用低能离子溅射剥层和高能离子背散射组合方法进行薄膜原位分析

介绍了将离子枪组合于卢瑟福背散射分析靶室中构成Ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ／ＲＢＳ原位分析实验装置,用低能离子溅射剥层与高能离子背散射组合对薄膜样品进行成分和深埋层分析方法．给出了对样品分析的三个例子．对Ａｕ／Ｓｉ样品的分析着重讨论了Ａｕ在Ａｒ＋溅射剥层时的溅射速率;对Ｓｉ／Ｇｅ Ｓｉ／Ｓｉ和ＷＳｉｘ／ＳｉＯ２／Ｓｉ样品的深埋层分析,提高了样品分析的深度分辨率．讨论了这一Ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ／ＲＢＳ组合分析方法的优缺点和在薄膜材料研究中可能的应用 关键词：     

背散射技术用于表面微分析

引言用离子加速器的离子束进行物质分析是近十年发展起来的有效的实验方法．它包括背散射、质子荧光分析和核反应三种方法．这些方法各有特点,互相补充［１］,背散射用来分析样品表面下组成的变化或着杂质的深度分布特别合适．其主要优点是简便、直观、定量、可靠,对样品无损伤．与其它方法相比,既不需要对样品进行麻烦的剥层处理（例如离子溅射、化学腐蚀或研磨等）,也不需霎依赖“标样”．使用ｌ－２兆电子伏的４Ｈｅ离?...     

背散射方法研究金属中注入轻离子分布

用能量为MeV量级的α粒子背散射方法测定了大剂量N⁺ (5×10¹⁷ atom/cm²,100keV)注入铁膜(厚约4000?)及铁块(工业纯)的注入离子的浓度-深度分布。由于大剂量杂质的注入,使基体背散射谱出现“凹坑”,提出了一种利用“凹坑”计算杂质分布的方法。 关键词：     

半导体材料的检验方法

引言制造晶体管等半导体器件时,对半导体材料的导电类型、电阻率数值、少数截流子寿命、位错密度等参数有一定的要求,不同的器件,其要求也不相同。目前,锗、硅单晶主要是通过有坩埚拉制法或无坩埚区熔法而制得的。但制得的材料是否符合制备器件的要求还必须经过测试鉴定。对材料电阻率的测量、非平衡少数载流子寿命的测量和位错密度的测量是材料鉴定中最重要、最基本的工作。本文试图介绍一下目前在工艺上对这些参数的几种常用测试方法。     

混合模拟方法模拟电子在固体表面的背散射

将电子输运的直接模拟方法和压缩历史方法相结合,建立能量为50 eV~1 GeV范围的电子在介质中输运的混合模拟蒙特卡罗方法.通过调整散射角参数和损失能量参数控制单次碰撞发生的次数,输运过程中单次碰撞采用直接模拟,在两次直接碰撞之间使用压缩历史方法模拟发生的多次小碰撞过程.利用该方法模拟电子在固体表面的背散射过程,探讨不同计算参数对计算效率和结果的影响,计算不同能量电子在固体表面的背散射系数和出射电子能量分布,计算结果与实验数据符合较好.     

用高分辨率沟道背散射谱仪研究硅的低能氮离子氮化

用高分辨率沟道背散射技术研究了低能N离子注入单晶硅形成氮化硅的过程。测出了N和位移Si原子的深度分布。提出在N离子注入时同时存在着三个过程——注入、溅射和释放。由此建立了一个微分方程描写样品中剩余N的浓度变化,并讨论了氮化硅形成机制。 关键词：     

半导体闪络引起的材料表面破坏现象研究

长期以来,沿半导体表面的闪络现象使得很多高功率半导体器件只能工作在相对较低的电场下,限制了它们的发展,而目前对半导体闪络的物理机理尚不明确.开展了冲击高压下Si及GaAs半导体的表面闪络实验,通过红外摄影观察到闪络过程中半导体表面存在的细丝状电流通道,且发现电极中央区域会出现明显红外辐射集中点.在闪络后的材料表面可以观察到细丝状破坏现象,其中在破坏后的n100型Si材料表面的细丝通道周围发现了凹坑形结构,凹坑中心存在圆锥状突起.结合电极边缘细丝状的破坏现象,讨论了电极边缘的热注入和内部多数载流子的弛豫特性 关键词： 半导体 表面闪络 细丝电流 表面破坏     

用四探针方法测量不同温度下半导体材料的电导率

一、引言用四探针方法测量半导体材料的电导率,通常都是在常温下进行。为了扩大四探针方法的应用范围,我们设计了一种简单装置,对四探针头进行了改进,使被测样品所处的温度能够改变,通过测量不同温度下半导体材料的电导率,来研究半导体材料的导电机构。近年来,我们把这一实验纳入近代物理实验中,既有助于学生了解半导体中载流子的输运过程,又有相当的实验训练价值。     

一种用表面增强拉曼光谱进行免疫检测的方法

一种结合表面增强拉曼(SERS)技术和纳米粒子标记技术,通过银增强来实现免疫检测的方法。将p-巯基苯甲酸(MBA)作为探针,固定在免疫金溶胶粒子表面形成纳米标记,其与被基底捕获抗原分子发生免疫识别。通过银增强技术,在"三明治"结构对探针进行拉曼检测。     

脉冲激光辐照下半导体材料表面的温度特性

本文分析了在纳秒与皮秒级脉冲激光辐照下的半导体材料表面温度上升的机理。研究了通过测量材料表面蒸发原子的飞行时间来确定热表面点阵温度的原理和试验方法,它对于研究激光束与半导体材料相互作用的机理是至关重要的。     

半导体材料光学分析的进展

本文评论了研究半导体材料特性的光学技术的新进展。由于发光对检测杂质和不完整性具有独特的灵敏度,特别对目前最了解的GaAs与GaP化合物更是如此,所以介绍着重在发光方面。讨论的例子包括光学测定机械应力、位错效应、掺杂不均匀性和补偿率、载流子弛予和电子漂移迁移率、以及能量传递过程。     

用卢瑟福背散射方法研究陨石中的超重核块

用卢瑟福背散射方法研究了不同陨石中的超重核块.实验结果表明,在这些陨石中,具有Z≈100,A≈1000的超重核块的相对浓度上限为2ppm.