CMOS图像传感器赶超CCD图像传感器

比较了CMOS图像传感器与CCD图像传感器的优缺点，分析了CMOS图像传感器的结构、研制现状、应用及市场前景。提出了随着CMOS图像传感器技术的发展，CMOS图像传感器可以代替CCD图像传感器，并对其发展趋势作了预见。     

多CCD图像传感器同步电路

针对多CCD探测系统的应用,从分立元件电路集成电路两个角度介绍了多CCD图像传感器同步电路。     

高分辨率CCD图像传感器及CCD摄像机的性能评价

本文研究了ＣＣＤ图像传感器及ＣＣＤ摄像机的性能及测试方法,重点探讨了高分辨率ＣＣＤ摄像机的成像特点。论述了高分辨率ＣＣＤ图像传感器和高分辨率ＣＣＤ摄像机的性能。这些性能与当前厂商提供的商用ＣＣＤ摄像机有许多不同之处,评价高分辨率ＣＣＤ图像传感器的性能主要有灵敏度、动态范围、分辨率和拖影。评价高分辨率ＣＣＤ摄像机性能有灵敏度、最小照度、分辨率和光学格式等,给出了高分辨ＣＣＤ摄像机的性能评价实例,简述     

CCD图像传感器的市场与发展

随着微电子技术的发展,ＣＣＤ图像传感器的产量不断增加,应用领域不断扩展。本文对ＣＣＤ图像传感器的市场情况进行了分析与预测。对影响ＣＣＤ传感器市场未来发展具有重要作用的数字照像机的市场情况作了专门的介绍,并在充分描述了ＣＣＤ图像传感器市场情况的基础上,对目前国内外ＣＣＤ图像传感器的发展趋势作了初步探索。     

CMOS图像传感器奋力冲击CCD市场

目前,各种成像系统一般采用的是CCD图像传感器技术,然而,CCD图像传感器有如下缺点:(1)驱动电路和信号处理电路难与CCD成像阵列单片集成,图像系统为多芯片系统;(2)为了获得信号的完整性,在像元问信号需要进行完美的转移,随着阵列尺寸的增加,电荷转移要求更加严格准确;(3)时钟脉冲复杂,需要相对高的工作电压,不能     

CCD,CMOS图像传感器的特点和比较

１．概述ＣＣＤ（电容耦合器件）和ＣＭＯＳ传感器技术现在已经广泛应用于商用和安全保卫系统中的数字照相机、机器人视觉系统、视频游戏机、条形码扫描仪、传真机、照相机和摄像机的成像装置上及作为天文学、光谱学和结晶学研究中胶片照相的替代方法。而且还不断在交通辨...     

CCD与CMOS图像传感器特点比较

简要介绍了CCD(电荷耦合器件)与CMOS图像传感器的结构,并对二者的性能特点进行了比较,指出二者在未来的发展中不会出现谁消灭谁的结局.     

线型CCD固态图像传感器

近几年，随着家用传真机的日益普及，线型图像传感器的需求增大，线型传感器还广泛应用于复印机、电子黑板、图像扫描器等办公自动化设备，以及条形码读出器、单目反射照相机用自动聚焦等电子仪器。采用了HAD的线型CCD具有高灵敏度、高清晰度、低暗电流、低余象等特性。     

CCD输出二极管反向漏电机理的研究

分析了CCD输出二极管反向漏电的机理,认为有三个途径造成CCD反向漏电：n^ 区通过SiO2漏电,n^ 区通过Si-SiO2表面漏电以及体内漏电。提出了解决漏电问题的方法,即控制好氧化、扩散、离子注入、光刻以及退火等工艺。     

CCD与CMOS图像传感器探测性能比较

CCD与CMOS图像传感器由于结构和制造过程的不同而存在各自的优势与劣势.文章从结构与技术差异的角度,对二者的探测性能进行了比较,并展望了发展前景.     

512×512元PtSi肖特基势垒IR CCD图像传感器

研制了隔行扫描单片式内线转移结构512×512元PtSi肖特基势垒红外电荷耦合器件(CCD)。器件采用最小2μm设计规则,两层多晶硅结构。器件的像元尺寸为36μm(H)×34μm(V),填充系数为40％。器件工作在80K温度下。在阵列帧频为30帧每秒及镜头为 F/1条件下,器件噪声等效温差为0.15K。用1000K黑体测得其探测率D~*为1×10~(10)cm·Hz~(1/2)/W。对器件设计及性能测试结果进行了介绍。     

耐压强度试验中漏电流的测试方法

通过对耐压强度试验在设备出厂前检验的必要性进行分析,论述了该检测的测试原理及方法,介绍了测试过程中耐压测试仪漏电流的设定限值,保证了电子设备的安全性。     

CCD图像传感器划片工艺优化

针对某型CCD图像传感器划片过程中产生的静电损伤、崩边等缺陷造成器件失效,通过优化划片工艺条件,避免了静电损伤,减少了崩边缺陷,封装的成品率由48％提高至96％.     

1024×1024元帧转移纵向抗晕CCD图像传感器

帧转移电荷耦合器件(FTCCD)主要应用于可见光信号探测,其在强光应用场合容易出现光晕现象。针对该问题,研制了帧转移纵向抗晕CCD图像传感器,该器件阵列规模为1 024×1 024元,像素尺寸为12μm×12μm。为了实现纵向抗晕功能,采用了n型埋沟-鞍形p阱-n型衬底结构,纵向抗晕倍数为200倍,器件满阱电子数为大于等于200 ke^-,读出噪声小于等于80 e^-,动态范围大于等于2 000∶1。     

CMOS图像传感器研究

结合CMOS图像传感感器的研究背景,从5个方面对CMOS图像传感器与CCD图像传感器的优缺点进行了比较,重点分析了CMOS图像传感器的结构、工作原理以及影响传感器性能的主要因素,并给出了相应的解决方法。最后,预测CMOS图像传感器的技术发展趋势。     

CCD图像传感器拖尾的研究

对帧转移型CCD的结构进行分析，研究了造成垂直拖尾的原因，找到解决问题的方法。在摄像机系统中运用数字处理技术，实时地降低了垂直拖尾对图像的影响。     

星载CCD相机图像采集电路设计与实现

以DALSA公司的CCD传感器FTT1010M为核心,设计并实现了一种星载CCD相机图像采集电路,详细介绍了图像传感器FTT1010M的特性、工作模式、工作时序,并阐述了其模拟驱动电路、时序电路、电源转换电路等图像采集电路的设计与实现。经过实际项目验证,设计的采集电路能够满足各项技术要求,具有较高的实用价值。