LATTICE DYNAMICS OF WURTZITE SEMICONDUCTORS GaN AND AlN

The lattice dynamics of wurtzite GaN and AlN is studied within the framework of a rigid-ion model. Short-range interactions up to the third nearest neighbors are described by using a valence-force-field potential and the long-range Coulomb interactions between ions are calculated via an Ewald summation. Phonon dispersion curves, density of states and specific heats are presented.     

GaN外延层中的缺陷对光学性质的影响

用金属有机化合物气相外延（ＭＯＶＥＰ）方法生长具有不同表面形貌的非掺杂ＧａＮ，并对部分样品的外延层表面进行镜面加工．用阴极射线发光、光散射和拉曼散射方法观察ＧａＮ中深能级发光、缺陷散射光分布和拉曼散射光频移．结果表明，缺陷不但影响ＧａＮ的发光和光散射，而且影响拉曼频移     

列阵的矩阵及其光学性质

用Fresnel衍射积分公式的方法得到了列阵单元中含有小光阑时列阵的矩阵,并且讨论了它的综合像差及其消综合像差的条件。同时分析了参考平面移动的条件,指出参考平面的移动必然伴随着光阑位置的移动。 关键词：     

NiAl的几何与电子结构

关键词：     

CdTe的能带与光学特性的研究

报道用正交化线性组合原子轨道(OLCAO)方法计算的CdTe的能带结构,结果与线性缀加平面波(LAPW),线性丸盒轨道-原子球近似(LMTO-ASA)以及非局域化经验赝势(NL-EPM)所得的结果相近。同时还叙述与CdTe的光学特性有关的一些物理量的计算结果,它们是介电函数虚部∈₂(ω),高频电导率虚部σ₁(ω)以及反射率谱R(ω)。 关键词：     

[Cu_2■_4(DMF_2)]·4DMF的EPR谱、磁性与电子结构研究

在室温、77K条件下,对簇合物的固态和溶液样品进行了 EPR谱的测定,获得三套谱图(Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ);其分别归属于簇合物中未配对电子的两种形式:(1)类似于自由的单铜离子的未配对电了(Ⅰ、Ⅱ两套谱).(2)双铜未配对电子偶合成的三重态(Ⅲ套谱).文中用双铜的三重态自旋哈密顿公式计算三重态EPR谱的参数.题目化合物(1)与双铜簇合物(2 )相比较,在配体结构上稍有不同(前者,甲苯胺中的甲基是连接于苯环的间位;而后者,甲基是连接于苯环的对位),由此引起一些磁性参数:有效磁矩μ_(eff)、磁交换相互作用参数J、相对的电子自旋浓度ρ和EPR谱的超精细结构(h.f.s)参数都有所不同.     

多孔炭粒的等效光学常数及辐射特性

基于等效光学常数的概念，分别采用MaxwellGarnet,Bruggeman理论分析了空隙率对炭粒等效光学常数的影响，并进而采用Bruggeman理论考察了内部孔隙均匀分布的球形炭颗粒的辐射特性，结果表明：大炭粒的吸收效率（发射率）因孔的存在而有显著的增强，小炭粒则反之。计算结果与物理分析相吻合。     

宽波段高优值声光晶体-PbBr2

用坩埚下降法沿[001]方向生长了长度为60mm、直径为25mm的溴化铅晶体,测定了其折射率主轴方位及其主折射率,测得该晶体的透过率范围复盖03μm～25μm的整个区域.     

离子注入硅的椭圆偏振光谱和光性

为了进一步发展测定离子注入损伤层的椭圆偏光法,我们测量了离子注入硅在4000—7000?波长范围内的椭圆偏振光谱,并由此得到它的色散关系。注入条件为150keV,10¹⁵cm^-2和10¹⁶cm^-2的砷离子注入。由于在硅样品表面处形成无定形层,我们用单层模型,从(ψ,Δ)-λ数据计算出(n,k)-λ关系,并可定出损伤层厚度。在～4800?处,出现折射率n的谱峰,峰值约4.9。本文还比较了离子注入损伤层、溅射无定形硅膜层、蒸发无定形硅膜层和单晶硅的实验结果。 关键词：     

分子束外延生长GaN薄膜中的一种早期位错结构

利用高分辨电子显微术，对在GaP基体上由分子束外延生长六角GaN晶体薄膜中的晶体缺陷结构进行了研究．实验中发现了GaN薄膜外延生长过程中产生的一种典型早期刃型位错结构．此晶体缺陷位于一大块GaN晶粒内部，其外观类似于一段（1120）晶界．它由一条（1120）高能孤立晶界段及其两端的两个1/6［1120］不完全刃型位错组成．从大晶格失配材料之间分子束外延生长的机理上对这种缺陷结构的形成进行了解释． 关键词：     

增量式轴角编码器的电子细分及零位处理

使用单片机对增量式光电轴角编码器产生的叠栅条纹信号进行计数和电子细分,便可将轴的机械转动模拟量转换成数字量;加上固定参考零位后,可使编码器具有"记忆"功能,因此对如何解决零位技术问题做了详细分析说明,并给出了实际解决方案.     

非线性电子输运中声学和光学声子的联合散射效应

本文简略地描述了一个处理恒定电场中非线性电子输运的新方法,并用它讨论强场中声学和光学声子的联合散射效应。我们发现,虽然当光学声子散射能力较强时有可能在电流-电场曲线中出现一段比较平坦的区域,原来只考虑光学声子散射时在高场下的电流饱和现象现在却消失了。对足够高的电流密度,声学声子总是重要的。 关键词：     

金属包裹纳米微粒的光学特性研究(英文)

金属包裹纳米粒子是一种纳米量级的介质球核外包裹薄金属层的纳米粒子.在本文中,Au包裹Au₂S纳米粒子被抽象成微型电磁谐振腔,其谐振波长决定于Au₂S介质球核的半径.运用经典电磁理论可以得到谐振波长和谐振能量.由于Au包层很薄(2nm),这种微型谐振腔的耦合方式是有别于传统方式的透射耦合,因此Au包层的厚度决定了谐振的能量以及谐振腔品质因子Q.此外,本文还讨论了吸收峰的线宽.     

生长在Si(001)衬底上应变合金层GexSi1-x的光学性质

采用经验的紧束缚方法对生长在Si(001)衬底上的应变合金Ge_xSi_1-x的光学常数进行了计算。应变对电子能带结构的影响,通过紧束缚参数随键角方向余弦的变化以及键长按经验的标度定则的变化而进行计算。其中标度指数根据对Ge和Si的畸变势常数的实验值进行拟合而确定。计算介电常数虚部时出现的动量矩阵元,根据对Ge和Si的介电常数虚部的实验曲线拟合而决定。列出了当x=0.2和1时的光学常数——介电常数虚部ε₂、折射率n、吸收系数α和反射率R的计算结     

贵金属Ag中光学和磁光性质的研究实验

关键词：     

注入Si中的稀土离子Er3+的光学特性

用离子注入方法,将稀土离子Er3+注入到n-Si单晶中,通过对其低温(77K)光致发光光谱的测量,研究其光学特性.结果表明,注入剂量控制在1×1012cm-2～1×1015cm-2范围,退火温度控制在900℃～1100℃时,样品的主要发光峰值位于1.54μm左右.研究了样品的光致发光光谱随注入剂量、退火温度的变化关系,给出峰值在1.54μm附近的未分辨开的谱线的半宽为16.4meV.     

薄膜的光学特性分析

通过CAD,对高反膜、增透膜和干涉滤光片的光学特性进行了研究和分析,指出设计和使用中应注意的问题.     

红光InAlAs量子点的结构和光学性质

利用ＭＢＥ方法在（００１）衬底上成功地生长密度大、尺寸小、发红光的ＩｎＡｌＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子点结构。通过原子力显微镜观察表明,ＩｎＡｌＡｓ量子的密度和大小都随覆盖厚度的增加而增大;发现Ａｌ原子的表面迁移率决定ＩｎＡｌＡｓ量子点的形貌,光荧光谱证实了量子点的发光峰值在红光范围,并结合形貌的统计得到了量子点的发光峰展宽主要昌受量子点的横向尺寸影响。