二次电子发射系数的测量及应用

对多种材料的二次电子发射系数进行了测量,并讨论了这些受试材料的二次电子发射特性和发光效率。通过测量,可选择合适的材料以改善ＰＤＰ的性能。     

高能原电子下金属曲面二次电子发射的理论研究

从半经典定理出发,根据金属二次电子发射系数与入射角度的近似关系,分析了曲面的二次电子发射,推导出高能原电子入射情况下,两种常规金属曲面(圆柱曲面和球冠曲面)的二次电子发射系数,进一步得到任意曲面二次电子发射系数的求解思路,分析并讨论了结果.     

碳纳米涂层材料的二次电子发射系数及工艺研究

采用电泳沉积制备薄膜的方法,在铝合金镀银片上均匀的涂覆纳米碳涂层。研究了不同的电泳电压及电泳时间对涂层形貌结构的影响。扫描电子显微镜（SEM）、二次电子发射系数（SEY）测试结果表明,保持阴阳极间距为1cm,在30V的直流电压下电泳15min所获得的样片涂层均匀、连续、致密且具有明显的陷阱结构。实验表明,其SEY最大值σmax达到2.03,对应的入射能量为500eV,E1能量点在60eV。使用Ar离子轰击清洗表面10min后,样片的SEY最大值σmax达到1.76,对应的入射能量Emax为400eV,E1能量点在80eV。     

微通道板高增益二次电子发射层制备研究

提高微通道板(Micro-channel Plate,MCP)的综合性能一直都是器件使用性能提升首要解决的关键问题.纳米薄膜材料的发展及其制备技术的成熟为微通道板性能提升提供了契机,使用原子层沉积(Atomic Layer Deposition,ALD)技术,在微通道板的通道内壁生长一层A12O3薄膜作为高二次电子发射层,以增强通道内壁的二次电子发射能力,从而提升微通道板的增益性能.通过调节ALD沉积过程中的循环数,腔室反应温度和前驱体反应时间,分析工艺条件改变对MCP二次电子增益的影响.结果表明ALD沉积工艺参数对MCP二次电子增益有很大影响,使用适当的工艺参数,可得到具有高二次电子增益的MCP.     

MgO薄膜二次电子发射系数测量装置的设计

Mg O薄膜的二次电子发射系数 γ在彩色等离子体显示器的研究中是一个非常重要的参数。因此 ,准确的测量 Mg O膜的二次电子发射系数是很有必要的。本文分析了在二次电子发射系数测量中最容易出现的一些问题 ,并从 Mg O膜的二次电子发射机理入手 ,阐述了一种测量二次电子发射系数的方法。这种方法在实践中证明是行之有效的。     

抑制行波管多级降压收集极二次电子发射的工艺研究

利用自行设计制造的一台抑制行波管多级降压收集极（MDC）二次电子发射的专用设备,分别对无氧铜片样品与无氧铜MDC进行了离子束表面改性的工艺研究。结果表明,表面改性后无氧铜表面二次电子发射系数可以得到大幅度的降低,有效提高空间行波管MDC的效率及整管效率。     

PDP器件中MgO薄膜二次电子发射系数γ的研究

结合等离子体显示器件 ( PDP)的放电机理 ,论述了 PDP中 Mg O保护膜的二次电子发射过程 :势能型发射和动能型发射。讨论了两种二次电子发射系数 γ的测量方法和装置 ,在此基础上 ,建立了一套简单可行的适用于 PDP样品的实验装置 ,文中给出γ值的测量结果。通过γ值的测试 ,可以反馈 Mg O保护膜的性能 ,为提高PDP性能提供依据     

二次电子发射系数对新型SM􀀁PDP 放电过程的影响

针对新型荫罩式PDP(SM-PDP)结构，采用二维数值模拟的方法研究了二次电子发射系数对放电过程的影响；以及在放电单元不同的表面上，二次电子发射系数对放电过程影响。通过计算比较得知二次电子发射系数越大，响应频率越快，粒子电离率越高；在SMPDP中，二次电子发射主要是由粒子轰击放电单元内上下介质表面决定的。     

纳米MgO晶体制备及其二次电子发射系数理论研究

为了研究MgO晶体和二次电子发射效率间的关系,分析了直接沉淀镁盐法生成Mg(OH)_2以及三段式温度煅烧Mg(OH)_2制备MgO晶体的过程,并使用扫描电镜和XRD对制成的MgO晶体进行了表征。在此基础上,采用第一性原理对MgO晶体的能带结构和态密度进行了计算,分析了晶体表面的结晶取向对MgO二次电子发射系数的影响。实验结果表明,本方法制备的MgO为立方晶体,且晶粒尺寸均匀分布在40.65nm附近,晶面取向为(200)、(111)、(220),并沿(200)取向择优生长。常见的(110)、(100)和(111)三种晶面取向中,表面(110)取向的MgO晶体禁带宽度最低,材料表面的二次电子发射系数相对较高。     

多级降压收集极CAD中的二次电子发射模型

多级降压收集极被广泛应用于提高微波放大器件效率.多级降压收集极中的二次电子发射对其效率有重要影响.该文探讨了真二次电子、弹性反射电子、非弹性反射电子3种二次电子发射模型,对发射率、发射角度以及能量分布情况进行了深入分析,并对考虑二次电子后的收集极模拟计算收敛条件进行了讨论.上述结果在多级降压收集极CAD软件中得到应用,定量分析了其对多级降压收集极效率的影响.     

Synchrotron investigations of an electron energy spectrum in III–V-based nanostructures

Using synchrotron radiation, the spectra of an X-ray absorption near-edge structure in a region of P-L _{2, 3} edges of a band spectrum are obtained for the first time. The spectra give insight into the local density of states in the conduction band for MOCVD-grown nanostructures with InP quantum dots on GaAs(100) substrates and for porous InP layers obtained by anodic pulse electrochemical etching of single-crystal InP(100) wafers. For all of the nanostructures, quantum-confinement effects are observed, which manifest themselves in the emergence of an additional level 3.3 eV above the conduction band bottom, as well as in variation in the band gap of the materials under investigation upon the dimensional quantization of the electron spectrum. A band-to-band origin of the luminescence spectra for the nanostructures investigated is assumed.     

一种提高扫描电子显微镜－能谱空间分辨率的方法

目前,扫描电子显微镜－能谱（ SEM?EDS）联用技术在分析测试领域已得到广泛应用,它可对材料和生物样品的微观表面进行形貌观察,并对样品中所选定的微区内进行元素成分定性定量以及元素分布分析。但是,由于元素的特征X射线能量高,在样品中的出射范围较深,能谱的空间分辨率较差,导致在使用传统制样方法时都不可避免地会受到来自叠加样品特征X射线以及基底材料特征X射线的干扰,从而影响最终实验结果。为了克服能谱空间分辨率不足的问题,本文应用薄片法的原理研制了一种新的装置,将纳米厚度的样品分散在装置的碳膜上,进行能谱分析。通过与传统实验的对比,附加新装置后其能谱空间分辨率较以往常规实验提高了2～4倍。     

储能晶界层电容材料的研究进展

介绍了晶界层材料的储能优势,分析了晶界层材料的储能原理。综述了BaTiO3和CaCu3Ti4O12等晶界层电容器材料的研究现状,并对晶界层储能电容所需的高介电常数和高击穿电压,以及实现这一性能须采取的改性包覆等措施进行了总结与展望。     

基于循环谱能量的自适应频谱检测算法

根据信号循环平稳谱的特征,研究在低信噪比环境下的频谱检测问题,提出一种基于循环谱能量的自适应判决门限频谱检测算法。该算法融合能量检测与循环平稳特征检测的机理,以信号的循环谱能量为检测统计量,加权合并虚警率与检测率,准确估计循环谱特征值,构建了具有噪声自适应能力的频谱检测判决门限。仿真结果表明,该算法可以在低信噪比环境下有效地完成频谱检测,克服了噪声波动对频谱检测性能的影响,对不同调制主信号的感知具有稳健性。与最大—最小特征值算法和盲检测算法相比,该算法分别改善了信噪比4dB和8dB。     

基于自适应陷波器的电子能量损失谱能量漂移的消除方法

电子能量损失谱是透射电子显微术中一种重要的分析手段,它可以帮助人们从纳米尺度上认识材料的电子结构等信息。但电子能量损失谱仪特别容易受到周围环境因素的影响,比如说固定工频干扰,而产生电子能量损失谱能量的漂移。本文结合串行快响应能谱探测器和自适应陷波器手段,提出了一种消除电子能量损失谱中能量漂移的方法,实验结果表明这种方法能够有效消除电子能量损失谱中由于固定工频干扰所造成的能量漂移。     

基于能量和循环谱的两步频谱感知

频谱感知是认知无线电的重要技术之一,它通过实时感知电磁环境以判断频谱空穴的存在。根据能量检测的检测时间短,以及循环平稳特征检测在低信噪比情况下的检测准确性高的优点,提出了基于能量和循环谱的两步检测算法。通过实验仿真表明,与循环平稳特征检测相比,两步检测的检测时间大幅度缩短,同时检测准确性也得到了提高。     

用于LIA强流脉冲电子束能谱测量的磁分析器设计

为了测量一台直线感应加速器输出的强流脉冲电子束的能谱宽度,开展了磁分析器的设计研究工作。从磁分析器测试能谱的原理出发,根据被测对象以及测试的一些基本条件提出了磁分析器的基本参数,据此进行了磁铁的理论设计,利用Vector Fields公司的Opera3D／Tosca软件对磁铁进行了三维仿真计算,并对理论设计的结果进行了优化。设计得到的磁分析器为C型磁铁,偏转半径300mm,硬边近似后偏转角度60°,磁极间隙30mm,好场区宽度65．4mm。磁分析器的设计结果很好地满足了物理需求。     

二次电子像质量

扫描电镜(SEM)中，一幅高质量的图像应该满足三个条件：一是分辨率好，显微结构清晰可辨；二是衬度适中，图像中无论是黑区还是白区的细节都能看清楚；三是信噪比好，没有明显的雪花状噪声。其中分辨率是最重要的指标。多年来为提高分辨率进行了不懈的努力，今天已达到0．6nm。     

A high performance inverted organic light emitting diode using an electron transporting material with low energy barrier for electron injection

A high performance inverted green emission organic light emitting diode with a maximum external quantum efficiency of 20% and a maximum power efficiency of 80 lm/W was realized by properly selecting an electron transporting material to have no energy barrier for electron injection between the n-doped electron transporting layer (n-ETL) and the ETL. Based on the energy levels and the current density–voltage characteristics of electron only devices, we demonstrate that the interface between an n-ETL and an ETL even in homo-junction is as important as the interface between the cathode and the n-ETL for efficient electron injection into an emitting layer.     

Plasma electron density generated by a semiconductor bridge as afunction of input energy and land material

The plasma densities generated from a semiconductor bridge (SCB) device employing a capacitor discharge firing set have been measured using a microwave resonator probe in vacuum (⩽10^-5 torr). The spatial resolution of the probe is comparable to the separation between the two wires of the transmission line (≈3 mm). This method is superior to Langmuir probes in this low density, small volume application because Langmuir probe measurements are affected by sheath effects, small bridge area, and unknown fraction of multiple ions. Measured electron densities are related to the land material and input energy, Although electron densities in the plasma generated by aluminum or tungsten-land SCB devices show a general tendency to increase steadily with input power, at the higher energies, the electron densities generated from the tungsten-land SCB devices are found to remain constant