辉光放电质谱法在高纯材料分析中的应用

高纯材料是现代高新技术发展的基础,在电子、光学和光电子等尖端科学领域发挥着重要作用。采用固体样品直接分析的辉光放电质谱法(GDMS),在高纯金属、高纯半导体材料的痕量和超痕量杂质分析中有着非常广泛的应用。综述了GDMS法对高纯金属、高纯半导体材料进行的元素分析,并对分析过程中工作参数、溅射时间、干扰峰等因素的影响进行了阐述。同时,也详述了应用GDMS法对高纯金属钛、镉,高纯半导体硅,分别进行的痕量杂质元素分析,结果显示放电稳定性良好,典型元素含量的相对标准偏差均在较为理想范围内。GDMS应用前景广泛,未来,GDMS将在除固体样品之外的其他样品类型的分析领域中发挥重要作用。     

全国第八届稀有金属难熔金属分析学术会议征文通知

全国第八届稀有金属、难熔金属分析学术会议原定于 2 0 0 2年召开 ,因征集稿件较少等原因 ,经研究决定延期到 2 0 0 3年第三季度在海南召开。稀有金属、难熔金属是国民经济建设及国防工业的重要材料 ,与之相关的分析检测工作特别是质检、商检、仲裁等对其生产、科研、商贸有重要意义。为了适应我国社会主义市场经济和加入ＷＴＯ后新形势的需要 ,召开新一届稀有金属、难熔金属分析学术会议 ,及时总结前段时间工作 ,对于促进我国稀有金属、难熔金属领域分析测试技术的进一步发展 ,将起到重要作用。欢迎各分析界同仁及分析仪器厂商踊跃投稿、积…     

半导体分析

一、前言从各种电子材料的分析中,本文拟就硅半导体、化合物半导体有关的分析作一综述。在半导体工业领域,当前需要研究的课题有以下几个方面。与器件有关的有:逻辑元件高速化,存储元件超高集成化,光电元件高性能化,研制以新概念为基础的新型器件等;与工艺有关的有:欲达到上述目的的微加工技术以及与其相应的净化技术,高纯预处理技术等;与单晶、     

《稀有金属》中文版2002年征订、征稿启事

《稀有金属》是大型综合性科技期刊 ,北京有色金属研究总院院长屠海令任主编。《稀有金属》为中文核心期刊 ,冶金工业类核心期刊 ,中国科技论文统计源期刊 ,中国科学引文数据库源期刊 ,中国物理学文献数据库源期刊以及中国学术期刊 (光盘版 )入编期刊等。从 2 0 0 1年起 ,世界著名检索系统美国化学文摘(ＣＡ)开始收录本刊。《稀有金属》主要报道稀有金属、贵金属、稀土金属及镍、钴等有色金属在材料研制、合金加工、选矿、冶炼、理化分析测试等方面的最新科研成果及应用 ,同时还报道超导材料、半导体材料、能源材料、复合材料、陶瓷材料、纳…     

高纯稀土氧化物中其他稀土元素分析

随着各项特性功能的要求,高新功能材料不断被研究出来。稀土由于其优异的特性,在光功能晶体、电子陶瓷、高纯稀土镀膜材料等高端功能材料制造中,高纯稀土的需求将越来越大。高纯稀土的分析检测技术是高纯稀土生产和相关应用的基础,因此,建立准确的高纯稀土分析检测方法具有十分重要的意义。介绍了高纯稀土氧化物中共存的其他稀土元素杂质分析的方法及进展,并进行了展望。重点介绍了ICP-MS/MS方法在高纯稀土氧化物检测中的应用,指出了其在高纯稀土检测应用的广阔前景。     

火焰原子吸收光谱法测定铟冶炼窑渣中铟

铟是一种稀有金属,在自然界中含量极少.铟金属主要用于半导体和无线电技术,铟大部分从冶炼铅、锌等废渣中回收.目前我国铟的大规模生产主要是从冶炼锌的弃渣中回收,其工艺流程为干燥、挥发、浸出、置换、电解等,其中铟的挥发工艺是关键.     

溶胶-凝胶法制备掺杂二氧化钛薄膜及其光电性能研究

运用溶胶-凝胶法制备玻璃、陶瓷材料,具有低温、均匀、高纯、溶液铸塑等独特的优点,已引起科研人员的极大兴趣^[1]。二氧化钛是一种具有良好的光学性能的半导体材料,并已被广泛地研究。     

银辅助化学刻蚀半导体材料

微电子器件的发展趋势是小型化和多功能化,这就对半导体材料的加工技术提出了更高的要求。与传统的加工技术相比,近年发展起来的贵金属粒子辅助化学刻蚀半导体材料制备微结构技术因操作简单、不需要精密设备、反应迅速和可批量生产等优点引起了国内外学者的广泛关注。本文以Si为主,详细介绍了Ag辅助化学刻蚀半导体材料的机理、反应现象及影响因素,总结了各种微结构的制备技术及其应用。此外,对Ge,Si1-xGex和GaAs等其他半导体材料的贵金属粒子辅助化学刻蚀技术也进行了综述。同时分析了贵金属粒子辅助化学刻蚀半导体目前存在的问题,并对未来的研究方向进行了展望。     

高性能双极性聚合物半导体材料与晶体管器件

有机聚合物半导体材料与晶体管器件是融合了化学、材料、半导体以及微电子等学科的前沿交叉研究方向.聚合物半导体材料分子是该领域研究的重要内容,其中双极性聚合物分子半导体材料,兼具了电子和空穴的双重载流子输运能力而受到学术界的广泛关注.本文总结了双极性聚合物半导体材料与器件的研究进展,重点介绍了我们在D-A型双极性聚合物分子半导体材料设计、加工技术与器件制备以及功能应用方面的研究工作,并论述了双极性聚合物分子半导体材料与器件研究过程中存在的科学问题及发展方向.     

稀土发光材料技术和市场现状及展望

全面分析了新型节能绿色照明及平板显示用稀土发光材料研究及产业发展状况,特别总结了三基色节能灯照明、半导体照明、液晶显示背光源以及等离子平板显示用稀土发光材料的种类、性能、制备技术及产业状况。指出我国在半导体照明、液晶显示背光源、等离子显示等高端稀土发光材料领域核心知识产权缺乏、市场占有率低,在灯用三基色荧光粉等领域存在制备技术落后、发光效率低、稳定性差等问题。最后,展望了我国稀土发光材料下一步的研发和产业重点和发展趋势。     

核电站结构材料的锌离子注入电化学研究

应用电化学方法研究了锌离子注入(zinc injection)技术对核电站结构材料,如304L不锈钢、316L不锈钢和600合金在高温水中形成的氧化膜的电化学性能的影响. 锌离子注入压水堆(PWR)一回路技术可有效减少材料应力腐蚀破裂(stress corrosion cracking)和职业辐照. 用动电位扫描法检测材料氧化膜的自腐蚀电位与腐蚀电流,根据Mott-Schottky曲线分析Zn离子注入对材料氧化膜半导体性质的改变. SEM和XPS观察与检测试样表面形貌及其组分. 在Zn离子参与的金属氧化膜生成过程中,可生成Zn-Ni-Cr-Fe 氧化物,从而提高了材料的抗腐蚀能力及改变氧化膜的半导体性质.     

火花源质谱水质定量的分析方法

一、前言火花源质谱分析具有高灵敏度,同时测定多元素和测定较快的特点。目前,广泛用于高纯金属材料、高纯半导体材料、激光材料、矿物、土壤、生物、水质、月球样品诸方面分析测定中,是一种较好的分析方法。火花源质谱法在国内大多数工作为半定量分析,用在水质定量分析尚未见报导。国外应用火花源质谱于水质分析的报导亦不甚多。资料采用静电滴样法,测定水中的Be、Cr、Cu、As、Si、Pb和S,灵     

盐酸-过氧化氢封管分解法在贵金属及其合金与金属锆分析中的应用

在化学分析中的某些情况下,一个溶样方法的选择,决定了测定的成败(如铱合金分析)。为了分析试样、试剂合成或制备标准溶液而常采用的热压分解法(其中包括玻璃封管法及压力溶样器法)是贵金属分析中分解试样的重要方法之一。已有文献介绍,方法是将试样与溶剂一起密封后,在加热的条件下,溶剂蒸气压增大,从而大大提高了试样分解的效率,加快了分解速度又节省了溶剂。是分解贵金属、稀有金属、合金、矿物及有机物等试样的有效方法。     

高纯铟中微量碳的气相色谱测定

半导体基础材料高纯铟中微量杂质元素碳的存在是影响半导体器件质量的因素之一。因此,高纯铟中微量碳的测定已成为生产上需要解决的分析课题。本文介绍的气相色谱法是在纯氧气流中燃烧金属铟试样,使试样中的碳转化为二氧化碳,然后被氧气流载入低温冷阱,二氧化碳被捕集起来。再经过升温脱附、解吸,以纯氢气为载气,流经转化柱,在镍转化剂作用下,于420℃时二氧化碳以及可能存在的一氧化碳转化为甲烷,随氢气流一起经过热导池检测器,进行气相色谱测定,根据色谱峰面积计算出试样中碳的含量。取样量为1克时,方法的检出限约2×10~4%。     

用亚沸蒸馏法制取高纯水和高纯无机酸

我所采用了亚沸蒸馏法制取高纯水和高纯无机酸。从工作实践认识到,这种方法与经典的沸腾蒸馏法相比,要具有产品质量高,设备简单和操作方便等优点。采用这种方法,可将普通蒸馏水和市售一级无机酸中的杂质含量,降低到ppb(10~(-9)克)级含量水平。因此,这种方法将在同位素地质年代学、半导体材料、境境保护、高纯物质研究和微量化学分析中,愈来愈得到广泛的应用。     

纳米级掺锑SnO2导电粉体的水热合成及性能研究

高纯二氧化锡是一禁带宽度达3·8eV的绝缘体,当产生氧空位或掺杂氟、铟、锑等元素后形成N型半导体,具有导电性能。常用于这些领域的N型半导体有掺铟氧化锡(ITO)、掺锑氧化锡(ATO)、掺铝或掺镓氧化锌(AZO、GZO)。由于ATO的机械性能和热稳定性比ITO高,作为抗静电材料广泛应用于涂     

半导体分析

前言半导体材料的应用领域非常广泛,它包括电子学材料、磁性材料及光电材料等,其中,以硅为主要基础材料的电子学领域的发展最迅速。最近,用数微米的配线技术和深度数百埃的杂质扩散技术,已能在约5毫米见方的硅单晶片上,制得15万个元件的高集成化的集成电路。半导体材料的高纯化及掺杂的控制等,已进行多年的研究,且进展显著。目前,随着极微细化加工的需要,正在研究更痕量的碳、氧和重金属等杂质元素对元件产生的影响,因此,对这种影响     

电感耦合等离子体质谱法测定高纯铬中13种痕量元素

正高纯铬主成分含量高,杂质如碳、氮、氧、硅等元素含量低,其具有硬度大,熔沸点高,以及抗腐蚀能力强等特点。高纯铬主要应用于电气的触头生产,这种触头使用寿命长,不发生打弧粘连现象;同时也可以与铁、钴、镍、钨等元素一同用于冶炼各种特种钢和特种合金,这些特种钢和特种合金通常会具有耐高温、抗蠕变能力强等特点,是航空、宇航、汽车、造船等工业生产中不可缺少的材料[1-2];更高纯度要求的高纯铬可用于半导体和电子芯片行业。     

高纯贵金属中杂质元素检测技术新进展

高纯贵金属具有良好的抗腐蚀性、稳定的热电性、高温抗氧化性等优异的材料学特性,使得这一类材料在电子信息、生物医药、国防安全等领域有广泛的应用。高纯贵金属纯度是决定其性能和应用领域上限的重要指标,对贵金属生产工艺具有重要指导作用。综述近年来电感耦合等离子体发射光谱法、电感耦合等离子体质谱法、辉光放电质谱法等检测技术在高纯贵金属痕量杂质检测中的进展,对存在的问题进行了分析探讨,并对未来高纯贵金属中痕量杂质检测在评价体系和标准化方面的发展趋势进行了展望。     

半导体材料及纯金属中气体分析

无论是半导体材料或纯金属,在制备和加工过程中都不可避免与气体接触,因此甚至在超纯材料中也会有痕量气体。本文论及的气体除氢、氧、氮外还包括碳,这些元素对材料的物理性能与机械性能有很大的影响。随着近代工业和尖端技术的飞跃发展,测定它们的含量和存在形式日益显得重要。本综述是根据1980年以来已发表的文献和专著中有关半导体和纯金属气体分析的主要资料撰写的。作者深感要提高分析的准确度和精度必须充分认识仪器和分析方法本身存在着的系统误差。正如E.Grallath所指出的那样,系统误差可以表现在分析方法的每一个步骤,即从取样、试样的制备、试样的分解、