Hg_(1-x)Cd_xTe的过热电子效应

研究了组分x=0.18～0.50的N-Hg_(1-x)Cd_xTe样品在0.3～4.2K低温区和0～7T磁场强度下的过热电子效应,结果表明过热电子效应强烈依赖于样品的组份、电学参数以及材料的晶体质量。     

Hg_(1-x)Cd_xTe的拉曼光谱

我们发现Hg1 -xCdxTe的拉曼散射峰随着温度的变化会发生频移 ,它的二级散射峰来自LO1 LO1 ,LO1 LO2 ,LO2 LO2 ,并且它们的强度对晶体的完整性较敏感。同时也发现Hg1 -xCdxTe中的Te的沉淀相和Te的氧化物相的拉曼散射峰。     

用交流热激电流研究窄禁带Hg_(1-x)Cd_xTe的深能级

用交流热激电流(ATSC)方法研究了x=0.195～0.275的窄禁带Hg_(1-x)Cd_xTe半导体中的深能级,讨论了Hg_(1-x)Cd_xTe深能级的物理性质。实验表明交流热激电流方法(ATSC)是研究窄禁带Hg_(1-x)Cd_xTe深能级的一种有效方法。     

Hg_(1-x)Cd_xTe光电二极管反向漏电机制分析

分析了可能导致Hg_(1-x)Cd_xTe P-N结反向软击穿的若干漏电机制。位于结区中的深能级和沉淀及混晶材料中的组份涨落和杂质浓度涨落等都可能产生过量隧道电流。用一些理论模型对实验数据进行了拟合和比较。对于我们的离子注入N~+-P结,P型材料的高补偿度可能是导致漏电的主要原因。     

Hg_(1-x)Cd_xTe MIS器件的C-V特性

测量了阳极氧化和ZnS双层介质结构的Hg_(1-x)Cd_xTe MIS器件的C-V特性。基于Kane模型并考虑了碲镉汞导带非抛物性和载流子简并效应,进行了理论计算,高频情况下还考虑了少子在反型层中的再分布。对各种组份(x=0.2～0.56)的N型和P型Hg_(1-x)Cd_xTe MIS器件进行了变频(f=20～10MHz)和变温(T=26～200K)C-V测量。对于x=0.3的器件,测得其固定正电荷密度为8～10×10~(11)cm~(-2),80K下慢界面陷阱密度为4～10×10~(10)cm~(-2),最小界面态密度为1.7～2×10~(11)cm~(-2)·eV~(-1)。     

窄禁带半导体Hg_(1-x)Cd_xTe P-N结的电容-电压特性曲线

改进了电容测量技术,能测量低阻抗P-N结的电容.测量Hg_(1-x)Cd_xTe(0.195     

表面累积层对N型Hg_(1-x)Cd_xTe输运特性及复合特性的影响

通过测量经紫外辐照的样品的磁输运特性和复合特性,研究N~+表面累积层对钝化N-Hg_(0.78)Cd_(0.22)Te的影响。紫外辐射使N~+表面层减少,从而使样品的电阻增大,这一现象与钝化氧化层俘获电子有关。观察到紫外辐照可使样品的载流子寿命减小约90%。假设紫外辐射降低了由N~+表面层引起的内建电势,可解释较快的电子-空穴复合速率。被激发成准平带或弱耗尽状态的晶体的电子-空穴复合时间常数较小。N-Hg_(1-x)Cd_xTe表面层状态确定了光电导器件的最终设计。     

Hg_(1-x)Cd_xTe MIS器件电学特性的研究

MIS器件是研究窄禁带半导体材料碲镉汞(Hg_(1-x)Cd_xTe)体内及其界面特性的有效工具。我们主要对一种由双层介质组成的Hg_(1-x)Cd_xTe MIS器件的电学特性进行了研究。对Hg_(1-x)Cd_xTe材料表面作适当的物理化学处理之后,利用阳极氧化的方法,在Hg_(1-x)Cd_xTe衬底上生长一层阳极氧化层(厚约600～1200(?)),再利用蒸发或溅射方法在阳极氧化层上淀积一层介质ZnS(厚约1000～2000(?)),组成双层介质结构。而金属栅电极则通过蒸发金属     

绝缘体与Hg_(1-x)Cd_xTe界面特性

(Hg,Cd)Te光电器件的表面钝化工艺,特别是俘获电荷密度必须小于10~(11)cm~(-2)的长波光电二极管的有效钝化工艺,已探索了很长时间。这里存在两个难题:一是该材料对物理、化学处理的灵敏度问题,这将导致(Hg,Cd)Te表面化学配比发生变化和引起机械损伤;另一问题是它的热稳定性,这迫使我们进行低温钝化。很多资料证明,阳极化处理引起不能接受的高的固定电荷密度(～10~(12)cm~(-2)),这可能与半导体界面处发现的损伤层有关。本文简要介绍了这种或其他种类钝化剂的性质。     

Hg_(1-x)Cd_xTe红外探测器

富士通公司用独特的方法制成了均匀的单晶且成功地控制了载流子浓度并确定了器件工艺。这种器件不仅可医用,用于准确测量体温微小分布的高性能成象装置,而且可望用于工业,监视大气污染。     

Si_(1-x)Ge_x材料和双极型器件的进展

Ｓｉ１－ｘＧｅｘ材料具有许多优良的性质,高质量的应变外延层可以把能带工程的概念引入到Ⅳ族器件之中。外延Ｓｉ１－ｘＧｅｘ基区的异质结双极型晶体管（ＨＢＴ）获得了优良的性能,并且,其具有可以同硅工艺兼容的优点,把Ｓｉ１－ｘＧｅｘ同Ｓｉ集成的ＢｉＣＭＯＳ工艺取得了很大的发展,已经达到了工业应用的水平。Ｓｉ１－ｘＧｅｘ工艺的发展,电路速度的提高,也促进了微波集成电路的进步,提高了ＳｉＭＭＩＣ的应用频段。从目前的发展现状来看,已经达到了在射频（ＲＦ）通信中广泛应用的阶段。     

Hg_(1-x)Cd_xTe和Hg_(1-x)Zn_xTe的线性热膨胀系数

本文报道了有几种x值的Hg_(1-x)Cd_xTe(MCT)和Hg_(1-x)Zn_xTe(MZT)及其组成的二元化合物的热膨胀系数。膨胀系数的低温变化表明,与HgTe相比,MCT键参数变化很小,而对MZT,其键强度显著增加。     

Hg_(1-x)Cd_xTe的液相外延

本文介绍用平拉装置,在大气压力下,用富Te生长液,在面积达到2厘米×3厘米的CdTe衬底上,外延生长n型和p型Hg_(1-x)Cd_xTe晶体,能很好控制x值为0.2、0.3和0.4的Hg_(1-x)Cd_xTe晶体的生长,对其生长层的半导体特性进行了测量。     

弛豫型铁电陶瓷(1-x)Pb(Sc1/2Ta1/2)O3-xPbTiO3研究进展

钽钪酸铅陶瓷具有优良的介电、压电和铁电性能,但烧成温度高、居里点较低。为降低钽钪酸铅陶瓷的烧结温度并提高其居里点,人们合成了钽钪酸铅-钛酸铅(简称PSTT)材料体系。该文综述了弛豫型铁电陶瓷PSTT体系在相图与结构、制备和性能等方面的研究进展,探索了一种合成PSTT陶瓷新工艺,介绍了PSTT材料体系的重要应用领域。     

Hg_(1-x)Cd_xTe非线性光电导

利用连续运行的可调谐CO_2激光器,我们进行实验观察100K时N型Hg_(0.3)Cd_(0.2)Te带间跃迁的非线性光电导,着重研究了吸收系数、光激发非平衡载流子电子的浓度和复合寿命与光强的关系,分析指出,非线性光电导的产生可归结于动态Burstein-Moss效应和俄歇复合两过程.     

Hg_(1-x)Cd_xTe的铟扩散

早在Hg_(1-x)Cd_xTe器件的基本性能被充分了解之前,它们就已广泛地作为实际探测器使用。必须进一步研究的课题中有Hg_(1-x)Cd_xTe的缺陷结构和掺杂剂性能。在n型Hg_(1-x)Cd_xTe器件中常用锢形成蒸发欧姆接触。它也可如同对CdTe所作那样在生长时导入Hg_(1-x)Cd_xTe晶格以控制生成态晶体的电导率。资料〔4〕作者发现,铟是一种金属亚晶格替代式施主和快速扩散体。在器件加工和制备的低温退火循环时,接触中的铟就扩散进入晶格。形成了浓度梯度和     

Hg_(1-x)Cd_xTe 的单晶生长

采用一种新的晶体生长方法已得到体积为3厘米~3左右的Hg_(1-x)Cd_xTe单晶。文内探讨了这种新方法用于Hg_(1-x)Cd_xTe时的详细实验情况,并提出了单晶生长机理,它包括从双相混合物中结晶及随后的固体再结晶。根据电子束微探针分析以及电性能和磁光谱,证明材料质量很高。     

Hg_(1-x)Cd_xTe的红外光吸收

在温度为80至300K的范围内,测定了组分x值在“0.205≤x≤0.220”范围的Hg_(1-x)Cd_xTe接近其基本吸收限的光吸收。由干涉图形得到Hg_(1-x)Cd_xTe折射率的色散。实验发现,在“20≤α≤1000cm~(-1)”范围,吸收系数曲线尾部遵从修正的Urbach定律,并可表示为α=α_(?)exp[σ(E-E_(0))/(T T_(?))],参数α_(?)和E_(?)随x有规律地变化。可从上式得到吸收系数和作为x与T的函数的禁带宽度的温度系数。本文提供的实例表明:可把这些参数外推以计算上述组分范围以外的吸收。     

流体静压力下Hg_(1-x)Cd_xTe p-n结的伏安特性

在77K和室温下,研究了Hg_(1-x)Cd_xTe(x=0.5)p—n结伏安特性随流体静压力的变化,从中得到了禁带宽度E_g的压力系数。结果表明,在低压范围(01.4GPa),E_g～P关系明显偏离线性。实验还观察到,在正、反向小偏压区域,I—V特性随压力的变化呈现“反常”行为。