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本报导我们成功地合成了高Tc超导铜氧化物HgBaC2Ca2Cu3O8+δ,并用XRD、TEM、交流磁化率及电阻测量对这些样品作了研究,特别是,为了更进一步提高Tc,我们对这些样品在各种气氛条件下进行了事后退火处理研究,发现:样品的超导转变温Tc,在流动氧气中或高压氧气中退火后,获得增高;而在流动氩气中退火后其值变小,因此,由退火实验结果可知:未经退火处理的Hg-1223相样品处于微弱的“unde 相似文献
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合成了掺F的Pb系超导体,确认了F替代其中CuO5四方锥体的顶氧。指出F代顶氧改善Tc的机理来自晶体结构,化学键及电子态的变化。改善零电阻温度Tcu主要是掺F体系所产生的热力学效应。 相似文献
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利用高温高压方法合成了HgBa2CaCu2O6+δ超导体。X射线衍射线结构分析显示该超导体具有四方结构,晶格常数a=0.3867nm,c=1.2743nm.电阻和交流磁化率测量结果表明该超导体的超导起始转变温度为127K,零电阻温度为121K,抗磁转变温度为118K。对合成后的样品做了氧气氛中的退火处理,研究了27kbar压力下,不同烧结温度对合成样品的超导电性的影响,结果表明该压力下HaBa2C 相似文献
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用倒扭摆和DSC研究了Bi_2Sr_2Ca_2Cu_3O_x 超导体在温度100K 至300K 范围内的内耗和相变.发现有五个内耗峰分别在110K、130K、180K、190K 和210K 附近.除190K 峰外,都伴随有切变模量软化.其中180K 和210K 内耗峰明显与 DSC 的放热峰对应.认为这些内耗峰与晶格不稳、晶格参数发生跳变有关,是由类相变过程中应力感生相界面运动所引起. 相似文献
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含氟铋系高Tc超导体的性能 总被引:1,自引:0,他引:1
本文报道了氟代氧的铋系超导体的多方面研究结果。着重讨论了氟是否进入超导相,氟的结晶学位置,及其对结构性能的变化影响和改善超导电性的机制等等。 相似文献
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本文报道低通量慢中子辐照对Bi_2Sr_2CaCu_2O_8超导体的电阻转变的影响,而且辐照的这种影响随时间退化较小。结果可用改善弱连接来解释,说明低通量中子辐照也可作为研究超导体性质的一种手段。 相似文献
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我们曾用离子注入法,脉冲激光沉积等方法制备出了HgBa2Ca2Cu3O8+δ超导薄膜.但这些方法费用昂贵,难度较大.因此我们探索利用化学雾化技术在衬底上制备HgBa2Ca2Cu3O8+δ超导薄膜.制备过程包括两个步骤:第一步控制衬底温度制备Ba-Ca-Cu-O薄膜,并退火得到Ba-Ca-Cu-O前驱物;第二步,控制衬底温度并将HgCl2喷射在Ba-Ca-Cu-O前驱物薄膜上得到Hg-Ba-Ca-Cu-O薄膜,并将所得薄膜在氧气中氧化.目前我们正在探索利用这一技术来制备Hg-1223高质量的超导薄膜. 相似文献
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对磁性金属钴掺杂的YBa2(Cu1-yCoy)3O7-δ超导体进行了中子衍射研究。研究表明:钴原子择优占据Cu(1)晶位;随着钴一的增加,单胞中平均氧含量增加;晶胞的晶格常数α增大,b减小,至y=0.038时,a=b,而c是先增大再减小。 相似文献
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采用两次烧结的固相反应法,制备了高质量的名义组分为Bi_(1.92)Pb_(0.37)Sr_2Ca_2Cu_(3.03)O_y的2223单相多晶样品,其零电阻温度为107K。研究了烧成温度和冷却速率对样品的单相性和T_c的影响。结果表明,烧成温度对样品的单相性起决定作用,冷却速率对其影响不大。但是烧成后冷却速率的变化可以使2223相的T_c至少在10K的范围内移动。缓慢冷却使其T_c向高温移动,这与通常在2212相中见到的移动相反。T_c的变化主要归因于超导体中氧含量的变化,而氧含量、载流子浓度、T_(co)以及正常态的电阻行为等因素之间存在密切相关。当样品充分吸氧过程基本完成后,冷却速率的变化,对样品的颗粒T_c影响很小,但对体T_c仍有一定影响。 相似文献
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