低温共烧陶瓷埋置电感和电容的研究

讨论了低温共烧陶瓷(LTCC)埋置电感、电容的几何结构,并进行仿真,分析了结构变化对电感性能的影响,并进行实验制作,通过测试样品以验证仿真结果。仿真结果中找到的规律有效的节省了器件设计的时间,为等效模型的提取和元件库的建立奠定了一定的基础。     

大尺寸LTCC焊接组件热变形特性的仿真研究

为了研究不同封装条件对低温共烧陶瓷(LTCC)基板封装焊接后残余热应力的影响,该文针对不同温变载荷下LTCC基板的热应力变形进行了仿真计算和实验测试,结果显示仿真计算与实验测试结果具有较好的一致性,验证了数值仿真用于LTCC基板封装焊接后残余热应力仿真的可行性。在此基础上对零膨胀合金底板和硅铝合金封装条件下3种典型工作温度对应的LTCC基板的热应力进行了仿真计算。结果表明,封装焊接后LTCC基板两侧边缘应力集中,中间残余应力小,呈翘曲状态,采用硅铝合金封装焊接的热应力小于零膨胀合金封装。     

基于LTCC技术的北斗带通滤波器的研究与设计

设计了一款应用于北斗导航系统的带通滤波器。该滤波器采用新型阶跃阻抗谐振器(SIR)结构,通过在谐振器间引入交叉反馈产生传输零点,能够有效地对GSM和WIFI频段形成抑制。使用Ansoft HFSS软件仿真并运用低温共烧陶瓷(LTCC)技术生产滤波器,样品的实际测试结果与仿真结果吻合较好。滤波器中心频率为1 561 MHz,带宽为250 MHz,通带内插入损耗小于2.5 d B,带外抑制在GSM的900 MHz频段大于50 d B,在GSM的1 800 MHz频段大于30 d B,在WIFI频段优于30 d B。设计出的滤波器结构紧凑,尺寸仅为4.5 mm×3.2 mm×1.6 mm。     

多层介质中通孔结构准静态电容参数的提取

本文采用维数缩减技术(DRT)提取了多层介质中通孔结构的准静态电容参数。由于该方法充分利用了集成电路结构分层性的特点,从而可以很方便地处理任意的介质层数和结构参数,而仅需很少的计算时间和内存.文中的计算结果与Ansoft软件结果符合较好。     

微波LTCC内埋置电感设计与参数提取

采用单π拓扑结构建立LTCC内埋置电感等效电路模型,并利用此模型来提取有效参数及各种寄生参数;采用相对介电常数为7.8、介质损耗为0.0015的微波陶瓷材料,以及银作为内电极,设计出400 MHz频率下大小为6.6 nH的LTCC内埋置螺旋电感,自谐振频率达2.2 GHz,最大Q值为50.2.     

环氧/BaTiO3复合物埋入电容膜和电容膏

概述了环氧/BaTiO3复合物埋入电容膜和电容膏的开发,它们适用于PCB之类的有机基材内制造具有高介质常数和低误差的埋入电容.     

LTCC单膜层内置腔制造技术

LTCC单膜层内置腔在电容式传感器、微流系统等领域有重要应用,是3D-LTCC在微系统领域应用的典型结构类型。首先论述了目前实现内置腔制造的主流技术——牺牲层技术,并结合实验点明了该技术的关键难点。之后,提出了一种LTCC内置腔制造的新方法,并结合实验验证了该方法的可行性。新方法比牺牲层方法简便,更适合于高平整度腔膜层内置腔结构制造。     

埋入电容基板技术

概述了埋入电容树脂基板的高频特性和埋入电容树脂基板的制造例,可以获得20PF/mm~2的电容密度。与表面安装部件相比,埋入电容具有优良的电性能和安装占有面积小的优越性。     

LTCC中埋置大功率芯片散热的三维有限元分析

采用有限元软件ANSYS建立了一种适用于特定需求的低温共烧陶瓷基板(LTCC)中埋置大功率芯片微波组件的三维热模型,在主要考虑传导和对流散热的情况下,对三维模型进行了温度分布和散热情况的模拟分析.考察了结构中主要材料如冷板、灌封胶等对散热的影响,并定量分析了空气强迫对流系数对整体最大结温的影响.研究结果表明:增加冷板面...     

一种内埋式电容器用钛酸钡/环氧复合材料的研制

基于钛酸钡和丁腈橡胶的高介电常数特性,研制了一种可用于内埋式电容器的钛酸钡/环氧复合材料.以丁腈橡胶作为添加剂,用共混法制备钛酸钡/环氧复合材料,探讨了钛酸钡和丁腈橡胶含量对复合材料介电常数、介电损耗因子、体积电阻率及击穿电压等介电性能的影响.实验结果表明,丁腈橡胶可以提高钛酸钡/环氧复合材料的介电常数.在钛酸钡体积分数为40%时,通过添加15%的丁腈橡胶,复合材料的介电常数可从25提高到41,体积电阻率达1011Ω·m,击穿电压达8 kV/mm,而介电损耗因子仍小于0.02.为工业化低成本生产内埋式电容器材料提供了一种新的方法.     

基于Maxwell模型的树脂系基板中埋置电容研究

采用Maxwell模型描述树脂系基板中埋置电容的黏弹性变形行为,获得了埋置电容及阻焊膜的Maxwell模型本构方程。对埋置式基板进行了有限元仿真,重点分析了其中的埋置电容在加速温度循环条件下的热机械变形,得出埋置电容变形分布是从其两侧边角位置向内变形量逐渐增大,中间两侧边缘处变形最大,研究了热机械变形对埋置电容的电容量的影响,在此基础上针对典型滤波电路分析了电容量变化对电路可靠性的影响。结果表明,Maxwell模型可以合理描述埋置电容的变形行为并可用于分析系统封装中黏弹性材料可靠性及为埋置无源器件电性能分析提供了参考。     

LTCC在SiP中的应用与发展

SiP是实现先进电子设备小型化、多功能化和高可靠性的有效途径。SiP的组装和封装载体是基板。LTCC通过采用更小的通孔直径、更细的线宽/线间距和更多的布线层数能实现SiP复杂系统大容量的布线。通过采用空腔结构可以优化系统元器件的组装,提高散热能力。利用埋置无源元件,可以减少SiP表贴元件的数量。利用3D-MCM和一体化封装可以进一步减少系统的面积和体积,缩短互连线。未来SiP的发展要求LTCC具有更好的散热能力、更高的基板制作精度和更多无源元件的集成。     

嵌入电容膜（ECF）用的环氧／SrTiO3复合物

概述了高频用途的环氧／SrTiO3复合物嵌入电容膜（ECF）的开发。采用变化SrTiO3粒子填料的3种不同的SrTiO3粉,测量环氧／SrTiO3复合物嵌入电容膜的介质常数。试验数据符合判断环氧／SrTiO3复合物ECF中的SrTiO3粉的有效介质常数的Lichtenecker方程。应用矩形谐振腔法测量环氧／SrTiO3复合物ECF在千兆赫范围（1GHz、10GHz）的介质常数。在千兆赫频率范围内环氧／SrTiO3复合物ECF的介质常数几乎稳定。因此环氧／SrTiO3复合物ECF可以有效地应用于高频用途中。