GaN基宽带隙半导体光发射器件

八十年代末期,随着GaN材料生长和掺杂等关键技术的突破,尤其是1993年12月,在光电子领域名不经传的日本日亚化学工业公司在世界上首次展示了高亮度GaN蓝光LED,引起了轰动。1995年,该公司又以InGaN量子阱结构报道了高亮度蓝-绿光LED。这些光源与以前的AllnGaP系红光LED组合实现了三原色     

GaN基宽带隙半导体光发射器件

八十年代末期,随着GaN材料生长和掺杂等关键技术的突破,尤其是1993年12月,在光电子领域名不经传的日本日亚化学工业公司在世界上首次展示了高亮度GaN蓝光LED,引起了轰动。1995年,该公司又以InGaN量子阱结构报道了高亮度蓝-绿光LED。这些光源与以前的AIInGaP系红光LED组合实现了三原色高亮度化。它对于LED用作大屏幕全色显示、扫描、液晶背景光源以及普通照明等应用,前途不可估量。     

ZnSe宽带隙半导体光发射器件

ZnSe宽带隙半导体光发射器件是未来全色光显示和高密度光记录用的重要器件。在相继完成材料、掺杂技术，以及器件结构相关的研究工作后，目前正在攻克器件实用化的关键技术——寿命。介绍了ZnSe的p型和n型导电材料的控制技术及其LD和LED的开发进展。     

宽带隙半导体光发射体会议

1996年10月16日伦敦电子工程研究所的E13（光学技术与应用）专家小组组织了一次为期一天的“宽带隙半导体光发射体”学术讨论会。Ⅲ族氮化物在蓝光至近紫外光谱区域的光电子器件以及高温电子学等方面的应用正在引起人们的注意。然而其制备中的一些严重的实际问题直到最近一直阻碍着其潜力的实现。氨化镓的MOCVD（金属氧化物化学气相沉积）生长工作是由托马斯·斯旺公司（英国，剑桥）的E．J．Thrush和J．A．Crawley，比利时根特大学的W．VanderStrlcht和I．Moerman，英国赫尔大学的L．May和E．Nichous，以及SaesGettersS．P，A．…     

宽带隙半导体材料光电性能的测试

主要通过光致发光的实验手段,研究分析了在自支撑GaN衬底上生长的InGaN/GaN多量子阱(InGaN/GaN MQW)有源层中的载流子复合机制,实验中发现多量子阱的光致发光光谱中有一个与有源区中的深能级相关的额外的发光峰。在任何温度大功率激发条件下,自由激子的带边复合占主导地位,并且带边复合的强度随温度或激发功率的下降而减弱;在室温以下小功率激发条件下,局域化能级引入的束缚激子复合占主导地位,其复合强度随温度的下降而单调上升,随激发功率的下降而上升。带边复合在样品温度上升或者激发功率变大时发生蓝移,而局域的束缚激子复合辐射的峰值波长,随样品温度和激发功率的变化没有明显变化。     

宽带隙半导体AlN薄膜的制备及应用

AlN是一种宽带隙半导体,它具有高温稳定性、高热导率、高弹性模量、非毒性,并且具有能从半导体到绝缘体的性质变化等优异的物理性质。本文主要介绍了AlN薄膜的制备方法和应用,也给出了今后有待进一步解决的问题。     

宽带隙半导体AIN薄膜的制备及应用

AIN是一种宽带隙半导体,它具有高温稳定性、高热导率、高弹性模量、非毒性,并且具有能从半导体到绝缘体的性质变化等优异的物理性质。本文主要介绍了AIN薄膜的制备方法和应用,也给出了今后有待进一步解决的问题。     

基于Ⅲ族氮化物宽带隙半导体的微显示技术

微显示器是一种很小、可放在眼镜内并通过一个透镜系统来观看的显示器件。它能提供一幅可与21in电视或计算机屏相媲美的虚拟图像。微显示器可以满足那些需要双手自由和高度机动的领域的需要,如计算、娱乐、军事、刑事、消防和医学等。     

Ⅱ—Ⅵ族宽带隙半导体的分子束外延

我们用分子束外延法已生长出了ZnSe、ZnTe单晶薄层。外延层的生长速率基本上由分子束流量和衬底温度决定。本文讨论了这种二元化合物的生长速率,包括衬底温度、结晶性及分子束强度,并和实验结果作了比较分析。所获得的生长速率与衬底温度和入射束比的关系能用原子表面覆盖度的动力学方程得到解释。     

窄带隙半导体

本书是Springer出版社编辑出版的现代物理学丛书的第98卷,其内容如下: 第一章“窄带隙铅盐类材料”:系统地评述Pb_(1-*)Sn_x Te、Pb_(1-x)Snx Se和PbS(1-x)Se_x等材料的生长方法、带结构、输运特性、光学特性以及载流子复合过程。第二章“碲镉汞合金系的特性及其应用”:详尽地阐述碲镉汞合金系的物理特性、光学特性以及制备方     

碳化硅宽带隙半导体材料生长技术及应用(英文)

概括了宽带隙半导体材料碳化硅的主要特性及生长方法,介绍了其在微电子及光电子领域的应用,并对其发展动态及存在问题进行了简要评述。     

宽带隙二维半导体TlGaS2紫外探测器

紫外光电探测器是继红外激光探测技术之后发展起来的一种新型探测技术。其中基于宽带隙的低维半导体材料的紫外光电探测器是当下的研究热点之一。为了实现对宽带隙二维材料体系的拓宽以及高性能紫外探测器的研制,研究了机械剥离的铊镓硫(TlGaS₂)纳米片的能带结构以及光谱性质,制作了基于TlGaS₂纳米片的紫外光电探测器。结果显示,TlGaS₂纳米片在紫外乃至日盲紫外波段均具有较高的吸收。探测器响应波段与光学吸收结果一致,对360 nm的紫外信号具有最佳的探测性能。此外,探测器在响应范围内均表现出了很低的暗电流以及优异的光电响应速度。测试结果说明了TlGaS₂二维材料在紫外光电器件领域具有一定的研究前景和潜在的应用价值。     

GaN宽带大功率MMIC开关

<正>GaN HEMT作为第三代宽禁带化合物半导体器件,其高的击穿电压、大的电流密度等特点,使其非常适合于微波大功率开关的研制。南京电子器件研究所利用76.2 mm(3英寸)SiC衬底GaNHEMT材料实现了DC～6 GHz 20 W、DC～12 GHz 15 w和DC～20 GHz 8 W宽带大功率系列开关的研制。其中DC～6 GHz 20 W GaN功率开关带内插入损耗<0.8 dD、隔离度>35 dB、P-1dB>20 W,DC～12 GHz15 W GaN功率开关带内插入损耗<1.4 dB、隔离度>30 dB、P-1dB>15 W,DC-20 GHz 8 W GaN功率开关带内插入损耗<1.5 dB、隔离度>30 dB、P-1dB>8 W,三款功率开关的性能指标均为室温连续波下的测试结果,图1所示为它们在带内的插损和隔离度测试结果。该系列GaN宽带大功率开关的研制成功,充分展示了GaN HEMT在宽带微波大功率开关应用方面的潜力。     

GaN基半导体材料研究进展

简单回顾半导体短波长激光器的发展过程，总结了GaN基激光二极管的发展以及GaN薄膜的几点技术进展。     

日本半导体蚀刻技术取得突破性进展

日本荏原综合研究所和东北大学合作，最近开发成功线宽为０．０５μm的半导体蚀刻技术，预计３年后能够达到实用化水平。蚀刻是制造集成电路最重要的工序，一般采取用正离子照射半导体基板的方法，其缺点是由于负离子的吸引，正离子会出现轨道弯曲的现象，影响加工的精度，并且由于基板上积蓄了静电而需要进行热处理。因此，目前仅制造线宽为０．１３μm的超大规模集成电路。新的方法克服了上述缺点，使用了带负电的掩模，使等离子态的中性粒子束透过掩模上直径为０．０５μm的小孔，几乎垂直地照射在基板上，在上面形成薄膜的电路。据认为…     

能隙可调半导体材料

近来,科研人员研制了一种通过调节外部电压改变能隙宽度的半导体材料,这种材料是由双层碳原子构成的,单层原子的价带和导带之间没有能隙,但在电场作用下,叠加双层原子将会产生能隙。材料中单层碳原子排列如下图所示。     

L频段GaN宽带功率放大器设计

针对宽带功放率放大器的设计难点,提出了一种负载牵引技术与Smith圆图匹配工具相结合,谐波平衡仿真与Momentum版图仿真相结合的方法,设计了一款应用于L频段的宽带功率放大器,该功率放大器采用Ga N HEMT设计制作。经测试,功率放大器在L频段内输出功率大于150W,功率增益大于10d B,效率大于50%。     

宽带GaN单片功率放大器研究

基于GaN HEMT器件在微波功率方面的优越性能,设计并实现了宽带GaN单片功率放大器.简述了AlGaN/GaN异质结构的优势以及现状,同时结合热分析的方法给出了所选GaN HEMT器件的基本尺寸和性能,并采用ICCAP提取了合适的大信号模型,通过器件性能优选拓扑结构,最终运用宽带匹配的方法并结合较先进的仿真软件设计了一款GaN宽带单片功率放大器.测试结果表明,单片放大器脉冲工作方式下在2～7 GHz频带内,小信号增益G＞18 dB,输入回损＜-10 dB,脉冲饱和输出功率Po＞5 W,功率增益GP＞15 dB,典型功率附加效率25%(测试条件为脉宽100μs,占空比10%).GaN HEMT器件具有较高的功率密度和良好的宽带特点.