苯并噻唑衍生物用作EL器件中发光材料的研究

在多层结构的有机电致发光器件(EL)研制中,一个最富吸引力的提高器件发光效率的方法是通过选择具有高荧光量子产率的发光染料为掺杂剂,加入到作为主体的电子或空穴传输层内,经电子与空穴在主体化合物层内的复合形成激子,经能量转移,激发染料分子,发射染料荧光.     

吡唑啉衍生物作为空穴传输层在电致发光材料中的应用

我们曾报道过有关1,3二苯基吡唑啉衍生物的光谱和光物理行为^[1,2],并详细地研究了它们在受激发后的辐射和非辐射衰变过程.该类化合物作为一种良好的光致发光材料,由于存在着分子内共轭的电荷转移结构,因此表现出较强的光诱导分子极化能力,可用作为有机非线性光学材料^[3]、光折变材料等.此外,还发现该类化合物在组合型光导器件中可用作空穴传输层材料.既然这类化合物兼具光致发光和空穴传输功能,很自然的会考虑到,它是否也能用作为一种有机的电致发光(EL)材料.有机电致发光材料的重要性自不待言,特别近年来许多科学家致力于此,因此进展很快.但寻找新的高效材料,不论是用作主要的发光层或其它的辅助性化合物,仍在继续.本简报即是对上述化合物用作EL材料的初步研究.     

含"单"及"双"吡唑啉基化合物的光致发光和电致发光的比较研究

对7种含"单"或"双"吡唑啉化合物在溶液和在固体器件[ITO/TPD/TPBI-2%EP/TPBI/Mg-Ag]中作为掺杂发光材料的电致发光特性进行了研究.结果表明,由吡唑啉化合物所构成的器件具有优良的电致发光特性.特别是在5-位处联有芳基的双吡唑啉化合物,由于它们具有良好的成膜能力和较高的玻璃化转变温度,因此所制得的器件有很好的稳定性.结果还表明,含双吡唑啉基化合物的荧光量子产率较含单吡唑啉基者为低.由它们所构成器件的电致发光能力也大体反映出相同的趋势.     

吡唑啉衍生物有机电致发光器件中激基复合物的发射

以两种吡唑啉衍生物为空穴传输材料(HTM)和BBOT为电子传输材料组成双层器件, 获得了相对于组成材料的荧光光谱红移和宽化的电致发光. 双层器件和HTM∶BBOT等摩尔混蒸薄膜的光致发光及电致发光测量表明, 该谱带来自HTM/BBOT界面激基复合物的发射, 根据器件的能级图, 激基复合物的类型为BBOT的激发态BBOT⁽与基态的HTM相互作用的复合物. 用HTM∶BBOT混合发光层增加器件中激基复合物的形成界面, 提高了器件的发射性能.     

一种蓝光单体的合成及其荧光性能研究

吡唑啉衍生物在生物医药[1,2]应用的领域非常广泛.吡唑啉还是一种优质的发光材料[3],其发射波长位于450nm左右,具有很高的荧光量子效率,且发光波长窄,色纯度好,是一种纯正的蓝光.当吡唑啉环3位引入给电子基时,化合物则具有很高的荧光量子产率,可制得具有高热稳定性的空穴传输蓝光发光材料[4-6]和荧光探针[7].它还可以将吸收的不可见的紫外光转变为蓝色的可见光反射出来,从而增加了光线的反射率,使被其处理过的物体白度和光泽提高,所以吡唑啉又被做为荧光增白剂和荧光染料[8,9]进行广泛地应用.     

几种吡唑啉衍生物的光致发光和电致发光特性研究: 一类 蓝色的OLED发光材料

对四种不同结构的吡唑啉化合物在溶液和薄膜中的光致发光行为及作为掺杂染料组成两种不同结构电致发光(EL)器件的发光行为进行了研究。结果表明,具有相同共轭部分,但未成环的腙类化合物,不论在溶液中或在固相条件下,都不能很好的发射荧光。而构成了吡唑啉环的化合物,则在上述两种情况下都有较强的荧光发射能力。在5位处联有苯基的非平面状吡唑啉化合物,由于不易于结晶化而有良好的成膜性能;相反,在5位处无苯环联结者,如EP3,则由于其易于结晶化,因而不利于器件的制作。     

几种吡唑啉衍生物的光致发光和电致发光特性研究: 一类 蓝色的OLED发光材料

对四种不同结构的吡唑啉化合物在溶液和薄膜中的光致发光行为及作为掺杂染料组成两种不同结构电致发光(EL)器件的发光行为进行了研究。结果表明,具有相同共轭部分,但未成环的腙类化合物,不论在溶液中或在固相条件下,都不能很好的发射荧光。而构成了吡唑啉环的化合物,则在上述两种情况下都有较强的荧光发射能力。在5位处联有苯基的非平面状吡唑啉化合物,由于不易于结晶化而有良好的成膜性能;相反,在5位处无苯环联结者,如EP3,则由于其易于结晶化,因而不利于器件的制作。     

含咔唑、噁二唑及8-羟基喹啉的金属络合物型发光材料

为了得到发光性能优良的有机薄膜发光器件,在有机发光材料化合物的分子结构及器件构筑方面,一个重要的途径是在发光化合物的分子设计或器件的组合中,要既具有空穴传输功能团,又具有电子注入功能团,并使两者的传输效率应尽量达到一个恰当的平衡[1].为此,我们设计并合成了分子中含有发光强度高、稳定性好、载流子传输效率高8-羟基喹啉铝金属配合物型发光单元,并分别与空穴传输功基咔唑环及电子注入基噁二唑环相联的两种化合物[2],对它们的光发射性能进行了初步研究.由它们构成多层结构的发光器件,是下一步的研究工作,合成路线如下:     

含稀土铕络合物的三元共聚物的光电性质

合成了可平衡电荷(空穴与电子)传输的三功能合一的稀土铕发光材料,将几种稀土铕络合物单体与乙烯基咔唑、甲基丙烯酸甲酯共聚制得含咔唑和稀土铕络合物的空穴传输层发光层电子传输层(HTLEMLETL)三功能合一的聚合物,并研究它们的电化学及电致发光性能.电化学分析表明这类三元共聚物兼有氧化性和还原性,氧化电位及还原电位分别为0.75V和-1.8V左右,可见这类材料同时具有空穴传输和电子传输功能.从测定的电致发光谱看,AlQ3、TPD及咔唑基等发光单元在器件中没有共发光,而是起电荷传输作用,以这些材料制作的电致发光器件所发的红光纯度都比较高.     

不同电子传输层的蓝光有机电致发光器件的性能研究

自从Tang等^[1]首次报道多层有机电致发光器件（OLED）以来,其在亮度和效率上有了质的飞跃,表明器件的结构对提高发光亮度和发光效率起着至关重要的作用,单层器件虽然具有制作简单的优点,但却存在明显缺点：（1）复合发光区靠近金属电极,该处缺陷很多,非辐射复合几率大,导致器件效率降低;（2）由于两种载流子注入不平衡,载流子的复合几率较低,因而影响器件的发光效率,要使发光层中具有高的载流子辐射复合效率,两种载流子的注入及传输能力应相当,否则传输快的一方就会直接穿过发光层到达对电极被猝灭,平衡电子和空穴的注入与传输可通过在电极和发光层之间加入载流子输运层或限制层制作多层器件的途径来实现,基于上述考虑,我们以PPCP为发光层（PPCP是一种荧光效率较高的蓝光材料^[2-4],对其进行深入研究尚未见有文献报道＿,设计了4种不同电子传输层（ETL)的三层 结构的OLED,为研究电子传输层对器件性能的影响,我们还制备了不含电子传输层的双层器件,结果表明,通过选择合适的ETL,OLED的发光亮度及发光效率会有很大程度的改善。     

Bright red electroluminescent devices based on a soluble lanthanide complex Eu(DBM)_3(phen)

Electroluminescent devices with PVK film doped with Eu(DBM)3(phen) and PBD were fabricated. The device structure of glass substrate/indium-tin-oxide/PPV/PVK:Eu(DBM)3-(phen):PBD/Alq3/Al was employed. The emissive layer was formed by spin-casting method. A sharply red electroluminescence with a maximum luminance of 114.4 cd/m2 was achieved at 42 V.     

稀土配合物Eu(TTA)4C5H5NC16H33的红光二极管

A thin film electroluminescence cell with the structure of ITO/PPV/PVK∶Eu(TTA)₄C₅H₅NC₁₆H₃₃∶PBD/Alq₃/Al has been fabricated. Red emission with a very sharp spectral band at 614nm was observed and a maximum luminance of 20cd·m^-2 at 36V was obtained from the spin-coated device. The full width at half maximum of lu-minescent spectrum is less than 10nm.     

Synthesis and electroluminescent properties of naphthalimide derivatives

Naphthalimide derivatives, N-ethyl-4-acetylamino-l ,8-naphthalimide (EAAN) and polymer with N-propyl-4-acetylamino-l,8-naphthalimide (PAAN) side-chain (P-PAAN) were successfully synthesized. Electroluminescent devices of ITO/PVK(120nm)/EAAN(50nm)/Al(150nm) (Ⅰ) and ITO/PVK P-PAAN( 10:1) (50nm)/Al(150nm) (Ⅱ) constructed with EAAN and P-PAAN as the emitting layer were investigated, whereas the single-layer devices of ITO/EAAN or P-PAAN(50nm)/Al(l50nm) (Ⅲ) were not observed to have any e-mission light. The emission results revealed that the exciton recombination formed by positive and negative charge carriers injected from electrodes of devices Ⅰ and Ⅱ was much more balanced than that of devices Ⅲ, which implied that naphthalimide derivatives are a new type of electron-transporting materials with high performance. The electron-transporting properties of naphthalimide derivatives were also elucidated by investigation of the electroluminescent behaviors from both devices of ITO/PPV (80nm)/Al and ITO/P     

Cascade hole transport in efficient green phosphorescent light‐emitting devices achieved by layer‐by‐layer solution deposition using photocrosslinkable‐conjugated polymers containing oxetane side‐chain moieties

A hole‐injection/transport bilayer structure on an indium tin oxide (ITO) layer was fabricated using two photocrosslinkable polymers with different molecular energy levels. Two photoreactive polymers were synthesized using 2,7‐(or 3,6‐)‐dibromo‐9‐(6‐((3‐methyloxetan‐3‐yl)methoxy)hexyl)‐9H‐carbazole) and 2,4‐dimethyl‐N,N‐bis(4‐ (4,4,5,5‐tetramethyl‐1,3,2‐dioxaborolan‐2‐yl)phenyl)aniline via a Suzuki coupling reaction. When the oxetane groups were photopolymerized in the presence of a cationic photoinitiator, the photocured film showed good solvent resistance and compatibility with a poly(N‐vinylcarbazole) (PVK)‐based emitting layer. Without the use of a conventional hole injection layer (HIL) of poly(3,4‐ethylenedioxythiophene)/(polystyrenesulfonate) (PEDOT:PSS), the resulting green light‐emitting device bearing PVK: 5‐4‐tert‐butylphenyl‐1,3,4‐oxadiazole (PBD):Ir(Cz‐ppy)3 exhibited a maximum external quantum efficiency of 9.69%; this corresponds to a luminous efficiency of 29.57 cd/A for the device K‐4 configuration ITO/POx‐I/POx‐II/PVK:PBD:Ir(Cz‐ppy)3/triazole/Alq3/LiF/Al. These values are much higher than those of PLEDs using conventional PEDOT:PSS as a single HIL. The significant improvement in device efficiency is the result of suppression of the hole injection/transport properties through double‐layered photocrosslinked‐conjugated polymers. © 2011 Wiley Periodicals, Inc. J Polym Sci Part A: Polym Chem, 2012     

聚合物薄膜交流电致发光器件

We have demonstrated an electroluminescent (EL) device having the structure of ITO/PPV/Alq3:PVK/Al. This device could be driven by either forward bias or backward bias, and its EL originated from PPV layer.     

Organic electroluminescent device with aromatic amine-containing polymer as a hole transport layer (II): Poly(arylene ether sulfone)-containing tetraphenylbenzidine

Organic electroluminescent devices were fabricated using a poly(arylene ether sulfone)-containing tetraphenylbenzidine (PTPDES) and tris(8-quinolinolato)-aluminum(III) complex, Alq, as the hole transport layer and the electron-transporting emitter layer, respectively. A device structure of glass substrate/indium—tin oxide (ITO)/PTPDES/Alq/Mg : Ag was employed. Hole injection from ITO through the PTPDES layer to the Alq layer and concomitant electroluminescence from the Alq layer were observed. Bright green light with a luminance of 14,000 cd/m² was observed at a drive voltage of 14 V, indicating that the polymer possesses a high hole mobility and a high electron-blocking capability.     

可溶性聚合物电致发光材料PDHPV的合成及单、双层发光二极管器件的发光性能比较

可溶性聚合物电致发光材料ＰＤＨＰＶ的合成及单、双层发光二极管器件的发光性能比较李晨曦，尹春，黄文强，印寿根，张会旗，何炳林，郑军，华玉林（南开大学高分子化学研究所，天津，３０００７１）（天津理工学院材料物理研究所）关键词ＰＤＨＰＶ共轭聚合物；电致发光...     

超薄层在白色有机电致发光器件中的应用

以DCJTB为掺杂剂, 以BCP为空穴阻挡层, 研究了两种结构的有机电致发光器件ITO/NPB/BCP/Alq3:DCJTB/Alq3/Al(结构A)和ITO/NPB/BCP/Alq3/Alq3:DCJTB/Alq3/Al(结构B)的电致发光光谱. 实验结果显示, 在结构A器件的电致发光光谱中, 绿光的相对发光强度较弱,增加Alq3层的厚度对绿光的相对发光强度的影响也很小; 而在结构B器件的电致发光光谱中, BCP层与掺杂层(Alq3:DCJTB)之间的Alq3薄层对绿光的相对发光强度影响显著, 用很薄的Alq3层就可以得到强的绿光发射. 进一步改变器件结构, 利用有机超薄层就可以得到稳定的白光器件ITO/NPB(50 nm)/BCP(3 nm)/Alq3(3 nm)/Alq3:DCJTB(1%(w))(5 nm)/Alq3(7 nm)/Al. 随着电压的增加(14-18 V), 该器件的色坐标基本保持在(0.33, 0.37)处不动; 在432 mA·cm-2的电流密度下, 该器件的发光亮度可达11521 cd·m-2.     

掺杂meso-四(对葵酰氧基苯基)卟啉铂的饱和红色聚合物发光器件

在聚2,7-(9,9-二辛基)芴(PFO)和30%的2-(对联苯基)-5-(对叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑(PBD)主体材料中掺杂短磷光寿命的meso-四(对正葵酰氧基苯基)卟啉铂（TDPPPt）,制成聚合物基发光器件。 器件结构为：ITO/PEDOT∶PSS/PVK/PFO+30%PBD∶TDPPPt/Ca/Al（ITO:氧化铟锡;PEDOT:聚3,4-乙撑二氧噻吩;PSS：聚苯乙烯磺酸盐;PVK：聚乙烯基咔唑）。 当客体掺杂浓度≥3%时,器件给出饱和的红色发射。 当驱动电压从7 V升高至14 V时,器件发光色度保持不变,CIE(国际发光照明委员会)色坐标稳定在(0.66,0.28）左右。 器件的最大亮度和电流效率分别为1.390 cd/m2和1.34 cd/A。 在电流密度100×10-3和150×10-3 A/cm2时,电流效率分别为1.18和0.99 cd/A,器件在高电流密度下具有良好的稳定性。