基于微反射镜阵列的光刻照明模式变换系统设计

光源掩膜协同优化是45 nm节点以下浸没式光刻提高分辨率的重要途径之一,为了重构其优化后输出的像素级光源,提出了一种基于可寻址二维微反射镜阵列的新型照明模式变换系统设计方法。分析了减少重构光源所需微反射镜数量的原理,结合成像与非成像光学,利用柱面复眼透镜,获得了入射到微反射镜阵列上的非均匀的特定光强分布,基于此光强分布对微及射镜二维偏转角度进行了模拟及优化,并对该照明模式变换系统进行仿真,结果表明,光瞳重构精度小于2.5%,X,Y方向光瞳极平衡性小于0.5%,Prolith中重构光源的曝光性能仿真结果满足要求。与类似的系统相比,该系统仅用不足4000个镜单元即可达到设计要求,适用于集成度高的下一代浸没式光刻系统。     

激光超衍射加工机理与研究进展

随着纳米科技和微纳电子器件的发展,制造业对微纳加工技术的要求越来越高.激光加工技术是一种绿色先进制造技术,具有巨大的发展潜力,己广泛应用于不同的制造领域.为实现低成本、高效率、大面积尤其是高精度的激光微纳加工制造,研究和发展激光超衍射加工技术具有十分重要的科学意义和应用价值.本文首先阐述了基于非线性效应的远场激光直写超衍射加工技术的原理与国内外发展状况,包括激光烧蚀加工技术、激光诱导改性加工技术和多光子光聚合加工技术等;然后介绍了几种基于倏逝波的近场激光超衍射加工技术,包括扫描近场光刻技术、表面等离子激元光刻技术等新型超衍射激光近场光刻技术的机理与研究进展;最后对激光超衍射加工中存在的问题及未来发展方向进行了讨论.     

多光束无掩模光刻系统

介绍了一种多光束无掩模光刻系统,该系统利用空间光调制器数字微反射镜(DMD)对405 nm的激光光束进行调制,控制波带片阵列及纳米透镜阵列聚焦,利用聚焦点阵配合纳米移动平台进行扫描光刻。介绍了该无掩模光刻实验系统结构及工作原理,并给出了多光束光刻的实验结果。实验表明:利用普通蓝紫光源和聚焦元件阵列可实现分辨率为400 nm的多光束并行光刻。     

数字灰度光刻成像物镜设计

为了研究数字灰度光刻成像系统中栅格效应对像质的影响.在成像系统优化参量已有的研究基础上,综合考虑工作效率、光刻准确度、加工制造成本等因素,设计了一种能够有效消除数字灰度光刻成像栅格效应的光刻物镜.此光刻物镜技术指标为,数值孔径NA＝0.3,工作波长λ＝442 nm,倍率10×,分辨率R≤1.2 μm,焦深4 μm,且镜片数量少,光学加工、光学校装公差要求低.结果表明,该镜头完全满足数字灰度光刻高质量成像的需要.     

深紫外光刻照明系统的微反射镜阵列公差分析

为满足45 nm及其以下节点光刻技术对照明系统的需求,将深紫外光刻照明系统的光束整形单元所采用的微反射镜阵列(MMA)作为关键器件,以实现满足光源-掩模联合优化(SMO)技术需求的任意照明光源。根据MMA结构参数和加工制造调整特性,分析MMA角度误差类型。在此基础上,利用蒙特卡罗公差分析法模拟实际加工制造调整的过程,通过分析微反射镜角度误差对曝光结果的影响,制定了满足曝光要求的角度公差。结果显示,当MMA在正交方向上的角度调整公差和加工角度公差分别在(±0.04°,±0.06°)、(±0.04°,±0.04°)范围内时,系统曝光得到的特征尺寸误差(CDE)在98.1%的置信概率下小于0.33 nm。     

基于DMD微光刻的导光板模板的制作方法

提出了一种基于数字微反射镜(DMD)微光刻的导光模板的制作方法.导光板的网点单元图形由DMD输入,经过缩微光学成像系统缩微后,在光刻胶干板上逐单元网点曝光,再经过显影、微电铸得到导光板模板,在PC薄板材上用微纳米压印制成导光板,厚度仅为0.381 mm.采用自行研制的SVGwriting-DMD激光直写系统,图形的最小分辨率为2 μm,DMD微光刻法无需掩膜版,可实现不同形状、大小、微结构的单元网点图形及网点的排布,便于大幅面的导光板模板的制作.     

深紫外双层金属光栅偏振器的设计与分析

193 nm波长浸没式步进扫描投影光刻机是实现45 nm及以下技术节点集成电路制造的核心装备.增大数值孔径是提高光刻分辨率的有效途径,而大数值孔径曝光系统的偏振性能严重影响光刻成像质量.光刻机曝光系统偏振参数的高精度检测是对其进行有效调控的前提.基于光栅的偏振检测技术能实现浸没式光刻机偏振检测装置的小型化,满足其快速、...     

极紫外投影光刻物镜设计

极紫外投影光刻用14 nm波长的电磁辐射,可以在实现高分辨率的同时保持相对较大的焦深,有希望成为制造超大规模集成电路的下一代光刻技术.极紫外投影光刻工作于步进扫描方式,采用全反射、无遮拦、缩小的环形视场投影系统.无遮拦投影系统的初始结构设计困难且重要.介绍了一种近轴搜索方法,该方法引入了像方远心、物方准远心、固定放大率、Petzval条件和物像共轭关系等约束,通过计算确定第一面反射镜、最后一面反射镜、光阑所在反射镜的曲率,以及物距和像距.编写了近轴搜索程序,搜索出仞始结构.从初始结构出发,优化得到两套物镜,一套由四反射镜组成的系统,数值孔径0.1,像方视场26 mm× 1 mm,畸变10 nm,分辨率优于6000 cycle/mm.一套系统由六反射镜组成,数值孔径0.25,像方视场26 mm×1 mm,畸变3 nm,分辨率优于18000 cycle/mm.     

新型傅里叶变换光谱仪反射镜倾斜容限分析及实验

采用微机电系统微镜阵列和倾斜反射镜替代传统傅里叶变换光谱仪的动镜系统,提出一种基于微机电系统微镜阵列的新型傅里叶变换光谱仪.介绍了该光谱仪的工作原理,分析了倾斜反射镜倾斜角度的容限范围,并搭建了实验系统,进行了实验验证.理论推导表明:在近红外区域,反射镜倾角理论最大值为0.52°,光谱分辨率达到8 nm;在可见光区域,反射镜倾角理论最大值0.183°,光谱分辨率达到3 nm.选取可见光源488 nm激光器进行的实验验证结果表明:在倾角容限范围之内,光谱能准确还原;反之,光谱严重失真.最终,采用复色光源进一步实验验证了理论分析的正确性.     

基于数字光刻投影系统的快速微加工技术

设计一种经济有效的微流体芯片加工方法,可以快速地在聚二甲基硅氧烷（PDMS）表面加工出不同尺寸的微流路。 利用商用数字投影仪的成像原理,对其进行简单的改装,得到成缩小像的数字光刻投影系统（DLPS）,并利用该系统在PDMS表面加工微流路;同时通过荷叶效应和毛细吸附效应两组实验,对DLPS的加工性能进行了验证和应用。 该DLPS可在PDMS表面加工微结构,最小稳定加工精度可达40 m,通过模仿荷叶效应获得的材料表面,其疏水角增加到1233。 该DLPS系统可用于快速加工微流体芯片,当流路尺寸要求不是很严格时,低成本和高效率等优点使该系统完全适合在普通实验室开展微流体技术的研究。     

位相型光瞳滤波器对共焦系统离焦工作状态横向分辨特性的影响

分析了共焦显微系统(CMS)离焦状态工作时分辨特性的变化,指出了离焦状态是导致CMS横向分辨特性变差的主要影响因素之一。提出并采用了位相型超分辨光瞳滤波技术来改善CMS工作在离焦状态下的横向分辨特性,分析了超分辨光瞳滤波器位置变化对CMS横向分辨特性的影响。理论分析和实验验证表明,位相型超分辨光瞳滤波技术的引入,显著抑制了CMS工作在离焦状态时艾里斑旁瓣的增长,克服了CMS因工作在离焦状态而引起的横向分辨特性下降的缺点。     

光固化快速成型中光敏树酯的光学特性对成型的影响

研究了光固化快速成型中光敏树酯的光化学过程、光敏树脂与固化光源的匹配性以及对光吸收特性和固化特征,分析了这些因素对成型过程的影响,为快速成型机的实际应用提供了参考.     

Simple and robust digital holography for high-resolution imaging

Based on the point spread function of holographic system,the lateral resolution of digital holographic imaging system without any pre-magnification is studied.The expression of resolution limitation of holographic imaging system is thus presented.We investigate the possibilities to improve the lateral resolution.The simple experimental setup with an off-axis arrangement is built.By using a U.S.Air Force(USAF)test target as microscopic object,the recorded holograms are reconstructed digitally based on the principle of Fresnel diffraction.The lateral resolution of 2.76 μm without any pre-magnification is demonstrated experimentally,which matches the theoretical prediction well.     

具有高空间分辨力的整形环形光式差动共焦测量法

提出一种新的具有高空间分辨力的整形环形光式差动共焦测量方法。该方法通过整形环形光式共焦测量法和锐化爱里斑主瓣，改善系统横向分辨力；通过差动共焦测量法改善系统的轴向分辨力，最终达到提高系统空间分辨能力的目的。理论分析和实验表明：整形环形光内孔归一化半径ε越大，横向分辨力改善越明显，量程扩展范围越宽；当入射光波长λ=632.8nm，物镜数值孔径取NA=0.85，ε=0.5时，该系统的横向分辨力优于0.2μm，轴向分辨力优于2nm。该方法为光触针测量系统空间分辨力的提高提供了1种新的方法，可广泛应用于超精密三维微细结构工件的超精密测量。     

图像复原式整形环形光横向超分辨共焦显微测量新方法

提出一种新的图像复原式整形环形光横向超分辨共焦显微测量法. 该方法首先利用二元光学器件，将高斯照明光束整形为环形光束，用于初步改善共焦显微镜的横向分辨力，然后利用基于最大似然估计法(maximum likelihood estimate, MLE)的单幅图像超分辨复原技术，重建测量图像的高频信息，来进一步改善共焦显微镜的横向分辨力. 实验表明,当λ=632.8nm，N.A. =0.85时，该方法能使共焦显微镜获得优于0.1μm的横向分辨力. 利用该方法建立的横向超分辨共焦显微系统除了具有显著的超分辨效果外 关键词： 超分辨 超分辨复原 最大似然估计 共焦成像     

利用小尺寸电荷耦合器件实现数字全息高分辨成像

为了在降低数字全息显微成像系统成本的同时实现高分辨成像,对像面数字全息显微术的记录与再现过程进行了理论分析,结合系统的点扩散函数,对该系统的横向分辨率进行了分析. 得到了如下结论：像面数字全息显微系统的横向分辨率对电荷耦合器件（CCD）光敏面尺寸变化不敏感;对于常见的CCD 器件,其像元尺寸的变化对该系统的横向分辨率影响甚微. 此外,对像面数字全息显微系统的成像特点进行了分析,结果表明：利用像面数字全息系统可以实现物体信息的完整记录与再现,其成像分辨率及像质优于预放大数字全息系统. 利用搭建的数字全息实验记录系统,从强度及位相两方面对理论分析结果进行了验证,实验结果表明了理论分析的正确性. 关键词： 像面数字全息术 横向分辨率 点扩散函数 小尺寸电荷耦合器件     

Comparison of sonochemiluminescence images using image analysis techniques and identification of acoustic pressure fields via simulation

One common method to determine the existence of cavitational activity in power ultrasonics systems is by capturing images of sonoluminescence (SL) or sonochemiluminescence (SCL) in a dark environment. Conventionally, the light emitted from SL or SCL was detected based on the number of photons. Though this method is effective, it could not identify the sonochemical zones of an ultrasonic systems. SL/SCL images, on the other hand, enable identification of ‘active’ sonochemical zones. However, these images often provide just qualitative data as the harvesting of light intensity data from the images is tedious and require high resolution images. In this work, we propose a new image analysis technique using pseudo-colouring images to quantify the SCL zones based on the intensities of the SCL images and followed by comparison of the active SCL zones with COMSOL simulated acoustic pressure zones.     

Effects of device resolution on three-dimensional integral imaging

We present the effects of a finite number of pixels in elemental images on the resolution and the depth of focus in three-dimensional integral imaging (II). We show that the number of pixels in elemental images determines not only the lateral resolution but also the depth resolution. The minimum number of pixels required in each elemental image is calculated to avoid depth-of-focus degradation. We evaluate how II system performance degrades as the number of pixels in each elemental image changes. The product of the depth of focus and the lateral resolution squared is used as the performance metric.     

A novel method for positioning of InAs islands on GaAs (1 1 0)

A novel method for positioning of InAs islands on GaAs (1 1 0) by cleaved edge overgrowth is reported. The first growth sample contains strained In_xGa_1−xAs/GaAs superlattice (SL) of varying indium fraction, which acts as a strain nanopattern for the cleaved-edge overgrowth. Atoms incident on the cleaved edge will preferentially migrate to InGaAs regions where favorable bonding sites are available. By this method InAs island chains with lateral periodicity defined by the thickness of InGaAs and GaAs of SL have been realized by molecular beam epitaxy (MBE). They are observed by means of atomic force microscopy (AFM). The strain nanopattern's effect is studied by the different indium fraction of SL and MBE growth conditions.