高温超导体Hg0.9Tl0.2Ba2Ca2Cu3O8+δ的热导

测量了高温超Ｈｇ０．９Ｔｌ０．２Ｂａ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏ８＋δ的热导率,温度范围为２０～３００Ｋ。在超导转变温度Ｔｃ以下观察到热导率明显的增加。在６５Ｋ（～０．５Ｔｃ）附近,超导体的热导率表达到了一个宽的极大,热导率的极大值为的１．６倍。用正常态电子散射的模型对实验结果进行了拟合。     

Hg0.9Tl0.1Ba2Ca2Cu3O8+δ超导膜(Tc>124K)在混合态中的输运性质的研究

本文研究了ｃ轴取向的Ｈｇ０．９Ｔｌ０．１Ｂａ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏ８＋δ超导膜（Ｔｃ＞１２４Ｋ）在混合态下的电阻展宽及霍尔效应．低电阻区域的展宽显示出热激活磁通蠕动行为．在膜的超导转变温度以下，我们观察到霍尔电阻率符号反常现象．霍尔电阻率（ρｘｙ）和纵向电阻率（ρｘｘ）具有ρｘｙ（Ｔ）＝ｋρβｘｘ（Ｔ）的标度关系     

Hg0.9Tl0.1Ba2Ca2Cu3O8＋δ超导膜（Tc〈124K）在混合态中的输运？…

本文研究了ｃ轴取向的Ｈｇ０．９Ｔｌ０．１Ｂａ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏ８＋δ超导膜（Ｔｃ〉１２４Ｋ）在混合态下的电阻展宽及霍尔效应。低电阻区域的展宽显示出热激活磁通蠕动行为。在膜的超导转变温度以下,我们观察到霍尔电阻率符号反常现象。霍尔电阻率（ρｘｙ）和纵向电阻率（ρｘｘ）具有ρｘｙ（Ｔ）＝ｋρｘｘ＾β（Ｔ）的标度关系。     

磁场下Tl2Ba2Ca2Cu3Ox单相超导体交流磁化率的研究

测量了 Tl_2Ba_2Ca_2Cu_3O_z 单相超导体在不同外磁场及不同测量频率下的交流磁化率实部和虚部随温度的变化关系,发现实部曲线的起始转变温度 T_(onset)和虚部曲线的峰值温度 T_m,在一定测量频率下都与外磁场的2/3次方成线性关系,在一定外磁场下 T_(onset)与测量频率的对数成线性关系.并且我们认为 T_(onset)和 T_m 都不是一般意义的 T_c,而是受磁通格子熔化影响较大的特殊温度点,所以对 T_(onset)及 T_m 的研究可以反映超导体的磁通格子熔化特性,很值得进一步的研究.     

高温超导HgBa2Ca2Cu3O8+δ薄膜的制备

我们曾用离子注入法,脉冲激光沉积等方法制备出了HgBa2Ca2Cu3O8+δ超导薄膜.但这些方法费用昂贵,难度较大.因此我们探索利用化学雾化技术在衬底上制备HgBa2Ca2Cu3O8+δ超导薄膜.制备过程包括两个步骤:第一步控制衬底温度制备Ba-Ca-Cu-O薄膜,并退火得到Ba-Ca-Cu-O前驱物;第二步,控制衬底温度并将HgCl2喷射在Ba-Ca-Cu-O前驱物薄膜上得到Hg-Ba-Ca-Cu-O薄膜,并将所得薄膜在氧气中氧化.目前我们正在探索利用这一技术来制备Hg-1223高质量的超导薄膜.     

ELECTRONIC STRUCTURE OF Hg0.8Pb0.2Ba2Ca2Cu3O8+δ: THE ROLE OF Pb DOPING,OXYGEN DOPING AND HIGH PRESSURE

The effects of Pb doping, oxygen doping ($\delta$= 0.1,0.2,0.4 and 0.5) and high pressate (4, 8, 15 and 20GPa) on the electronic structure of Hg_0.8Pb_0.2Ba₂Ca₂Cu₃O_8+δ have been examined by the recursion method. Our calculations show that Pb doping only decreases the hole concentration slightly and oxygen doping increases the hole concentration monotonically and significantly as δ varies from 0 to 0.5, with each excess oxygen atom contributing about 1.7 holes to the CuO₂ layers. The optimal δ is estimated to be around 0.4, The hole conceatration increases initially with pres-sure but decreases as P > 8GPa (i.e., dn/dP does change sign at ～ 8GPa). The suppressed T_c(P) by Pb substitution has to be described in the modified Neumeier's model.     

HgBa2Ca2Cu3O8+δ在Tc附近力学性质的研究

本文对Hg系高温超导样品(单相Hg-1223)在转变温度Tc附近的弹性性质进行了实验研究和理论分析.通过内耗测量、X射线衍射分析及电阻测试,研究该材料的相对杨氏模量声速和线性膨胀系数在Tc附近的变化规律;对实验结果进行热力学分析和理论计算,结果表明实验值与理论值基本吻合.     

Nd0.9Ca0.1Ba2Cu3O6＋x超导体系的红外光谱研究

用固相反应法制备、并通过没条件的热处理得到了一组同氧含量的Ｎｄ０．９Ｃｄ０．１ｂａ２Ｃｕ３Ｏ６＋ｘ样品。用Ｘ射线衍射确定了样品的相结构。随着氧含量的增大，结构发生从四方到正交相变。进一步用红外吸收谱研究了体系的结构变化特征。谱图上６４２ｃｍ＾－１，５７８ｃｍ＾－１，５３８ｃｍ＾－１峰的出现及位移，与氧含量引起的结构变化是一致的，并讨论结构与超导电性的关系。     

Tl2Ba2Ca2Cu3O10的化学键性质和同质异能位移研究

在Tl2Ba2Can-1CunO2n 4(n=1,2,3,4)系列超导性氧化物中,Tl2Ba2Ca2Cu3O10具有最高Tc值(125 K)．利用电介质的平均能带模型计算了Tl2Ba2Ca2Cu3O10的局域化学键参数,得到Cu(1)-O键的共价性为0．561,Cu(2)-O键的平均共价性为0．296．应用化学环境因子计算了57Fe在Tl2Ba2Ca2Cu3O10中的穆斯堡尔同质异能位移,证实了57Fe在低掺杂时以Fe3 和Fe4 离子形式占据Cu(1)位置,而在高掺杂时以Fe3 和Fe4 离子形式分别占据Cu(1)和Cu(2)位置．结果表明,化学键理论计算有助于复杂晶体的穆斯堡尔谱的正确分析．     

Y0.8Pr0.2Ba2Cu3O7—δ单晶的热力学参数

用ＳＱＵＩＤ磁强计测得了Ｙ０．８Ｐｒ０．２Ｂａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ单晶在外场平行于ｃ轴条件下的磁化强度随温度的变化。在超导转变下，除了磁化强度是可逆的以外，由于磁通涨落而导致的磁化强度交叉发生在超导转变温度以下约２Ｋ处。利用Ｈａｏ－Ｃｌｅｍ模型拟合可逆磁化强度得到了热力学临界场Ｈｃ（Ｔ）和金兹堡－朗道参数ｋ。其它超导参数由Ｈｃ（Ｔ）和ｋ推得，比较ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ的热力学参数，讨论了Ｐｒ离子的效应     

多晶Tl2Ba2Ca2Cu3Oy超导体钉扎研究

我们测量了高温超导体 Tl_2Ba_2Ca_2Cu_3O_y 多晶样品的磁化强度弛豫及在小场,高场情形下的磁滞回线,并推出了该样品的钉扎势 U_0 在77K 的温度下随外加磁场的变化关系:当20mT<μ_0H<106mT 时,U_0∝H~(-0.1),当230mT>μ_0H>106mT,U_0∝H~(-0.8).我们认为这是由于随着外场增加,起主要作用的钉扎中心从样品中超导颗粒间钉扎转向超导颗粒内部钉扎.小场下的磁滞回线及扫描电镜形貌相表明该样品具有颗粒性质.     

在MgO衬底上制作Tl2Ba2CaCu2O8超导薄膜

在MgO衬底上,利用共蒸发方法制备DyBa2Cu3O7作为缓冲层,再利用磁控溅射和后处理方法,制备了Tl2Ba2CaCu2O8超导薄膜.X射线衍射θ～2θ及φ扫描结果表明Tl-2212薄膜、Dy-123薄膜与衬底MgO呈外延生长关系.制备的Tl-2212薄膜Tc＝105.5K,液氮温度下临界电流密度Jc＝2.5×106A/cm2.     

Hg0.9Tl0.2Ba2Ca2Cu3O8+δ在磁场下的热导

实验研究了高温超导体Hg09Tl02Ba2Ca2Cu3O8+δ的低温热导率与温度和磁场的关系,测量温度为7—20K,外加磁场为0—6T.结果表明,在不同外场下,超导体的热导率在实验温区内随温度的增加均单调增加;在固定的温度下外加磁场使超导体的热导率减小,并随外磁场的增加达到一个稳定值;热导的相对变化率κ(H)/κ(0)与磁场的关系以及热导率达到稳定值的磁场与测量温度有关.分析讨论了超导体中正常态电子在磁场下受磁通涡旋散射产生附加的热阻 关键词：     

用于微波滤波器的Tl2Ba2CaCu2O8超导薄膜

本文报导用磁控离子溅射和后热处理方法在LaAlO3(001)衬底上制作2英寸双面Tl2Ba2CaCu2O8(Tl-2212) 超导薄膜的方法和薄膜的特性.XRD测试表明薄膜具有纯的Tl-2212相和c轴垂直于膜面的织构.衬底两侧薄膜的结晶形貌和超导电性均匀,超导转变温度Tc一般为105 K左右,液氮温度下临界电流密度Jc>2×106A/cm2,10GHz频率下表面电阻最小达到350μΩ,可满足超导微波滤波器实用的需要.     

超导Tl2Ba2CaCu2O8+x 薄膜的太赫兹复电导率的提取

采用低温太赫兹时域光谱系统, 测试了高温超导 Tl2Ba2CaCu2O8+x 薄膜的太赫兹透射谱, 并提取了它在不同温度下的太赫兹电导率. 研究过程中发现提取后的参数存在电导率随频率波动大、与理论值偏差较大等问题.通过对基片厚度和太赫兹波入射角度的误差对高温超导薄膜电导率的影响进行了分析, 结果表明导致数据波动大是由于基片厚度的偏差引起的. 针对厚度差的影响, 一种矫正方法被提出, 通过对厚度的修正, 提高了数据提取的质量.     

熔融织构Y0.8Ca0.2Ba2Cu3Oy的电子比热

采用热驰豫方法在0到9T范围内测量了熔融织构Y0.8Ca0.2Ba2Cu3O y的比热.零场下,2～180K的比热结果可以用Einstein模型来描述.通过4-Einstein峰拟合声子谱的方法,我们分别处理了不同磁场下超导转变附近的比热,获得了晶格比热和不同磁场下的电子比热,并将实验结果与London模型的计算结果进行对比,发现London模型能够很好地模拟出我们的实验结果.