片集成。     

抑制浮体效应的薄膜SOI LDMOS

A novel CMOS-compatible thin film SOI LDMOS with a novel body contact structure is proposed. It has a Si window and a P-body extended to the substrate through the Si window, thus, the P-body touches the PC region to form the body contact. Compared with the conventional floating body SOI LDMOS(FB SOI LDMOS) structure, the new structure increases the off-state BV by 54%, decreases the specific on resistance by 20%, improves the output characteristics significantly, and suppresses the self-heating effect. Furthermore, the advantages of the low leakage current and low output capacitance of SOI devices do not degrade.