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本文研究了退火a-Ge/Cu(a-Ge是非晶体态Ge)叠层中输运性质,获得以下新的结果:(1)a-Ge/Cu室温电阻R300k与退火温度Ta之间关系出现反常;(2)a-Ge/Cu在退火过程中既出现互扩散,又存在团相反应和多相品化;(3)实验首次发现在a-Ge/Cu膜中的分形现象,相应于分形结构,电阻率出现极小. 相似文献
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采用等离子体化学气相沉积技术制备氢化非晶硅薄膜,经过不同温度下的热退火处理,使薄膜由非晶结构向晶化结构转变,得到含有纳米晶粒的晶化硅薄膜.在晶化过程中,采用Raman技术对样品的结构进行表征.通过变温电导率的测试,对薄膜的电学输运性质进行了分析.研究结果表明:退火温度为700 ℃时,样品中开始有纳米晶形成,随着退火温度的增加,样品的晶化比增大,在1000 ℃时,薄膜的晶化比达到90%以上.在700 ℃退火时,薄膜中晶化成分较低,载流子的传输特性主要受到与硅悬挂键有关的缺陷态影响,表现为带尾定域态的跳跃电导
关键词:
氢化非晶硅
退火
纳米硅
电输运 相似文献
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本介绍我们对高温超导/铁磁多层膜样品的初步研究结果。利用准分子脉冲激光淀积方法制备了由高温超导YBa2Cu3O7薄膜与铁磁巨磁电阻材料Pr.7Sr.3MnO3薄膜组成的三夹层型和台阶边缘结型多层膜样品。对YBa2Cu3O7/Pr.7Sr.3MnO3多层膜样品输运性质测量表明样品中存在超导转变及铁磁相变。对两种多层膜样品的电阻随温度变化测量曲线进行了讨论。 相似文献
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测量了Bi2Sr2Ca1-xYxCu2O8单晶样品ab平面内电阻率ρab和多晶样品电阻率ρ.热电势S随温度T的变化关系(单晶:x的范围从0到0.15;多晶:x的范围从0到0.4).在单晶和多晶样品中,都系统地观察到类似于YBa2Cu4O8,YBa2Cu3O7-y体系中由于自旋能隙出现而引起的输运性质反常现象.详细地讨论了上述实验结果,并与角分辨率光电子能谱实验(ARPES),电子拉曼实验结果进行比较,得出Bi2212相欠掺杂区域的电子相图. 相似文献
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Si/SiO2多层膜的I-V特性研究 总被引:1,自引:1,他引:0
用射频磁控溅射法制备了Si/SiO2多层膜,并对多层膜的FV特性实验结果进行了拟合.分析表明,Si/SiO2多层膜的I-V特性由多种因素决定。单一的电流输运模型不能控制Si/SiO2多层膜的I-V特性,多层膜结构及氧化硅层的厚度是影响薄膜I-V特性的主要因素. 相似文献
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本文对RuSr2Gd1.4Ce0.6Cu2O10-δ样品的微结构、输运性质及磁共振性质进行了实验研究。研究表明RuSr2Gd1.4Ce0.6Cu2O10-δ样品的晶格参数自280K至30K缓慢下降。长时间流动氧气退火可提高零电阻转变温度(Tc(0)),但不影响超导起始转变温度(Tc(onset))。正常态电阻在110K和180K附近有一微小波动,可能是由于RuO2面载流子与Ru磁矩之间交换作用引起的自旋散射降低所至。电子顺磁共振测量显示有两个只收峰,其中一个对应Gd离子的电子顺磁共振(EPR),另外一个在铁磁转变温度以下出现,它对应Ru离子的铁磁共振(FMR)。本文对磁共振谱的线宽、强度和g因子随温度的变化进行了探讨。 相似文献
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我们在80-300K温区测量了电阻随温度变化行为十分不同的Y1-xPrxBa2Cu3O7-δ膜的I/f噪声,发现Pr含量对样品噪声水平没有明显的影响。我们还将实验结果与Dutta-Horn热激活模型进行了比较。 相似文献
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采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上制备出晶体质量较好的透明导电的ZnO/Au/ZnO(ZAZ)多层膜,其中,Au夹层是通过射频磁控溅射的方法获得。通过对Au夹层进行不同温度的退火处理,研究了Au层退火温度对ZAZ多层膜的结构特性、电学性能和光学特性的影响。利用原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)仪、霍尔效应测试和透射谱分析等测试手段对ZAZ多层膜的性质进行了分析。测试结果表明,在200 ℃下对Au夹层进行快速退火处理,多层膜的结构、电学和光学性质达到最优,表面等离子体效应也更明显。其中,XRD(002)衍射峰的半高宽为0.14°,电阻率为2.7×10-3 Ω·cm,载流子浓度为1.07×1020 cm-3,可见光区平均透过率为75.3%。 相似文献
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我们发现YBa2Cu3O7-y薄膜的实测X射线衍射强度与理论强度不一致,且用重离子坐标微变化和重离子替代无序解释了这一现象。与工艺、性能联系起来,可得到结论:这种无序与沉积所用的靶材和衬底材料有关,对超导转变温度无明显影响。 相似文献
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ZrO2/SiO2多层膜由相同沉积条件下的电子束蒸发方法制备而成, 通过改变多层膜中高(ZrO2)、低(SiO2)折射率材料膜厚组合周期数的方法,研究了沉积 在熔石英和BK7玻璃 基底上多层膜中残余应力的变化. 用ZYGO光学干涉仪测量了基底镀膜前后曲率半径的变化, 并确定了薄膜中的残余应力. 结果发现,该多层膜中的残余应力为压应力,随着薄膜中膜厚 组合周期数的增加,压应力值逐渐减小. 而且在相同条件下,石英基底上所沉积多层膜中的 压应力值要小于BK7玻璃基底上所沉积多层膜中的压应力值. 用x射线衍射技术测量分析了膜 厚组合周期数不同的ZrO2/SiO2多层膜微结构,发现随着周期数增 加,多层膜的结晶程 度增强. 同时多层膜的微结构应变表现出了与所测应力不一致的变化趋势,这主要是由多层 膜中,膜层界面之间复杂的相互作用引起的.
关键词:
2/SiO2多层膜')" href="#">ZrO2/SiO2多层膜
残余应力
膜厚组合周期数 相似文献