《国外信息显示》1971年分类目录

(一)综述期页 光电转换技术的最新动态1 34一39 台式计算机的显示装置328一31代侵越美军用微光器件及红外器件,46一7 图象通信48一18 显示器件的进展和各种显示设备的现状630一35 彩色电视基色的选定61一21 显示的意义及新的显示技术81一2 (二)显示方式 1。场致发光显示 场致发光显示器件工作电路的进展2‘27一28 值流场致发光光源3 47一49 场致发光层的电泳涂敷方法丫韶一30 具有隧道注入阴极的葱场致发光盒818一19 场致发光矩阵扫描装置的改进8 35一37 场致发光Z巧:Mn、Cu、Cl薄膜对道角脉冲激发的响应925一28 含澳加荆的慈的绿色场致发…     

砷化镓负阻二极管集成显示器

1969年12月美国固体电路杂志(IEEE J.Solid State Circuit SC—4,No.6,P.346-54) 刊登了一篇用砷化镓负阻二极管做显示的文章。美帝通用电气公司1968年曾发表过类似的工作(参看IEEE Trans.Electron Devices ED-15,220,1968;7th Nat.Symp.Information Display)。使用了400个GaAs负阻二极管和场致发光光导转换装置。此文讨论器件结构的改进。     

场致发光平板显示

松下电器无线电研究所,研制了可以实现电视显像的场致发光显像装置。在此叙述的就是应用了这个装置的场致发光平板显示。在这个装置里,用场致发光矩阵板来代替了阴极射线管。和普通电视接收机完全一样地把它设计成能接收甚高频电视广播。场致发光矩阵板的大小,相当于13吋=33.02cm的阴极射线管画面,共有52900个像点。这个装置在纽约演技场从3月24日     

“国外发光与电光”一九七四年分类目录

一固体发光的一般问题: 固体发光简介 发光材料的光谱特征(1) 制备荧光纯硫化锌原料的一种新方法 发光材料的光谱特征(2) 光度学简介 东芝磷光体 简讯: 用高压烧结法制备磷光体,51一5583一8753一5977一8786一9415一231 2 3 3 56二场致发光材料和器件: 场致发光的应用和固体显示前景 硫化锌和有关化合物的直流场致发光 直流场致发光材料与平板电视显示技术 场致发光磷光体 场致发光Zns: Er“ 薄膜的激发机理 固体X射线图象转换器 新的场致发光显示屏 场致发光体悬浮浓的电泳沉积 粉末材料的场致发光(1) 简讯: 关于场致发光器件的讨论 ZnS:…     

近期外文资料索引

1975,11(7),1320 一、发光的一般问题:1。、二。、招,。 一、仪沙”一联’,咫‘13.场致发光矩阵屏 1.有机分子光物理学苏联专利256一092 Organie Moleeular Photophysies.14.直流场致发光电视显示部分中间调1975年出版653页制显示方式 2。光子学少F公步二步1975,3,216 Photoni。5.1975年出版412页15.固体显示器件(场致发光) 3.无机磷光体应用物理1975,44(6),643 HeopraH。!一ec二二e。。M二HO中。po 16.薄摸场致发光文字、数字、图象显1975年出版197页示器件 4.发光及其技术发展动向电子材料1975,(11),52 工*夕卜。二夕,1975,(12)17.场…     

《国外信息显示》一九七二年分类目录

期页一、场致发光显示器件和材料: 粉末状氧化铝的场致发光127 Cdse单晶的双注入、负阻效应和场致发光磷光体场致发光129 SrS一Cu,Eu磷光体场致发光的磷光现象132 延长场致发光屏寿命的几种方法一136 稀土激活的ZnS粉末的直流场致发光27 稳定的低压场致发光屏210 对未来场致发光平板电视的设计考虑214 直流控制的固体X光图象转换器425 场致发光理论(一)415 场致发光理论(二)31 场致发光理论(三)614 由于声电不稳定性引起的ZnS低压场致发光56 场致发光层的高温固化对其亮度的影响510 磁场对ZnS一Cu场致发光粉结构和光学性质的影响512 …     

《国外信息显示》一九七三年分类目录

一无机发光材料的一般问题: 发射光谱 余辉测量 光和颜色的测量 国外无机晶体发光研究概况 发光材料的能带结构 体效应场致发光 一种联合的发光中心 等电子陷阱二场致发光显示器件和材料: CdS:Cu粉末磷光体直流场致发光(DCEL)性质的研究 利用场致发光屏作发光天棚的可能性 粉末场致发光屏亮度的测量 粉末材料EL效率的测量 n一班族化合物粉末的直流场致发光 ZnS薄膜场致发光 粉末场致发光应用现状 薄膜PC一EL夹层型象加强器 碱卤晶体的场致发光简讯:一种硫化镐场致发光器件 ZnS:TbF3薄膜的直流场致发光 Mn注入的ZnS薄膜场致发光元件…     

扫描光束显示

现在大屏幕显示还没有象阴极射线管那样的简单办法。最近有一种方案是 偏转一条窄的光束,用象阴极射线管里的电子束扫描那样的方式,在屏上扫描。直到不久以前,这个方案还不能实现,因为没有足够的相干光源或照准的光源能聚焦成一个很小的点,用来作精细的扫描。     

硫化锌直流场致发光显示

尽管目前对Ⅱ—Ⅵ族化合物的场致发光的研究工作,重点已经几乎完全从的斯特里奥型(粉末状发光体与介质混合作成夹心式发光屏——译音)转移到单晶结器件上,但是,仍不应忽视由粉末制成大面积显示的可能性。为了显示的目的,要求有100—1000cm~2的面积。目前,单晶器件对于这些应用是不可能的。用这种器件作成大面积的显示,不     

近期外文资料索引

一、场致发光:薄膜显示开关(a cEL屏用)AD一772544 场致发光屏(用电介质材料) OTKP址THa,H3o6.nPoM曰坦几eHnHeo6Pa3双H,?oBaPHHe 3HaKH 1973,50 (25)198.(Zn,Cd)S磷光体的结构和光学特性IndianJ。Chem。,1973,11(8)场致发光屏亮度和稳定性的提高C刀eToTexaHKa 1974(6)11792重掺杂半导体场致发光理论中T n 1973,7(11)2103 稀土掺杂的ZnS场致发光薄膜器件中亮度对电压的依赖性 Jap.J.Appl.Phys.1974,13(2)性264低温下重掺杂半导体场致发光结构的特中T n 1973,7(12)2269 通过EL对Znse边缘发射中施主一受主对复合的观察 J。…     

沉积在光纤面板上的薄膜荧光屏

1 引言阴极射线发光荧光屏普遍用于阴极射线管和像增强器等显示器件。加工这种屏的传统方法是将荧光粉用物理方法沉积到诸如透明玻璃的适合衬底上。此外,现在一些高分辨显示器件是在光纤面板上沉积薄粉层,以显著提高其分辨率。目前,用沉积在光纤面板     

对未来场致发光平板电视的设计考虑

从平板场致发光显示整个系统的各个方面看来,制作场致发光电视屏是可能的。这种考虑的基础是采用大面积薄膜晶体管矩阵组成的寻址和驱动线路,把它直接蒸着在场致发光层的背面上。低压直流的场致发光最为理想,而为实现这一点,提出一种Ⅱ—Ⅳ族多晶异质结新原理(半势垒注入场致发光)。不过,现行的交流场致发光也可使用,但有待得到某些改进。     

电致发光显示

电致发光具有固体平板化的优点，用它可做成大面积和任意形状的发光图形．不仅可以做成大面积数字与字符显示器件、模拟显示器件，更重要的是可以做成全固体平板化的计算机终端显示器，从而做成便携式计算机、大面积的会务信息显示器、车站和机场时刻显示器等．全固体平板化的“黑白”电视机已成为现实，“挂壁”式彩色电视机的研究也取得了明显进展，用固体化的平板显示器件代替阴极射线管已成为科技发展的必然趋势．     

透射阴极射线发光——用于研究块状半导体中缺陷的扫描电子显微镜新技术

我们报告一种用电子显微镜研究缺陷的新方法,这种方法是已知的阴极射线发光方法的扩展。在这种我们称之为透射阴极射线发光的新技术中,由于扫描电子显微镜(SEM)电子束的作用,在厚的半导体样品的顶部表面产生发光,这个发光被用来探测发光区域下面的样品体积。用安装在样品下面的小的固体检测器收集透射的发光强度,并且显示在SEM的阴极射线管上。我们用显示GaAs衬底和GaAlAs外延层中的位错来说明这种技术的用途。     

场致发光层的高温固化对其亮度的影响

目前作为场致发光层的介质粘合剂材料,其固化温度都不超过130—150℃,并且没有发现用这种条件制备场致发光层对场致发光粉的亮度特性有不良影响。由于发现介电常数大的新粘合剂,它能在200℃以下几小时内固化,所以弄清这种固化条件到底对场致发光粉的亮度及其稳定性有多大影响是重要的。 为此研究了用两种化学性质相同的有机硅粘合剂和场致发光粉—515制作的场致发光层,其一是—1在150℃时固化,其二是—2,它的固化温度仅在200℃。与此同时研究了漆BC—530和在200℃空气中予热5小时的场致发光粉—515及其普通粉制作的场致发光层。     

阴极射线致发光形貌术──一种研究晶体缺陷的新工具

一、引 言 固体发光根据其不同的激发方法,分为光致发光、场致发光、阴极射线致发光、化学发光、摩擦发光、辐射发光等.阴极射线致发光就是高速运动的电子打在稠密的物质上而发出光的现象.1879年,Crookes[1]首先应用阴极射线致发光现象观察多种矿物.自此以后,一个相当长时期,这     

近期外文资料索引

9.氢共激活的ZnS一Cdse场致发光粉 一、发光的一般问题:的发光特性 1.发光研究的目前趋势同上488 IN产OPT.PROP.Ions in Solids’Plenum Publ.co.N.Y.vol.8,1975 10.掺锰的硫化锌场致发光薄膜器件中 固有的存贮效应 2.全波发光会议Proe.Conf.Solid State Devices Post.Fiz。1975。26(2)230 1974,6,103 3.由低带隙的高强度激发引起的CdS n.直流场致发光薄膜器件发光美国专利3.889.016 Solid State Commun。,1975,17(4),523 12.叠层场致发光屏 西德专利DS 1639一104 4 .22届全苏发光会议(分子发光) Te3二c。江oK二.AHCCCP.AH…     

近期外文资料索引

一、发光的一般问题一九七三年塞格德(匈)发光会议 Aeta Phys.et ehem,Szeged,1973, 19(4)P。321一459。晶体发光粉及其应用 BeeTR。AH CCCP。1974.4,112 一1 14。判定稀土磷光体中的辐射与无辐射过程 J .Eleetroehem.Soe.1974,121 (3),950。直流激发的场致发光粉末材料 英国专利1357420场致发光器件用的磷光粉一激活的磷光体上 镀有一层无阴离子金属 英国专利1353143二、场致发光场致发光材料和显示器的最新进展 European Conferenee on Eleetro- teehnies EUROCON,74.D呈gest, 22一26,April,74。掺稀土离子的场致发光ZnS薄膜…     

由于声电不稳定性引起的ZnS低压场致发光

本文报导ZnS—Ⅰ单晶的均匀(没有通常看到的那种亮点和线)击穿前场致发光。用欧姆接触加电压,当电压达到晶体内平均电场为≥10~2v/cm时,可以看到这种场致发光。单晶是用气体输运反应法制得的,接着在熔融锌中进行处理,在室温和液氮温度研究了光谱、电压—亮度、电流—电压(Ⅰ—Ⅴ)和随时间变化的特性。场致发光光谱除了宽的红带和兰带以外,还有个一紫外带,延伸到330nm。在用上升时间为0.2微秒的方脉冲电压激发时,场致发光亮度波形的前沿没有时间延迟。N形的伏安特性和电流及亮度发生振荡的事实表明,晶体中产生了可动的电子畴,它集中了电场,并可能是决定这种场致发光的特征的主要因素。从振荡周期计算出的电子畴的运动速度和ZnS中的声速一致。从这一事实可以设想,在场致发光时存在着声电不稳定性。     

场致发光矩阵扫描装置的改进

从前是在场致发生层的上面和下面配置互相绝缘的平行导体组成的水平电极群和与此垂直的互相绝缘的平行导体组成的垂直电极群。用这种场致发光矩阵屏显示出种种图象,需要用适当的转换装置进行扫描。在两个电极的交叉点上形成的场致发光单元是受脉冲状的电压激励而发光的。