T1系1223相超导体的不可逆线

研究了（Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５）（Ｓｒ０．８Ｂａ０．２）２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏｙ超导体的不可逆场Ｈ（Ｔ），并与Ｙ系Ｂｉ系和Ｔｌ１２１２相超导体作了比较。实验表明，在７７Ｋ下Ｔｌ１２２３相的不可逆场高达５Ｔ。证明了该材料在高温下的磁通钉扎比Ｂｉ系超导体和Ｔｌ１２１２相导体强得多，并对此作了讨论，由磁滞回线估计的磁化电密度Ｊｃ在７７Ｋ和２Ｔ磁场下大于１４＾４／ｃｍ＾２。     

Tl—1223超导体及其复Ag带的制备

研究了用产中分熔化法制备Ｔｌ－１２２３超导体的工艺。样品的名义组成为（Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５）（Ｓｒ０．８Ｂａ０．２）Ｃａ２Ｃｕ３Ｏｙ。经熔化退火的样品，其磁化电流的７７Ｋ和１Ｔ下大于２×１０＾４／ｃｍ＾２。用熔化－退火的超导粉作原料制得的复Ａｇ带短样，Ｊｃ达１．６－１．７×１０＾４Ａ／ｃｍ＾２（７７ｋ，０Ｔ）。采用烧结后的超导粉作原料，在制备复Ａｇ带的工艺中，如用熔化－退火的热处理制度，可以免除…     

Hg－Ba－Ca－Cu－O系超导性的研究

我们用Ｓｃｈｉｌｌｉｎｇ等人的方法制备出了Ｈｇ－Ｂａ－Ｃａ－Ｃｕ－Ｏ超导化合物系，并用Ｘ－ｒａｙ衍射、ＴＥＭ、磁化率及电阻等实验测量对它们进行了初步研究．由ＴＥＭ观察，证实了在ＨＢＣＣＯ系中存在Ｈｇ－１２０１相，Ｈｇ－１２１２相和Ｈｇ－１２２３相．用高－Ｑ振动子技术，对ＨｇＢａ２ＣｕＯ４＋ｙ样品作了磁通点阵融化的力学测量，从而估计出该样品的不可逆线的形状．我们还对Ｈｇ－１２２３样品作了事后退火处理研究，在氧气中退火可使该样品的Ｔｃ略有增高，这些结果表明Ｈｇ－１２２３样品的超导相可能处在微弱的“ｕｎｄｅｒ－ｄｏｐｅｄ”态．     

铊系超导单昌的低温生长

采用蠕爬型助熔剂ＣａＯ－ＣｕＯ和蒸发型复合助熔剂ＣａＯ－ＣｕＯ－ＮａＣｌ来制备Ｔｌ－Ｂａ－Ｃａ－Ｃｕ－Ｏ超导单晶，生长炉最高温度８９０℃和８５０℃，因而实现了铊系单晶的低温生工。生长出的单晶分别是典型尺寸为２．０×１．５×０．２ｍｍ＾３，Ｔｃ在１００Ｋ与１１９Ｋ之间的Ｔｌ－２２１２相单晶和尺寸为１．２×１．０×０．１ｍｍ＾３。Ｔｃ约为１１５Ｋ的Ｔｌ－２２２３相超导单晶。     

Tl－1223／Ag复合带长样的制备

本文研究了Ｔｌ－１２２３／Ａｇ复合带长样的制各，０．５９米的长样统制在中３１ｍｍ的氧化铝管上，其Ｊｃ值最高可达ｌ．１０×１０４Ａ／ｃｍ２（７７Ｋ，ＯＴ）．在ф９－３１ｍｍ的管径范围内绕制线圈，曲率半径对Ｊｃ的影响不大     

Hg—Ba—Ca—Cu—O系超导性的研究

我们用Ｓｃｈｉｌｌｉｎｇ等人的方法制备出了Ｈｇ－Ｂａ－Ｃａ－Ｃｕ－Ｏ超导化合物系，并用Ｘ－ｒａｙ衍射、ＴＥＭ－磁化率及电阻等实验测量对它们进行了初步研究。由ＴＥＭ观察，证实了在ＨＢＣＣＯ系中存在Ｈｇ－１２０１相，Ｈｇ－１２１２相和Ｈｇ－１２２３相，用高－Ｑ振动子技术，对ＨｇＢａ２ＣｕＯ４＋ｙ样品作了磁通点阵融化的力学测量，从而估计出该样品的不可逆线的形状。我们还对Ｈｇ－１２２３样品作了事后退火处理     

铊系超导单晶的低温生长

采用蠕爬型助熔剂ＣａＯ－ＣｕＯ和蒸发型复合助熔剂ＣａＯ－ＣｕＯ－ＮａＣｌ来制备Ｔｌ－Ｂａ－Ｃａ－ＣＵ－Ｏ超导单晶，生长炉最高温度分别为８９０℃和８５０℃，因而实现了铊系单晶的低温生长．生长出的单晶分别是典型尺寸为２．０×１．５×０．２ｍｍ３，Ｔｃ在１００Ｋ与１１９Ｋ之间的Ｔｌ－２２１２相单晶和尺寸为１．２×１．０×０．１ｍｍ３，Ｔｃ约为１１５Ｋ的Ｔｌ－２２２３相超导单晶．采用蠕爬型助熔剂可以降低熔点而不引进其它非组元杂质，但导致熔料蠕爬，对生长大块单晶不利．采用蒸发型复合助熔剂克服了熔料的蠕爬现象，减少了铊的损失，对生长多铜氧层的单晶有利．     

Gd＿（1－x）Ca＿xBa＿2Cu＿3O＿（7－y）高温超导体压力效应的研究

研究了Ｇｄ＿（１－ｘ）Ｃａ＿ｘＢａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿（７－ｙ）（０．０≤Ｘ≤０．２０）高温超导体在常压和高压下的超导电性在１－３００Ｋ温度范围内，利用Ｂｒｉｄｇｍａｎ对顶砧获得压力达９．０ＧＰａ，测量了（Ｘ＝０．１０，０．１５，０．２０）样品的ｄＴ＿ｃ／ｄｐ分别为７．６８，７．８和４．４６Ｋ／ＧＰａ。发现Ｔ＿ｃ的压力导数随着ｃａ￣（２＋）含量的增加而下降，分析了氧含量对Ｔ＿ｃ和ｄＴ＿ｃ／ｄＰ的影响．利用常压下晶格参数精修值和阳离子与氧离子间距随压力的改变，说明ＣｕＯ＿２面在超导电性上的作用，用ＣｕＯ＿２面之间耦合解释Ｔ＿ｃ（Ｐ）曲线的非线性关系。     

γ－Fe_2SiO_4在静水压下的压缩行为的测定

采用同步辐射高压原位Ｘ光衍射技术及金刚石对顶压砧高压装置，对γ－Ｆｅ＿２ＳｉＯ＿４进行了静水压条件下等温压缩行为的测定，最高压力达２３ＧＰａ。γ－Ｆｅ＿２ｓｉＯ＿４在０～２３ＧＰａ压力范围内的ｐ、Ｖ数据表明，其等温压缩可分为两个阶段：若设Ｋ＇＿０＝４，在０～１８Ｇｐａ，Ｋ＿０＝１８９±２ＧＰａ；而在１８～２３０Ｐａ，Ｋ＿０＝２１３±２ＧＰａ。我们认为，样品在１８ＧＰａ以下处于较好的静水压状态，压力超过１８ＧＰａ，传压介质的静水压性质变坏，所以Ｋ＿０值偏高。在整个实验过程中并未发现样品有任何发生相变的迹象。最后，对一些虽然使用了液体介质但得不到静水压条件的实验现象进行了讨论。     

TlBaCaCuO外延膜的光响应

在波长γ＝６３２．８ｎｍ，入射功率约０．８ｍ的Ｈｅ－Ｎｅ激光照射下，对ＴｌＢａ２Ｃａ２ＣｕＯ２（Ｔｌ－２２１２）外延膜的光响应行为进行了实验研究。结果显示：在样品转变温度（Ｔｃ＝１０５．５Ｋ）附近，ＴｌＢａ－ＣａＣｕＯ外延膜的光响应行为表现为辐射热与非辐射热效应共存现象。光响应信号电平与样品温度、偏置电流、及入射光束的调制频率等诸因素有密切关系的关系。实验结果还表明，辐射热与非辐射热效应的响应行为     

光纤光栅弹簧管压力传感器的压力和温度特性

本文利用弹簧管对于压力的机械放大作用,将弹簧管与光纤光栅悬臂梁调谐技术相结合,研制了一种新颖的光纤光栅弹簧管压力传感器,大大提高了光纤布喇格光栅对压力测量的灵敏度,压力灵敏度系数可达-1.79×10^-4/MPa,比裸光栅提高了两个数量级,在0～12MPa的压力范围内,光纤布喇格光栅中心反射波长的改变与压力成良好的线性关系.同时由于悬臂梁热膨胀效应的影响,光纤光栅的温度灵敏度提高为裸光栅的7倍.     

合成金刚石超高压腔内的压力剃度

 用合成金刚石通用的石墨代替过去使用的氯化银作为测定压力的传压介质材料测得了腔内的压力梯度。石墨在压力腔内压力梯度随压力的升高而增大，在中心压力为5.5 GPa时，纵向压力梯度为21.8 MPa/mm，径向压力梯度为18.8 MPa/mm；而且在较低压力下，两个方向的压力梯度相差甚微，随着压力升高，差别则较为显著。但氯化银在压力腔内的压力梯度却随压力的升高而减小。研究了测压腔内的相对压力梯度，发现相对压力梯度随压力的升高而减小。在中心压力为5.5 GPa时，纵向相对压力梯度为0.003 96 mm^-1，径向相对压力梯度为0.003 48 mm^-1。因此，应根据相对压力梯度来合理地设计合成金刚石反应腔内的温度场。     

双金属结冲击压力传感器

 本文简单介绍了双金属结冲击压力传感器的性质、特点、结构和应用范围。给出了三种形式的铜-康铜传感器的结构参数和一定实验条件下的V-p响应关系。在实验的压力范围内基本上为一直线，并给定了这些直线的拟合方程。实验结果的分散性，在45 GPa时小于12%，而在80 GPa和116 GPa时小于8%。结合具体实验，用Ⅲ型传感器探测了Al-Cu飞片击靶时产生的双波压力及时间间隔，同理论预估结果符合较好。     

成型压力对La0.7Sr0.3MnO3纳米固体内部缺陷结构影响的研究

应用溶胶凝胶法合成了平均尺寸为４０ｎｍ的Ｌａ０．７Ｓｒ０．３ＭｎＯ３纳米粉末，在０．２ＧＰａ到４．５ＧＰａ的压力范围内加压成型，制成＝６ｍｍ，厚为１ｍｍ的纳米固体样品。测量了不同成型压力下样品的正电子寿命谱，研究了纳米固体内部存在的三类空位缺陷随压力的变化规律。在低于１．０ＧＰａ的情况下，三类缺陷随压力的增加变化敏感，成型压力高于１．０ＧＰａ时，纳米固体内部的压致碎化导致十几个单空位尺寸大小的微孔洞缺陷数量的剧增，使纳米固体内部的缺陷密度增加，呈现反常的压力依赖关系。     

Cs原子D_1线在低压惰性气体中的压力增宽

使用频率可扫描的窄线宽半导体激光，通过共振吸收方法获得强磁场下Ｃｓ（６Ｓ_１／２→６Ｐ_１／２）在不同种类和不同压力的惰性气体中的吸收线型。利用Ｖｏｉｇｔ线型公式对不同的实验线型进行拟合，从而求得压力增宽系数。实验表明，在低于１．３３×１０￣４Ｐａ范围内，碰撞增宽与压力成线性关系。     

取压方式对微通道内单相摩擦阻力特性的影响

本文以去离子水和氮气为工质,在水平圆形微通道(dh=0．336 mm)中采用两种直接取压方式-缝隙取压和小孔取压,对单相摩擦阻力特性进行了实验研究,并通过改变缝隙宽度,研究缝隙宽度对压降测量偏差的影响．     

T1系单相超导材料的高氧压合成及压力对超导性的影响

 系统地研究了在0~3 MPa氧压下T1系超导材料的制备过程及其超导性质。结果表明：0.25~0.90 MPa氧压下所制备的样品为纯2223相，T_c0最高可达125.3 K；1.45~3.00 MPa氧压下样品为纯2212相，T_c0在95~100 K之间；0.90~1.45 MPa氧压下样品为2223及2212两相共存。对两种单相样品的高压研究结果表明，2223相样品比2212相样品有着较强的压力效应，在0~0.52 GPa压力下分别为4.0 K/GPa及2.0 K/GPa。     

降压地面模拟技术中的临界压力研究

利用降压地面模拟技术,可以抑制自然对流的影响,从而通过地面试验结果还原空间密封舱内的流动换热情况.降压法的关键在于确定临界压力,使得自然对流对流动换热的影响刚好得到忽略.本文使用数值模拟方法确定临界压力比,以方腔密封舱内的流动换热情况为例,计算了不同 Gr/Re2 数和压力比下密封舱内的流动换热情况.得到了舱内气体温度分布和对流换热系数.通过比较空间情况和地面情况的计算结果,分析了自然对流给流动换热带来的影响,给出了判断临界压力的准则式,并给出了临界 Gr/Re2 数.     

高压下X射线衍射技术

物质在高压条件下可以发生多种变化。一般地说,起初被压缩,这时,一方面原子间距离减小,另一方面也可能使原子组转移,而后达到一定压力时,可能发生相变。研究物质在高压下的这些变化具有重大的实际意义,也是高压物理学的主要内容。由于这种变化往在是可逆的,必须在加压条件下进行研究,因此高压下X射线衍射技术受到了很大的注意。     

流体流动中的压强降落

流体在流动中压强要降落，流体的性质不同，流态不一样，压强降落也不同，本就此问题作些论述。