北京正负电子对撞机综述

本文简单地介绍了北京正负电子对撞机的建造及初步调束情况。     

以低温热为热源的再沸器(火用)经济优化与传热强化

精馏塔再沸器是炼油、化工、轻工等行业中非常重要的换热设备,这种再沸器的优化和传热强化对热能的优化利用具有重要意义.本文运用经济学方法和传热强化技术,对以低温热为热源的再沸器进行优化设计,建立了同时考虑传热损、流动损和传热强化的再沸器经济优化目标函数和约束条件.并给出了应用实例.     

正电子迁移率的测量

综述了半导体在金刚石中的正电子迁移率的６种不同测量方法（角关联方法，多普勒方法，寿命谱方法，注入剖面法，扩散常数法和慢正电子法），给出了自１９５７年以来国内外的所有测量数据，并对数据进行了综合分析。     

慢正电子束产生实验

本文介绍一台慢正电子束装置。在该装置上我们用W慢化体产生慢正电子,测量了慢正电子能谱,并和在该装置上用Ni+Mgo慢化体所得结果进行了比较。 关键词：     

POSITRON STUDY OF DEFECTS IN TiNi ALLOYS

A number of TiNi samples with different compositions and states were measured by positron annihilation technique. And microdefects and the influence of them on shape memory effect were analyzed, giving some valuable information for the study of technological processes of preparing TiNi functional shape memory devices.     

一种不含自由参数的正电子吸收势

在准自由电子气模型的基础上得到一种不含自由参数的正电子吸收势，把它作为光学势的虚部，计算了能量在最小非弹性阀值到１００ｅＶ范围内正电子被Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ原子散射的总截面和能量为２００ｅＶ和３００ｅＶ时的散射微分截面，计算结果与实验进行了比较。     

慢正电子束技术的应用与发展

本文介绍了慢正电子束技术和最新发展,慢正电子束作为探针的基本特性,以及在多种学科中的应用等。     

MgB2超导体的正电子湮没研究

本文利用正电子湮没技术（PAT）对不同密度的MgB2样品分别进行了测定，结果发现正电子在MgB2中自由态的湮没时间（本征寿命τ1）和在捕获态的湮没时间（缺陷寿命τ2）比其他高温超导体都明显要高，这反映了MgB2的体电子浓度相对于其它超导体要低，可能归因于MgB2超导材料本身的晶体结构和化学组成，MgB2超导材料的正电子寿命不仅与晶体的结构缺陷，而且与样品的密度或孔隙度有关．     

正电子放射层析成象系统设计的计算机模拟

在一个简单实用的数学模型基础上,利用现代计算机技术对正电子放射层析成象系统(PET)进行了模拟,并详细讨论了闪烁晶体材料的物理、几何特性以及探测器环直径的大小对于PET系统的空间分辨率的影响.本文所得的结论对于开发和设计PET系统来说,是非常有用的.     

用正电子湮没技术研究形变铁的恢复

本文介绍应用正电子湮没寿命和多普勒加宽方法研究60％形变铁等时退火各阶段中缺陷的恢复行为,实验结果说明正电子湮没平均寿命τ及多普勒加宽的S参数都是退火温度的函数,完整晶体中湮没寿命τ_f=111±lPS,缺陷中湮没寿命τ_d=162±lps,本文还根据捕获模型计算了正电子的捕获速率及τ₁,结果证明与理论预期的完全一致,经计算得出捕获正电于的相对缺陷浓度的范围为10^-7-10^-4数量级。 关键词：     

铝中单空位正电子态的完全自洽计算

从第一性原理和两分量密度泛函理论出发,应用离散变分法和嵌入集团模型,计算了铝中单空位的正电子态。分析了外部晶格势场、集团大小和芯冻结近似对固体中正电子分布、正电子湮没特性的影响。同时讨论了完全自洽方法和简单方法对固体中正电子态计算的影响。 关键词：     

用正电子湮没方法研究快离子导体

本文用正电子湮没方法研究了作为快离子导体的LiF-LiCl-B₂O₃,LiF-B₂O₃新体系。发现正电子湮没的中间成分的强度I₂与材料的电导率logσ之间有直线关系。配合湮没线形参数的测定结果,表明在微晶态三元体系LiF-LiCl-B₂O₃中,微晶与网络之间的晶界空位为锂离子传导提供了更多的导电通道,致使这类材料具有更好的导电性。 关键词：     

铝中氢-空位复合体的正电子湮没特性

本文从第一性原理出发,应用离散变分法、嵌入集团模型和三维数值弛豫技术计算了铝中一氢-空位复合体和多氢-空位复合体的正电子湮没特性,讨论了氢在铝单空位中可能的占据位置,表明正电子湮没技术是研究固体中缺陷的微观结构的有力工具。 关键词：     

正电子湮没时间信号模拟发生器——观测脉冲复合、反复合及全复合过程的实验电路

介绍研制的一种模拟正电子湮没事件起始和终止信号的信号发生器,可用于正电子湮没寿命谱仪的调整及相关内容的近代物理实验教学。     

MgB2超导体的正电子湮没研究

本文利用正电子湮没技术(PAT)对不同密度的MgB2样品分别进行了测定,结果发现正电子在MgB2中自由态的湮没时间(本征寿命τ1)和在捕获态的湮没时间(缺陷寿命τ2)比其他高温超导体都明显要高,这反映了MgB2的体电子浓度相对于其它超导体要低,可能归因于MgB2超导材料本身的晶体结构和化学组成,MgB2超导材料的正电子寿命不仅与晶体的结构缺陷,而且与样品的密度或孔隙度有关.     

Fe-Ni合金马氏体相变缺陷的正电子湮没研究

本文中用正电子湮没技术研究了Fe-Ni系合金的马氏体相变。实验结果表明,含镍量28.22—31.30wt％的六种退火态合金,正相变后,产生了大量的缺陷,使正电子湮没平均寿命及多普勒加宽线型参数S值分别约增加30％和20％。对28.93wt％Ni和31.30wt％Ni两种马氏体亚结构不同的合金,观测了正电子湮没参数与处理温度之间的关系,发现:缺陷主要产生在爆发马氏体形成阶段;在等时退火曲线上形成两个明显的台阶,是由于空位和位错恢复引起的。 关键词：     

等离子体喷涂层的正电子湮没研究

本文用正电子湮没技术对等离子体喷涂铜基合金压缩形变的微观缺陷进行了测量。对等离子体喷涂合金，随着压缩量的增加，正电子寿命变短，这一现象与常规合金中观察到的情况相反。     

正电子在铝中湮没γ射线能量的精密测量

用Ge(Li)探测器测量正电子在两种不同来源的铝样品中的湮没辐射,以¹⁸¹Hf的482keVγ,峰做为基准,重复测定湮没峰与基准峰的相对位置,精密度达到±6eV。结果表明,在两种铝样品中的电子静止质量在10eV水平上是一致的。 关键词：     

La1-xCaxMnO3化合物正电子湮没研究

本文对不同Ca含量的La1-xCaxMnO3一系列样品（其中0.05≤x≤0.8）在室温下进行了正电子寿命谱和多普勒展宽谱的测量。结果表明：对应多出现巨磁阻效应的Ca成分范围（0.3≤x≤0.5），正电子的平均寿命τm和多普勒谱S参数随Ca含量的增加而降低，说明在这一成分范围电子局域化程度增强，具有CMR效应的样品La0.7Ca0.3MnO3正电子参数在Tc附近出现与晶格结构不稳定有关的反常变化，反映出电子结构与CMR效应间的关联。     

正电子湮没技术在金属和合金研究中的应用进展

评述了正电子没技术（ＰＡＴ）在金属和合金研究中如下几个领域的应用进展：（１）金属间化合物空位形成的焓的测定;（２）淬火、辐照、形变及充氢等引起的缺陷及回复过程;（３）金属和合金的相变;（４）非晶、准晶及纳米晶的研究;（５）ＰＡＴ作为材料无损检测新技术的研究。