快闪存储器前途无量

一、全球快闪存储器市场 正当全球半导体市场面临货源短缺而厂商将发展的关注焦点集中到动态存储器上时,快闪存储器(Flash memory)也面临了市场需求殷切所产生短缺的问题。但由于快闪存储器的产品发展技术与特性都与动态存储器有相当大的差异,因此在市场竞争厂商不多的状况下,所引起的关注也就不像动态存储器那样引人注目。     

多电平快闪存储器技术及其未来发展

多电平单元（MLC）快闪存储器是一种新兴的闪存技术,单元面积小,制造成本低,虽然MLC的多项指标都落后于单电平单元（SLC）快闪存储器,但是MLC在架构上取胜于SLC,很多厂商目前都对MLC做了很多的优化和开发,对于MLC传输速度和读写次数的问题已经有了相当多的解决方法,其多项性能逐步可以和SLC芯片相比拟,而且会节省相当多的成本。本文对多电平快闪存储器的单元结构、基本操作、可靠性问题及未来的发展作了详细介绍。     

快闪存储器独显风采

美国著名市场调研公司ＩＤＣ认为，在各种存储器中今后增长速度最快的是快闪存储器，预计从１９９６年到２００１年的年均增长率为２２１％，而整体存储器的年均增长率不过１５８％。１９９６年快闪存储器市场规模达２６亿多美元，超过ｍａｓｋＲＯＭ（掩模只读存储器...     

数字相机的快闪存储器

数字相机在最初进入市场时,通常都带有内置存储器,可让用户每次拍摄大约三十张照片。当相机的存储器满载时,则必须先将照片影像传送到电脑中,才能拍摄更多的影像。设计者也知道这种做法对于使用者而言限制太多,而便携式的存储器似乎正是显而易见的解决方案。但是这个主意也有些问题。传统的磁盘体积过大,而且需要使用较大功率的电源来传输数据,这有耗尽数字相机电池的潜在危机。所以数字相机的竞赛就在于开发一种全新的存储系统。一、快闪存储器简介标准的磁盘将数据以电磁形式来进行储存。而为了完成储存,必须让磁盘内部高速转动。这需要大…     

快闪存储器前景

在存储器领域中,80年代末期由美国Intel公司率先研制推出的快闪存储器(FlashRAM)以其优异性能令商家耳目一新,由此推动快闪存储器在移动通信、个人电脑及网络设备等领域获得广泛应用,现正逐年取代EPROM、EEPROM以及PC机的BIOS芯片,成为与DRAM     

快闪存储器标准化研究

围绕快闪存储器(闪存)产品和测试方法的标准化,介绍了国外和国内的闪存标准,并对标准的核心技术要素、适用范围及国内外标准差异等进行了研究,最后对闪存相关标准化工作的未来发展进行展望。     

一种用于3D NAND存储器的高压生成电路

设计了一种应用于3D NAND 存储器的高压生成电路,包括振荡器、时钟生成电路、新型电荷泵及反馈环路。与传统的电荷泵相比,新型电荷泵消除了阈值电压损失与衬底偏置效应,提高了升压效率。通过控制时钟的电压幅度来调节输出电压,减小了输出电压纹波。电路在0.32 μm CMOS工艺模型下进行了仿真验证。结果表明,在3.3 V工作电压下,该电路稳定输出15 V的高压,上升时间为3.4 μs,纹波大小为82 mV,最大升压效率可达到76%。该高压生成电路在各项性能指标之间取得了平衡,其突出的综合性能能满足3D NAND存储器的工作需求。     

高压跳火的机理及改进措施

高压跳火问题一直困扰着彩色显像管制造业,高压不良直接影响着彩管的可靠性.本文从高压跳火的机理出发,推导出彩管的高压跳火原理,然后对跳火问题的改进方法提出建议,采取措施,预防发生.     

Low Voltage Flash Memory Cells Using SiGe Quantum Dots for Enhancing F-N Tunneling

提出了一种用于半导体闪速存储器单元的新的Si/SiGe量子点/隧穿氧化层/多晶硅栅多层结构,该结构可以实现增强F-N隧穿的编程和擦除机制.模拟结果表明该结构具有高速和高可靠性的优点.测试结果表明该结构的工作电压比传统NAND结构的存储器单元降低了4V.采用该结构能够实现高速、低功耗和高可靠性的半导体闪速存储器.     

基于SiGe量子点实现增强F-N隧穿的低压闪速存储器

提出了一种用于半导体闪速存储器单元的新的Si/SiGe量子点/隧穿氧化层/多晶硅栅多层结构,该结构可以实现增强F-N隧穿的编程和擦除机制.模拟结果表明该结构具有高速和高可靠性的优点.测试结果表明该结构的工作电压比传统NAND结构的存储器单元降低了4V.采用该结构能够实现高速、低功耗和高可靠性的半导体闪速存储器.     

阈值电压对超深亚微米SRAM存储单元SNM的影响

采用基于物理模型的 α指数 MOSFET模型 ,对超深亚微米 (VDSM:Very Deep Submicron) SRAM存储单元的静态噪声容限 (SNM:Static Noise Margin)进行了解析分析 ,分析中考虑了随机工艺涨落造成的VDSM SRAM存储单元阈值失配对 SNM的影响 ,结果与 HSPICE仿真相符 ;文中同时分析了栅宽与 SNM的关系 ,其结论与实验结果一致 ,并给出了 VDSM SRAM存储单元设计中应注意的问题     

NAND Flash存储的坏块管理方法

针对NAND Flash海量存储时对数据可靠性的要求,提出了一种基于在FPGA内部建立RAM存储有效块地址的坏块管理方法。在海量数据存储系统中,通过调用检测有效块地址函数确定下一个有效块地址并存入建好的寄存器中,对NANDFlash进行操作时,不断更新和读取寄存器的内容,这样就可以实现坏块的管理。实验证明,本方法可以大大减小所需寄存器的大小并节省了FPGA资源,经过对坏块的管理,可以使数据存储的可靠性有很大的提升。     

一种基于闪存物理镜像的FAT文件系统重组方法

文件系统重组是闪存设备取证研究进行数据恢复的主要手段.传统的文件系统重组方法需要同时获取闪存设备在同一时刻的逻辑镜像和物理镜像,该条件在取证实践中常常难以满足,故提出一种仅依赖闪存物理镜像重组文件分配表(FAT)文件系统的方法.在引入统计分析法从物理镜像中提取逻辑地址字段和页状态字段的基础上,给出利用最新页状态值准确重组闪存设备最新FAT文件系统镜像的算法.最后以MTK6229闪存设备物理镜像的FAT文件系统重组过程为例,验证上述重组算法及相关方法是正确的.     

单片机系统中的Flash存储器及其数据管理方法

本文讨论了Flash存储器在单片机系统中的硬件接口方式和软件编程过程、大容量数据的组织管理方式以及为提高系统性能而采用的数据缓冲技术.并以W29C040为例,给出了实际原理图和有关实现.     

适用于FlashMemory的快速响应的低压差稳压器

提出一种适用于flash memory的无片外电容的低压差稳压器设计．利用米勒补偿和自适应基准技术获取高稳定性和增强的瞬态．该低压差稳压器利用片内小电容作为频率补偿的同时还通过它的耦合效应形成高速反馈环路以获得快速的瞬态响应．该电路在低负载情况下具有很低的静态电流和在高负载情况下的高电流效率．提出的稳压器采用90nm工艺,在1．45V到3．8V操作电压范围内,输出1．3V的调制电压和10mA的最大输出电流．对于Flash Memory应用来说,当负载瞬态变化时,提出的低压差稳压器的建立时间仅仅为20 ns ．芯片面积是40μm*280μm ．