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研究了受激布里渊散射的基本原理,设置了基于光纤中的受激布里渊散射效应实现调Q的光纤激光器,介绍了最新的研究成果。 相似文献
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沈建琪 《上海理工大学学报》1995,(1)
本文首次报道了以620.0—665.0um范围内任一波长激光双光子激发模分子或多光子激发锂原子,获得锂分子紫外扩散带受激辐射.文中对有关的辐射特性及激发机制进行了讨论. 相似文献
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报道激光泵浦钾分子产生的波长为660~710nm范围内的多条受激辐射.采用RKR等方法对钾分子B1Πu-X1Σ+g辐射谱线进行了标识,并分析了其辐射特性和机制 相似文献
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本文报道二步共振激发钙原子产生250~400nm波段内一系列紫外辐射的研究结果,分析了辐射产生的机制,确认部分辐射由四波混频过程产生,部分辐射是起始于高三重态的受激辐射,并讨论了高三重态的布居机制. 相似文献
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报道激光泵浦钾分子产生的波长为660-710nm范围内的多条受激辐射,采用RKR等方法对钾分子B1Пu-X^1Σ^+g辐射谱线进行了标识,并分析了其辐射特性和机制。 相似文献
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用568.3nm和568.8nm的激光混合共振激光发钠蒸汽,对钠分子从2^3Пg跃迁到a^3∑^+u产生的紫外受激扩散带的时间谱进行了实验研究,并做了理论分析和计算机拟合,其结果与实验吻合,由此得到了有关能级的寿命及动力学参量。 相似文献
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LiF:F_2~-色心晶体作为Nd:YAG激光系统的被动Q开关时,在适当条件下自身亦能产生受激辐射,作者在实验上实现了这种调Q双成份的受激辐射输出,并研究了其各种特性. 相似文献
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用氩离子激光器作激励源,实验证实了氟化物玻璃光纤1.3μm的光辐射,给出了相应的理论模型。根据光纤中原子和电场相互作用原理,计算了掺镨和掺钕两种氟化物光纤的激励效率、增益和饱和输出特性,为1.3μm光纤放大器的应用提供了实验和理论设计依据。 相似文献
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由半经典耦合方程出发,本文完整建立了均匀大气中准直激光传输时瞬态受激转动喇曼散射的阈值理论,讨论了激光脉冲波形、激光波长、气压等对瞬态阈值的影响。 相似文献
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李德俊 《吉首大学学报(自然科学版)》2000,21(2):36-38
若一种化学纯的多原子分子气体处于一封闭容器中,受到某一频率的光照射而离解为分子碎片, 则不难想象,此封闭容器中的压力将发生变化.从统计力学原理出发,导出了压力随时间变化呈现的规律, 这对于人们探索光与物质的相互作用规律将起到积极作用. 相似文献
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用氮分子激光器泵浦的两台染料激光器(输出光频率分别为ω_1和ω_2)二步激发钙蒸气,由不等频二步共振和不等频双光子共振四波混频ω_1+ω_2-ω_(IR)=ω_(UV)(ω_(IR)为红外受激辐射频率),产生了波长为272.2nm的紫外相干辐射,并对其激发和辐射特性进行了研究. 相似文献
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用氮分子激光器泵浦的两台染料激光器(输出光频率分别为ω_1和ω_2)二步激发钙蒸气,由不等频二步共振和不等频双光子共振四波混频ω_1+ω_2-ω_(IR)=(?)_(UV)((?)_(IR)为红外受激辐射频率),产生了波长为272.2nm 的紫外相干辐射,并对其激发和辐射特性进行了研究。 相似文献
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介绍了受激喇曼散射(SRS)的机理,总结了受激喇曼散射的主要特点,着重阐述它对光纤通信系统产生的影响,并针对光纤通信中受激喇曼散射的串扰特性和自感受激散射,要求信道功率要尽可能小于阈值功率,从而克服受激喇曼散射光纤通信系统的影响. 相似文献
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从实验室坐标系Compton散射截面出发,对其中的谱函数进行了重新计算,除了谱函数的共振项系数有修正外,还得到一个直接依赖于磁场的非共振项(磁场项),利用改进了谱函数,就强磁场脉冲星表面的高能电子束对热光子的Compton硬化作用的进行了计算,结果表明,(1)每一个共振散射都存在一个上限能量,其大小与磁场有关;(2)当磁场较弱时,由于磁场项的存在,每一个共振散射都存在一个范围相当宽的高能尾巴。 相似文献
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Blazars多波段辐射机制研究 总被引:2,自引:2,他引:0
基于均匀同步自康普顿模型,用双幂率电子谱分布对Fermi-LAT观测到的有高能辐射的TeV Blazar源Mark 421、3C 273、PKS 2155-304的辐射能谱进行计算,并考虑了河外背景光(EBL)的吸收,对谱形做了修正。计算结果与TeV Blazar源Mark 421、3C 273、PKS 2155-304宁静状态下的多波段准同时性观测结果符合得很好,由此得到TeV Blazar源宁静状态下喷流磁场、多普勒因子,电子数密度等几何参数和物理参数。 相似文献
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用热激发电流法研究金刚石薄膜中的陷阱 总被引:1,自引:0,他引:1
对微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)的硅衬底金刚石薄膜,做了在液氮温区注入载流子,升温测其电流-温度关系的实验,观察到as-grown样品有明显的热激发电流峰,重复实验时,峰基本消失,经氢等离子体在 ̄900℃处理2.5h后,再重复实验,该峰又出现,推断热激发电流峰是由硅衬底金刚石薄膜内氢致陷阱中的载流子撤空引起的,这些能级在金刚石禁带中的陷阱是可以通过热处理消除的。 相似文献
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