新型（Pb，Cd）－1222相化合物的制备、结构和电学性质

本文成功地合成了一系列新型Ｐｂ－１２２２相层状铜氧化物（Ｐｂ０．５Ｃｄ０．５）（Ｓｒ０．９Ｒ０．１）２（Ｒ＇０．７Ｃｅ０．３）２。Ｃｕ２Ｏｘ，Ｒ＝Ｒ＇＝Ｙ，Ｐｒ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｈｏ以及（Ｒ，Ｒ’）＝（Ｌａ，Ｅｕ），（Ｓｍ，Ｇｄ），（Ｓｍ，Ｅｕ），（Ｌａ，Ｇｄ），（Ｅｕ，Ｇｄ），（Ｎｄ，Ｅｕ），（Ｎｄ，Ｄｙ），（Ｎｄ，Ｙ），（Ｎｄ，Ｅｒ）．Ｘ－射线衍射和电子衍射表明它们属于四方晶系，其结构与（Ｐｂ，ＣＵ）－１２２２相结构相似．其中（Ｒ＇，Ｒ＇）＝（Ｅｕ，Ｇｄ）的样品在氧气中成相得到２３Ｋ的超导转变临界温度．     

Bi-1212相和Bi-1222相铜氧化合物的合成和超导电性

对名义组份为(Bi_(1-x),M_x)Sr_2YCu_2O_y(x=0.6—0.7)的样品,当M=Cd,Ni和Zn时合成了Bi-1212相材料,实验发现Cd占据Bi位,可以稳定单BiO层,高压氧下退火,在32K出现超导转变,而Zn和Ni进入CuO平面,占据Cu位,破坏了材料的超导电性。用Cd稳定单BiO层还能够合成Bi-1222相化合物,它的固溶范围比Bi-1212大,对这一现像进行了结构上的分析。在不同氧压退火处理下的Bi-1222相样品,电阻随氧压增大而变小,但在4.2K以上未观察到超导转变。 关键词：     

Bi1.6Pb0.4Sr2Ca2—x（Nd0.75Ce0.25）xCu3Oy体系的相结构及超导电性

本通过Ｘ射线衍射、差热分析和超导电性测量等手段对Ｂｉ１．６Ｐｂ０．４Ｓｒ２Ｃａ２－ｘ（Ｎｄ０．７５Ｃｅ０．２５）ｘＣｕ３Ｏｙ体系的相结构和超导电性进行了研究。该体系中，在８１０－８４０℃空气中烧结４０小时样品的Ｔｃ随着ｘ增加而降低。研究了在７５０－８２０℃空气中烧结４０小时样品的超导转变温度为１９－２１Ｋ。这种超导电性可能是由于部分被稳定的Ｂｉ－２２２２相所致。     

钒掺杂对Pb2Sr2Nd1.5Ce0.5Cu3O10＋δ（Pb—3222）成相的影响

本着重研究了钒对Ｐｂ－３２２２相成相的影响，当Ｎｄ＾３＋＿／Ｃｅ＾４＋为３：！时，通过钒掺杂简单方便地制备了单相性较好的Ｐｂ－３２２２相样品，本还讨论了钒在Ｐｂ２Ｓｒ２－Ｎｄ１．５Ｃｅ０．５Ｃｕ３Ｏ１０＋δ中的可能位置。     

磁控溅射制备铬薄膜的结构和光电学性质

用直流磁控溅射技术在石英基片上制备不同厚度(5 nm~114 nm之间)的铬膜.使用X射线衍射仪和分光光度计分别检测薄膜的结构和光学性质,利用德鲁特模型和薄膜的透射、反射光谱计算铬膜的厚度和光学常量,并采用Van der Pauw方法测量薄膜电学性质.结果表明:制备的铬薄膜为体心立方的多晶态,随着膜厚的增加,薄膜的结晶性能提高,晶粒尺寸增大;在可见光区域,当膜厚小于32 nm时,随着膜厚的增加,折射率快速减小,消光系数快速增大,当膜厚大于32 nm时,折射率和消光系数均缓慢减小并逐渐趋于稳定;薄膜电阻率随膜厚的增加为一次指数衰减.     

氧掺杂形成的T‘—R2CuO4（R=Nd,Sm,Eu）化合物中的铁磁性团簇

本文报道了一个由氧掺杂产生的Ｔ’相Ｒ２ＣｕＯ４系列化合物中位于２８Ｋ附近的公有的磁反常规象。     

Bi—2212相欠掺杂区域的反常输运性质研究

测量了Ｂｉ２Ｓｒ２Ｃａ１－ｘＹｘＣｕ２Ｏ８单晶样品ａｂ平面内电阻率ρａｂ和多晶样品电阻率ρ．热电势Ｓ随温度Ｔ的变化关系（单晶：ｘ的范围从０到０．１５；多晶：ｘ的范围从０到０．４）．在单晶和多晶样品中，都系统地观察到类似于ＹＢａ２Ｃｕ４Ｏ８，ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ｙ体系中由于自旋能隙出现而引起的输运性质反常现象．详细地讨论了上述实验结果，并与角分辨率光电子能谱实验（ＡＲＰＥＳ），电子拉曼实验结果进行比较，得出Ｂｉ２２１２相欠掺杂区域的电子相图．     

研磨对Y-123和Bi(Pb)-2223超导相的影响

通过X射线衍射、差热分析、电子显微镜、超导电性测量等手段研究了研磨对Y-123和Bi(Ph)-2223超导相和成相过程的影响。结果表明:研磨对Y-123和Bi(Ph)-2223超导相的影响显著不同,研磨导制了Bi(Ph)-2223超导相的破坏。同时指出Bi(Ph)-2223超导相同一结构特征的两种属性:好的可塑性和结构易破坏性。前者是优点,后者是缺点。在加工、测量、使用过程中,要尽力避免后一缺点带来的超导电性的破坏或由于局部结构破坏而导致的整体性能的降低。     

磁控溅射制备铬薄膜的结构和光电学性质(英文)

用直流磁控溅射技术在石英基片上制备不同厚度(5nm～114nm之间)的铬膜.使用X射线衍射仪和分光光度计分别检测薄膜的结构和光学性质,利用德鲁特模型和薄膜的透射、反射光谱计算铬膜的厚度和光学常量,并采用Van der Pauw方法测量薄膜电学性质.结果表明:制备的铬薄膜为体心立方的多晶态,随着膜厚的增加,薄膜的结晶性能提高,晶粒尺寸增大;在可见光区域,当膜厚小于32nm时,随着膜厚的增加,折射率快速减小,消光系数快速增大,当膜厚大于32nm时,折射率和消光系数均缓慢减小并逐渐趋于稳定;薄膜电阻率随膜厚的增加为一次指数衰减.     

高Tc（Hg,Pb）—1223相超导体的EPMA研究

在ＨｇＢａ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏ８＋δ（Ｈｇ－１２２３相）超导体中，我们以Ｐｂ部分代替Ｈｇ，成功地合成了（Ｈｇ，Ｐｂ）－１２２３相超导体，并对这些样品进行了ＸＲＤ、ＴＥＭ、ＳＥＭ和ＥＤＸ等分析。本文着重报导ＥＭＰＡ分析的结果：在我们最佳合成的（Ｈｇ，Ｐｂ）－１２２３超导样品中，正离子比为Ｈｇ：Ｐｂ：Ｂａ：Ｃａ：Ｃｕ＝０．６６：０．３４４：２：１．９８：２．９７，氧含量为８．４１；以及样品的主相为（Ｈｇ，     

双层转角石墨烯的结构和电学性质

石墨烯是第一个被发现的层状二维材料,它的电学性质对层数和层间的堆垛方式有很强的 依赖性。而层间的转角可以被看作是调控石墨烯电学性质的又一个可控的自由度。本文主要综述 双层转角石墨烯的基本结构与性质,重点讲述转角对双层石墨烯电学性质的影响。我们将从理论 与实验结合的角度出发,介绍双层转角石墨烯中Dirac 费米子的新奇物理特性,重点阐述如何通 过转角来调控石墨烯的电学性质。最后我们对双层转角石墨烯的研究现状进行总结和展望。     

Bi2Sr2CuOy掺La—和掺Pb—样品的磁性质

研究了掺Ｌａ－和掺Ｐｂ－的Ｂｉ２２０１样品在不同磁场下正常态的直流磁化率与温度关系。样品包括从尔掺杂到过掺杂区域。实验结构表明，当增加空穴浓度时，从欠掺杂区域到开始发生超超转变区域，居里项的贡献逐渐减弱；而在超导区和金属区，居里项随着空穴浓度的增加而增加。     

(Hg,M)-1222相铜氧化合物的合成及其超导电性研究(M=W、Mo、Ti、V、Cr)

分别用固相反应和柠檬酸盐溶胶－凝胶法制备义组成为Sr2(Gd1.5Ce0.5)Cu2Oz的前驱物,再用真空烧结的方法合成了（Hg,M)－1222相铜氧化合物（Hg0.75M0.25)Sr2(Gd1.5Ce0.5)Cu2Oz(M=W,Mo,V,Cr,Ti)。溶胶－凝胶法同固相法相比混合更均匀,反应温度低,成相情况好,改进该方法后,用溶解度较高的Ce（NO3）3代替不溶于硝酸的CeO2,制得了纯1222相。研究了不同退火条件对样品电阻温度特性的影响的影响,发现高氧压退火有助于超导转变,M＝W,Mo时得到超导体,Tc(onset)在13－27K之间。     

新型BCN化合物的结构表征和相转变

将石墨和六方氮化硼(h-BN)混合粉球磨120h形成的非晶B-C-N粉在4.5GPa，1600K等温退火45min. XRD，TEM和Raman散射测量结果表明，高压合成的产物由晶格常数为a₁=0.2551nm，c₁=0.6716nm的六方Ⅰ相和a₂=1.2360nm，c₂=0.8570nm的六方Ⅱ相组成，其中六方Ⅱ相为B-C-N 新相. 在室温该新相在1279，1368，1398cm^-1出现三个特征Raman峰. 变温Raman测量结果表明，在测量温度T=93K时，样品中的主要相为六方Ⅰ相，随着温度的升高，六方Ⅰ相逐渐向六方Ⅱ相转变，当T>473K时，六方Ⅰ相完全转变成六方Ⅱ相. 当温度从673K降到93K过程中，样品又从六方Ⅱ相逐渐变回到六方Ⅰ相. 对这一相变的机理进行了讨论. 关键词： B-C-N 机械球磨 高温高压 相转变