制备45°双外延超导结的新工艺

我们使用脉冲激光沉积方法对YBa2Cu3O7-δ(YBCO)薄膜在MgO基片上通过CeO2/YSZ双缓冲层的生长进行了系统的研究,发现MgO单晶基片的表面质量是决定能否得到理想外延薄膜质量的关键因素,通过使用低能离子束对MgO表面进行轰击,以增加其表面粗糙度和去除变质层,得到了具有100%面内45°旋转的YBCO外延膜,其临界电流密度77K时在106A/cm2量级.通过湿法刻蚀得到的双外延Josephson结表现出RSJ特性.     

双模非经典光场辐照下介观约瑟夫森结中超流的动力学行为

研究了直流偏置电压下介观约瑟夫森结在SU（1，1）双模相干态光场作用下超流的动力学行为、流压台阶和直流分量等特性．研究发现超流能够呈现明显的崩塌与复苏现象，对于经典电磁场和非耦合的双模相干态光场作用下的情况，超流不出现此现象，且其流压台阶结构与后两种情况也不相同． 关键词：     

利用一种改进模型研究谐振器耦合时的约瑟夫森结的响应(英文)

提出了一种改进的谐振器耦合时的约瑟夫森结模型,模型考虑了结与谐振器之间的耦合强度。利用这种模型,研究了谐振器耦合时的约瑟夫森结的响应,包括单结的电压自锁定和结阵列的相位互锁定现象。研究了耦合强度、谐振器的品质因数和谐振频率对电压自锁定的影响,并给出了合理的解释。此外,还对结阵列的相位互锁定强度对锁定电压和结数量的依赖关系进行了研究,并与理论值进行了比较。所得结果对谐振器耦合下的约瑟夫森结的应用具有指导意义。     

层状耦合约瑟夫森双结中的孤子解

基于Sakai-Bodin-Petersen理论，我们求解了对称的双约瑟夫森结的耦合非线性方程组．结果表明，线性化方程组的同相和反相解所对应的两种磁通运动模式也存在于原始的非线性方程组的解中，同时非线性方程组独有的位相锁定的扭折（kinks）形式的磁通运动在低能情况下会演化为孤子解．     

高Tc氧化物晶界结

高温超导氧化物的晶界形成超导Josephson弱连接，人工制作的晶界（例如双晶衬底上外延生长高Tc超导薄膜形成的晶界）是弯曲的小折线，即晶界小面化了，超导序参数d波对称性和晶界小面化对晶界结的性质有重要影响，文章综述了近几年来国际上在有关方面的研究动态，。     

层状耦合约瑟夫森双结中的孤子解

基于Sakai-Bodin-Petersen理论,我们求解了对称的双约瑟夫森结的耦合非线性方程组.结果表明,线性化方程组的同相和反相解所对应的两种磁通运动模式也存在于原始的非线性方程组的解中,同时非线性方程组独有的位相锁定的扭折(kinks)形式的磁通运动在低能情况下会演化为孤子解.     

分子束外延生长Si/GaP(III)异质结的界面特性

关键词：     

高温超导约瑟夫森结阵列的相位锁定

根据交流约瑟夫森效应,研究了嵌入Fabry-Perot谐振腔里的约瑟夫森结阵列在微波辐照下的相位锁定问题。结阵列是由生长在双晶钇稳定氧化锆(YSZ)基片上的YB2Cu3O7(YBCO)超导薄膜光刻成微桥得到的。通过优化设计,在温度为79.2K辐照频率为77.465GHz的条件下,包含620个串联约瑟夫森双晶结的结阵列在外加微波辐照下实现了相位锁定,得到了陡峭的夏皮罗台阶。其第一级夏皮罗台阶的电压约为0.1V,台阶高度约为0.17mA。试验结果表明,这种结阵列结构在电压基准的应用上有极大的优势,而且这种准光学耦合方法在太赫兹信号发生和检测方面有很好的应用前景。     

高临界电流密度NbN约瑟夫森结的制备和特性表征

我们开展了高临界电流密度的NbN约瑟夫森结的制备和特性研究.利用直流磁控溅射方法在单晶MgO(100)衬底上外延生长NbN/AlN/NbN三层膜,并使用微加工工艺制备了NbN约瑟夫森隧道结,在液氦温度下对NbN约瑟夫森结的电流-电压特性进行了测量,实验结果表明,NbN约瑟夫森结具有良好的隧穿特性,其临界电流密度J_c为10 kA/cm^2,质量因子大于10,能隙是5.7 mV,这些实验结果为基于NbN结的超导数字电路研究奠定了坚实的基础.     

约瑟夫森结非线性特性的计算机模拟

通过计算机对约瑟夫森结方程求解，并模拟约瑟夫森结在直流和交流条件下V-I特性曲线．通过约瑟夫森结的相图与庞加莱截面图直观的表现了倍周期分岔以及混沌现象，并与用约瑟夫森结电子模拟器所做的实验进行比较．     

约瑟夫森结AlOx-Al隧道势垒的实验研究

通过Ｘ光电子能谱（ＸＰＳ）、阳极氧化电压谱（ＡＶＳ）和Ｆｉｓｋｅ台阶电压的测量，研究了约瑟夫森结中ＡｌＯ_x-Ａｌ隧道势垒．发现结的隧道势垒最佳沉积Ａｌ层厚度为７ｎｍ，Ａｌ上形成ＡｌＯ_x厚度只取决于氧化条件，与沉积Ａｌ厚无关，势垒Ａｌ氧化物可能含有一个像ＡｌＯＯＨ态的ＯＨ基团．同时，估算了剩余Ａｌ厚度，证实了结中Ａｌ／Ｎｂ间在４.２Ｋ时，由常态Ａｌ而产生临近效应的存在 关键词：     

载流子穿越具有双Mot势垒的半导体晶界的输运行为

讨论了穿越具有双Mot势垒的n型半导体晶界的载流子输运行为，重点分析了受主缺陷扩散层对偏压下晶界势垒、直流电流、非线性特性和电容等的作用．晶界势垒在偏压下的变化决定了载流子穿越晶界的输运行为分为预击穿、击穿和回复三个区域．受主缺陷扩散层的存在改变了势垒及其偏压关系，使电流的变化和非线性特性大幅度加强，很大程度上决定了预击穿区的漏电流；同时也使势垒加宽而减小高频电容，但使直流偏压下因晶界电荷的共振响应而产生的电容峰值增大 关键词：     

同质硅分子束外延层的界面缺陷的研究

对同质硅分子束外延层的界面缺陷进行了测试与分析．对存在高浓度施主型界面缺陷的Ｐ型材料，通过解泊松方程计算了该材料的肖特基势垒的能带图，得到了该缺陷能级上电子的填充与发射随外加反向偏压变化的情况．并分析了用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）对其进行测试所需的条件，以及与常规的ＤＬＴＳ测试结果的不同之处．提出了可同时对该缺陷上电子的发射和俘获过程进行ＤＬＴＳ测量的方法．实验测量结果表明，该高密度的界面缺陷的能级位置位于Ｅ_c－０．３０ｅＶ． 关键词：     

C60外延薄膜的生长

我们研究了各种淀积参数（衬底温度，沉积速度和薄膜厚度）对Ｃ６０薄膜在云母及ＮａＣｌ衬底上成膜的影响，并在云母（００１）新鲜解理面上成功地制备出了高质量的Ｃ６０外延薄膜，此外，我们还对Ｃ６０薄膜可能的生长过程，薄膜与衬底的取向关系及其缺陷结构进行了一定的讨论。