不同抗冷级别的棉苗在低温处理后叶片细胞超微结构的变化

本实验以分属早熟和晚熟两类不同抗冷级别的３个棉花品种为材料，将其幼苗经４℃低温处理１２ｈ，用透电子显微镜观察叶片细胞超微结构的变化。结果表明：低温处理后早熟品种的叶绿体和液泡没有明显的变化；而晚熟品种的叶绿体则发生变形重叠，液泡浓度加大，且出现了多层膜状结构。说明细胞结构的稳定性与棉花品种的抗冷性密切相关。     

低温烧结CuO改性PZT压电陶瓷性能研究

为了降低铅基压电陶瓷的烧结温度,采用传统固相法制备了CuO掺杂改性的Pb (Zr0.52Ti0.48)2O3 (PZT)二元压电陶瓷.研究了CuO掺杂对所制PZT陶瓷的结构和性能的影响.XRD显示随CuO掺杂量增加,特征峰向低角度移动,SEM显示烧结晶粒先增加后减小,CuO的加入促进了烧结.CuO和PbO生成低共熔物,...     

Investigations on low temperature mo-cvd growth of GaAs

The growth conditions for the deposition at low temperatures of epitaxial layers of GaAs on (100) GaAs crystals using TMG and arsine are studied in detail. The films are grown at atmospheric pressure in a vertical reactor in which the arsine is fed in through the rf heated susceptor for precracking. The growth temperature was varied between 680°C and 450°C. In the whole temperature range epitaxial growth was obtained. The growth rate at temperatures below 600°C depends on the AsH₃ flow, suggesting that the availibility of As vapor species, not AsH₃ limits epitaxial growth in this temperature range. For a constant AsH₃ /TMG ratio of 8 the growth rate decreases by exp (-E/kT) with an activation energy of E = 1.5 eV. Growth rates as low as 0.5 um/h have been achieved. Unintentionally doped layers show semi-insulating behaviour at growth temperatures below 500° C, similar to the behaviour seen from MBE layers. However, n-type layers with reasonable mobilities can be grown in the low temperature range (450 ° C) using H₂ Se as the doping gas.     

高温诱致水泥浆体微观结构劣化现象的研究

通过扫描电镜观测及压汞试验等微观测试手段,对高温下水泥浆体微观结构劣化进行试验研究。研究表明：随着温度不断升高,水泥浆体表面热开裂由表及里不断延伸、发展,水泥水化产物持续分解,使得水泥浆体内部孔不断粗化,微观结构劣化越来越严重,承载能力持续下降。水泥浆体微观结构劣化从50℃开始萌芽,300℃以后劣化加剧,500℃是水泥浆体的极限承载温度。在温度影响下水泥浆体内部发生的一系列物理化学变化是导致水泥基材料微观结构劣化的本质原因,300℃以后硅酸钙凝胶的持续分解、胶结能力的不断下降以及氢氧化钙的高温分解等化学劣化作用是导致水泥浆体劣化加剧的主要原因,其中硅酸钙凝胶的分解是关键因素。高温对氢氧化钙的劣化影响在300℃就已经开始。     

鲇脑垂体的超微结构研究

观察了鲇(Silurus asous)脑垂体的超微结构.结果表明,性成熟鲇脑垂体结构呈背腹型,由神经垂体和腺垂体两部分组成.神经垂体存在A1、A2和B型神经分泌纤维,其终端与腺细胞、毛细血管和组织间隔形成直接或间接的联系.神经垂体组织存在两种类型的脑垂体细胞.腺垂体分布催乳激素分泌细胞、促肾上腺皮质激素分泌细胞、生长激素分泌细胞、促甲状腺素分泌细胞、促性腺激素分泌细胞、促黑色素激素分泌细胞、过碘酸反应细胞(PAS-反应细胞)等7种分泌细胞类型和一种非分泌细胞(星状细胞).本文对硬骨鱼类脑垂体的超微结构特点和腺细胞类型作了讨论.     

AlF3-MgF2-SiO2系低温共烧氧氟玻璃陶瓷性能研究

制备了AlF3-MgF2-SiO2系低温共烧氧氟玻璃陶瓷材料,用XRD、SEM和阻抗分析仪等分析其烧结特性、显微结构、介电性能以及与Ag电极浆料共烧等性能。结果表明:该材料可以在900℃烧结致密化,烧成后的样品具有低的介电常数(6.2)和介质损耗(<0.002)、较低的热膨胀系数(7.4×10–6/K)、较高的弯曲强度(220 MPa)和热导率[2.4 W/(m.K)],能够与Ag电极浆料共烧,是一种很有应用前景的低温共烧陶瓷基板和无源集成介质材料。     

一种抑制脉冲激光测距机低温虚警的方法

阐述了一种实用型抑制脉冲激光测距机低温虚警的方法,重点用于解决脉冲激光测距机在研制过程中,常温和高温都能够满足虚警率指标,而低温时虚警率工作超标的问题。通过产生虚警的原因分析,在雪崩二极管噪声闭环偏置控制回路中,增加了门限控制及噪声检测电路,通过单片机对闭环噪声控制回路的参数进行实时调节,使低温虚警得到有效抑制,能够满足系统指标要求。     

低温漂带隙基准源及驱动电路设计

基于标准N阱CMOS工艺设计了一种带隙基准电压产生及输出驱动转换电路。该电路采用0.6μmCSMC-HJN阱CMOS工艺验证,HSPICE模拟仿真结果表明电路输出基准电压为1.25V左右;在–55℃～125℃温度范围内的典型工艺参数条件下,电路温度系数仅为7×10-6/℃;电源电压范围为4V￣6V,在产生标称1.25V基准电压的同时,可以为负载提供1mA￣2mA的电流驱动能力。     

低温阳极键合工艺研究

对低温阳极键合特性进行了研究.通过对硅片进行亲水、疏水和表面未处理3 种不同处理方式研究其对键合的影响,键合前将硅片浸入去离子水（DIW）中不同时间,研究硅表面H基和氧化硅分子数量对键合的影响.结果表明经亲水处理的硅片在水中浸泡1 h 的键合效果最佳.并设计了不同烘烤时间下的阳极键合实验,表明在100 °C 下烘烤30 min 可以有效减少气泡的数量和尺寸.由不同工艺条件下得到的键合形貌可知,通过控制硅片表面微观状态可以达到减小或消除键合气泡的目的.     

Structural stability of low temperature grown InGaAs/GaAs heterostructure

InGaAs/GaAs superlattice was grown by molecular beam epitaxy (MBE) on GaAs (100) substrate at low substrate temperature (250°C). The as-grown superlattice sample was then annealed at various temperatures for 10 min. The as-grown superlattice was pseudomorphic and stable up to 800°C annealing. Annealing at 850°C or higher temperatures, however, caused strain relaxation accompanying with dislocation generation at the As precipitate. Dislocation generation at the As precipitate was influenced by two factors. The one is lattice mismatch between GaAs and As precipitate, and the other is elastic interaction force acting on the As precipitate.     

低温省煤器技术在电厂锅炉的应用

低温省煤器技术是为了充分节约能源、保护环境,深度利用锅炉排烟余热的一项技术,针对当前电厂锅炉的排烟温度过高的问题,这项技术便成为近年来发电厂有效降低锅炉排烟温度的一项很实用的方法.