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霍尔效应实验是一个受系统误差影响较大的实验,特别是在霍尔效应产生的同时,伴随产生的其他效应引起的附加电场对实验影响较大.本文简单介绍该实验的原理和实验误差的来源,使用Origin 6.0软件处理实验数据,分析附加电场对霍尔电压和电流线性关系的影响,以及对霍尔系数测量值的影响.结果表明:附加电场的存在不会影响所测霍尔电压和电流U-Is的线性关系,但对霍尔系数的测量有较大影响. 相似文献
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在不同环境温度下,互换霍尔位移传感器的输入/输出端,对其静态特性进行实验测试。结果表明:在霍尔元件顺、反接及不同的环境温度下,其静态特性差异明显,从理论上对实验现象进行了分析。 相似文献
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结合大学物理实验教学中霍尔效应的讲解,阐述了霍尔效应的原理,提出了霍尔效应实验的一些改进方法,重点研究了霍尔元件的保护及对霍尔元件的应用进行了探讨. 相似文献
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采用微机控制和数字式数据采集系统,在变温环境下(77~420 K)对长为6.0 mm、宽为4.0 mm、厚为0.6 mm的锗样品薄片进行霍尔效应相关数据测量;通过对测量的霍尔电压作数据处理得到锗的霍尔系数RH(T)、电导率σ(T)和霍尔迁移率μH(T)与温度的依赖关系.该实验结果对学生理解半导体物理中的相关知识有重要意义. 相似文献
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霍尔效应是研究半导体性质的重要手段,但霍尔电压的测量受到多种副效应的影响。通过分析误差来源加实验论证来探索对称测量法的优势,并且发现除四种常见热磁效应以外,仍存在附加电压。经过一些研究,提供了一些减小误差的方案。考虑到大学物理实验中没有设计霍尔效应的生活应用,本文简单介绍了霍尔开关原理及应用,希望通过本文对教学改革有进一步的推进作用。 相似文献
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介绍了霍尔效应实验原理,对实验数据进行曲线拟合,得出了通电双圆线圈内磁场的分布,并计算了霍尔元件的霍尔灵敏度。 相似文献
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霍尔效应是凝聚态领域中古老却又极具潜力的研究领域,其起源可以追溯到数百年前. 1879年,霍尔发现将载流导体置于磁场中时,磁场带来的洛伦兹力将使得电子在导体的一侧积累,这一新奇的物理现象被命名为霍尔效应.之后,一系列新的霍尔效应被发现,包括反常霍尔效应、量子霍尔效应、自旋霍尔效应、拓扑霍尔效应和平面霍尔效应等.值得注意的是,霍尔效应能够实现不同方向的粒子流之间的相互转化,因此在信息传输过程中扮演着重要的角色.在玻色子体系(如磁子)中,相应的一系列磁子霍尔效应也被发现,他们共同推动了以磁子为基础的自旋电子学的发展.本文回顾了近年来在磁子体系中的霍尔效应,简述其现代半经典的处理方法,包括虚拟电磁场理论和散射理论等.并进一步介绍了磁子霍尔效应的物理起源,概述了不同类型磁子的霍尔效应.最后,对磁子霍尔效应的发展趋势进行了展望. 相似文献
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不等位电势是霍尔式传感器产生零位误差的主要因素.在霍尔式传感器的直流激励特性实验中霍尔元件处于梯度磁场中,但是磁场强度未知,因此无法确定磁场强度为零的位置.当采用交流激励时,通过调节霍尔元件在磁场中的位置,使输出的最小电势便是不等位电势,此时便可通过补偿桥路进行补偿. 相似文献
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A typical planar Hall effect (PHE) sensor junction consists of two Hall bars that the bars appear normal to each other and the junction can have the required four terminals for current and voltage measurements. We are now introducing a tilted angle of the cross-junction and studying the role of the PHE therein. The results show that although there is a tilted angle of the cross-junction, the PHE voltage is remained constant. The result is interpreted by assuming the sensor material with the behavior of a basic single domain structure under the external magnetic field reversals. The calculations of the model are found to be in good concurrence with the experimental results. 相似文献
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The spin Hall effect has been investigated in 10-nm-thick epitaxial Au(001) single crystal films via H-pattern devices,whose minimum characteristic dimension is about 40 nm. By improving the film quality and optimizing the in-plane geometry parameters of the devices, we explicitly extract the spin Hall effect contribution from the ballistic and bypass contribution which were previously reported to be dominating the non-local voltage. Furthermore, we calculate a lower limit of the spin Hall angle of 0.08 at room temperature. Our results indicate that the giant spin Hall effect in Au thin films is dominated not by the interior defects scattering, but by the surface scattering. Besides, our results also provide an additional experimental method to determine the magnitude of spin Hall angle unambiguously. 相似文献
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We calculate the spectral function of a smooth edge of a quantum Hall system in the lowest Landau level by means of a bosonization technique. We obtain a general relationship between the one electron spectral function and the dynamical structure factor. The resulting
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characteristics exhibit, at low voltage and temperature, power law scaling, generally different from the one predicted by the chiral Luttinger liquid theory, and in good agreement with recent experimental results. 相似文献
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用霍尔元件测微小位移 总被引:4,自引:0,他引:4
利用霍尔元件的磁电阻效应与磁感应强度的平方成正比这一关系,通过改变磁铁与霍尔元件的距离引起霍尔元件的电阻改变,再把这一电阻信号转换为电压信号,测量电压信号从而得到与之对应的位移量。 相似文献