VGF法生长半导体晶体的研究进展

VGF法可实现晶体生长条件可控,晶体重复性好,所生长晶体尺寸大、位错密度低、应力小,是一种很有前景的晶体生长方法。本文综述了VGF法生长半导体晶体、数值模拟和磁场应用的国内外研究进展。     

LEC─InP晶体中孪晶现象的分析

通过对产生孪晶的工艺条件的研究比较，分析了ＬＥＣ－ＩｎＰ晶体中产生孪晶的原因。实验证明，建立一个稳定合适的热场、保持Ｂ＿２Ｏ＿３的透明度、控制好掺杂量等是减少孪晶的必要条件。     

InP薄膜网格结构二维光子晶体

使用转移矩阵方法设计了InP薄膜正方网格结构二维光子晶体的带隙结构.计算结果表明由单胞参数为250nm,填充比为0.45组成的正方网格结构,在可见光和近红外波段有两个不完全带隙存在,透射率接近于零.     

基于InGaAsP/InP材料的二维半导体光子晶体激光器

描述了基于InGaAsP/InP材料的二维半导体光子晶体激光器的研究.主要介绍点缺陷型光子晶体激光器的理论设计、模拟分析及与器件性能的比较.理论上采用平面波展开法和有限时域查分法,预言了通过采用调整点缺陷腔的最近临空气孔的尺寸,可以提高缺陷腔的品质因子Q,从而提高激光器的工作性能,激光器的激射阈值;研制了不同近邻孔径尺寸的激光器,试验结果与理论模拟相一致.     

InP薄膜网格结构二维光子晶体

使用转移矩阵方法设计了InP薄膜正方网格结构二维光子晶体的带隙结构.计算结果表明:由单胞参数为250nm,填充比为0.45组成的正方网格结构,在可见光和近红外波段有两个不完全带隙存在,透射率接近于零.     

生长温度对长波长InP/AlGaInAs/InP材料LP-MOCVD生长的影响

研究不同生长温度下的ＩｎＰ／ＡｌＧａＩｎＡｓ／ＩｎＰ材料ＬＰ－ＭＯＣＶＤ生长,用光致发光和Ｘ射线双晶衍射等测试手段分析了其材料特性,得到了室温脉冲激射１．３μｍＡｌＧａＩｎＡｓ有源区ＳＣＨ－ＭＱＷ结构材料,为器件制作研究打下了基础．     

LEC—InP晶体中孪晶现象的分析

通过对产生孪晶的工艺条件的研究比较，分析了ＬＥＣ－ＩｎＰ晶体中产生孪晶的原因。实验证明，建立一个稳定合适的热场、保持Ｂ２Ｏ３的透明度、控制好掺杂量等是减少孪晶的必要条件。     

高电子迁移率InP/InP外延材料的MBE生长

采用固态磷源分子束外延技术在InP(100)衬底上生长了高质量的InP外延材料.实验结果表明InP/InP外延材料的电学性质与诸多生长参数密切相关.根据霍耳测量结果,对生长条件和实验参数进行了优化,在生长温度为370℃,磷裂解温度为850℃,生长速率为0.791μm/h和束流比为2.5的条件下,获得了厚度为2.35μm的InP/InP外延材料.在77K温度下,电子浓度为1.55×1015cm-3,电子迁移率达到4.57×104cm2/(V·s).