超导Nb-Ge溅射膜的俄歇电子能谱及电子能谱化学分析

利用表面分析仪器俄歇电子能谱(AES)仪和电子能谱化学分析(ESCA)仪对超导Nb-Ge溅射膜进行表面和深度剖面分析,以探讨在溅射沉积成膜过程中A15结构Nb₃Ge能够稳定生长的机制,以及影响其转变温度T_c的因素。分析结果表明,超导Nb-Ge膜中含有O,C和Al等杂质,其中O的含量对T_c有重要影响。表面上未发现有聚集的Ge。Nb/Ge密度比由表面层的3.1向内部逐渐降至2.26。X射线光电子能谱(XPS)的分析表明:Nb,Ge,C和O的谱峰沿深度均有不同程度的化学位移和峰形变化,这明这些元素的化学态在膜内是复杂的。但其中Nb的变化最小,可能对高T_cA15Nb₃Ge相的生长起稳定作用。 关键词：     

铀与表面铝薄膜界面反应的俄歇电子能谱分析

主要利用俄歇电子能谱（AES）研究了室温下铀、UO2与表面铝薄膜之间的界面反应，以及退火对界面反应的影响。在俄歇电子能谱仪超高真空室中，利用Ar^＋枪溅射铝靶，使其分别逐步沉积到铀基体与UO2表面上，然后利用电子枪适时采集表面俄歇电子能谱，研究膜基界面反应。     

俄歇电子能谱中背散射修正因子的计算

利用经过我们修正并简化的“完全扩散”电子散射模型,计算了俄歇电子能谱定量分析中的背散射修正因子。得到的结果与志水隆一等人用复杂的蒙特-卡罗计算得到的结果很接近,并优于Reuter的经验公式和Love等人用简单的蒙特-卡罗计算得到的拟合公式。我们的计算方法很简便,可以方便地应用于各种实验条件,不需要像志水隆一等人那样进行内插和外推。 关键词：     

铀与UO2表面铝薄膜生长行为的俄歇电子能谱分析

主要利用俄歇电子能谱（AES）原位分析了室温下铀与UO2表面铝薄膜的生长行为。在俄歇电子能谱仪超高真空室中，利用Ar^＋枪溅射铝靶，使其沉积到铀基体上，然后利用电子枪适时采集表面俄歇电子能谱，原位分析铝薄膜的生长过程。在UO2表面沉积铝膜时，先往真空室中充入氧气，将清洁铀表面氧化成UO2，然后再溅射铝靶原位沉积制备铝薄膜。     

微纳尺度俄歇电子能谱新技术开发及其应用进展

随着纳米结构材料的广泛应用,新型微纳尺度表征技术成为纳米科学技术发展的重要途径.本文基于局域电子信息全面性的思想,从俄歇电子能谱的原理出发,理论推导出俄歇价电子能谱的简明表述方式,确定俄歇价电子能谱与微观电子结构信息的内在联系和物理意义,建立了俄歇电子能谱探测微区一系列宏观参量的新技术.其中应力测最技术的空间分辨率可优于20 nm,为微纳尺度力学测量的发展提供了重要的方法;非接触性的局域电学性质测量技术,超越了传统电学测量方法的思想框架,实现了无外场驱动的电荷密度分布、电场分布等本征电学性质表征、以及半导体异质结构整个空间区域的能带构造;结构相的测定技术,使纳米微区材料的晶体结构相识别成为可能;半导体微区导电类型测定技术,建续了非接触性电学测量的优点,并且能够灵活地探测分析复杂光电器件结构中不同区域的导电类型分布.通过实际应用于侧向外延GaN不同区域、AlxGa1-xN/GaN超晶格量子阱结构、ZnO纳米颗粒等纳米尺度复杂体系的微区宏观性质探测,获得应力/应变、电荷密度/电场、结构相以及导电类型及其分布等结果,验证了所建立的测量技术的有效性和可靠性.     

微纳尺度俄歇电子能谱新技术开发及其应用进展

随着纳米结构材料的广泛应用,新型微纳尺度表征技术成为纳米科学技术发展的重要途径。本文基于局域电子信息全面性的思想,从俄歇电子能谱的原理出发,理论推导出俄歇价电子能谱的简明表述方式,确定俄歇价电子能谱与微观电子结构信息的内在联系和物理意义,建立了俄歇电子能谱探测微区一系列宏观参量的新技术。其中应力测量技术的空间分辨率可优于20nm,为微纳尺度力学测量的发展提供了重要的方法;非接触性的局域电学性质测量技术,超越了传统电学测量方法的思想框架,实现了无外场驱动的电荷密度分布、电场分布等本征电学性质表征、以及半导体异质结构整个空间区域的能带构造;结构相的测定技术,使纳米微区材料的晶体结构相识别成为可能;半导体微区导电类型测定技术,延续了非接触性电学测量的优点,并且能够灵活地探测分析复杂光电器件结构中不同区域的导电类型分布。通过实际应用于侧向外延GaN不同区域、AlxGa1-xN/GaN超晶格量子阱结构、ZnO纳米颗粒等纳米尺度复杂体系的微区宏观性质探测,获得应力/应变、电荷密度/电场、结构相以及导电类型及其分布等结果,验证了所建立的测量技术的有效性和可靠性。     

分子束外延GaN薄膜的X射线光电子能谱和俄歇电子能谱研究

用XPS和AES电子能谱的方法对等离子体辅助分子束外延(MBE)生长的GaN薄膜进行了表面分析和深度剖析.发现红外分子束外延(RFMBE)生长的富镓GaN薄膜实际表面存在O和C吸附层,C主要为物理吸附,而O在GaN表面形成局域化学键产生氧络合物覆盖层,并形成一定的深度分布.杂质O在GaN带隙中导带底形成杂质带同时引入深受主能级,使得带隙变窄室温光吸收谱向低能方向移动,光致发光谱出现宽带发光峰.从而影响GaN薄膜的电学和光学性质 关键词： GaN薄膜 X射线光电子能谱 俄歇电子能谱 表面分析     

X射线光电子能谱中的俄歇参数

简要介绍了几种俄歇参数定义以及俄歇参数图中涉及的原子外部驰豫能和俄歇双电离体系终态能，最后评述它们的应用。     

Au/a-Si:H界面X射线光电子能谱和俄歇电子能谱研究

采用x射线光电子能谱(XPS)和俄歇电子能谱(AES)对Au/a-Si:H界面进行了研究。实验表明,Au/a-Si:H界面最初形成过程是以金属团生长形式出现,当Au淀积量超过一定值后,Au和Si开始互扩散并进行化学反应,结果形成Au-Si互溶区。利用光发射方法证实,热处理Au/a-Si:H界面导致淀积膜中Si岛形成。 关键词：     

超高真空俄歇电子能谱原位加热和GaN热效应研究

建立一套基于超高真空俄歇电子能谱的原位加热系统,对GaN薄膜进行热效应研究．随着温度的增加,Ga LMM和Ga MVV的动能减小．利用第一性原理计算,获得理论的GaMVV俄歇谱.加热过程由于晶格热膨胀以及表面原子再构引起价电子态密度发生变化,从而导致价带俄歇谱负移．     

HL-1装置石墨孔栏杂质收集探针的俄歇电子能谱及孔栏表面分析

在HL-1装置的输样机构上安放了硅收集探针。经过55次高功率托卡马克放电辐照后,对于因石墨孔栏被腐蚀而溅射蒸发,并沉积在硅收集探针上的杂质涂层进行了俄歇电子能谱(AES)分析,获得无主动冷却石墨孔栏被腐蚀而溅射蒸发出来的碳杂质流通量约为8×10~(13)cm~(-2)·S~(-1),金属重杂质镍和铬较GH39高镍钢孔栏时降低44％左右。     

俄歇电子谱及莫应用

１９２５年俄歇（Ｍ·Ｐ．Ａｕｇｅｒ）研究威尔逊云室中被ｘ射线所电离的惰性气体的光电效应时,发现双径迹现象．这两条径迹从同一处出发．其中一条是被ｘ射线照射后原子内壳层释放出一个光电子所引起的,它的长度随照射的ｘ射线能量的增加而拉长．另一条径迹的长度却并不随着照射的Ｘ射线的能量变化而变化,仅同被照射的原子的种类有关．俄歇对后者作了正确的解释,认为它是由一个外壳层电子填补内壳层空穴释放出来的能量,?...     

Pd/W/Si(111)双层膜界面X射线光电子能谱与俄歇电子能谱研究

利用X射线衍射（XRD），X射线光电子能谱（XPS）和俄歇电子能谱（AES）对Pd/W/Si（111）界面进行了研究。实验结果表明，当系统作低温退火时，受W膜的阻挡，未生成硅化物，但Pd/W界面和W/Si（111）界面均有互扩散。升高退火温度，Pd－W原子在Si衬底上形成互溶体，Pd原子已穿过W阻挡层而到达W/Si（111）界面处，随着退火温度的继续升高，首先在W/Si（111）界面处生成PdSi_x,WSi_x也随之生成，这样就形成Pd-W原子分布的“反转”，在薄     

GaAs—Cs—O负电子亲和势表面激活的俄歇能谱和低能电子衍射研究

用二步激活工艺将GaAs外延层激活成负电子亲和势。该工艺步骤包括:真空热清除和铯、氧激活、随后的第二次加热,使铯部分地解吸,并再次用铯、氧激活。在第一次激活期间,俄歇能谱测量表明光电发射增加到最大值,铯/氧比也增加。这个比值总是小于提供较大光电发射的第二次激活期间的近似常数比。而第一次和第二次激活之后的解吸研究表明,虽然铯俄歇峰值高度在大的温度范围内单调下降,但当增加温度时,氧峰值高度越过一个最大峰值,然后当铯懈吸完成时,氧峰高度迅速降到零。第二次激活后解吸温度稍高一点。低能电子衍射表明铯-氧层是无定形的。     

用于俄歇电子测量的廉价的锁相放大器

一、锁相放大器结构及其主要电路关干锁相放大器的原理可见文献［１—３］．本文中所描述的锁相放大器,简化了结构．它采用换程开关,使振荡器产生二个频率ｆ０和ｆ０／２,分别工作于基频模式和倍频模式,以适用于一次和二次微商的测量要求．整机有前置放大器、窄带放大器、相敏检波器（由混频器及低通滤波器组成）、振荡器以及移相器等几部分构成．全机总增益为１１９ｄＢ．现简述如下：１．前置放大器它仅用一只５Ｇ２８场?...     

离子注入形成SOI结构的界面及埋层的俄歇能谱研究

本文中研究了O⁺(200keV,1.8×10¹⁸/cm²)和N⁺(190keV,1.8×10¹⁸/cm²)注入Si形成SOI(Silicon on Insulator)结构的界面及埋层的化学组成。俄歇能谱的测量和研究结果表明:注O⁺的SOI结构在经1300℃,5h退火后,其表层Si和氧化硅埋层的界面存在一个不饱和氧化硅状态,氧化硅埋层是由SiO₂相和这不饱和氧化硅态组成,而且氧化硅埋层和体硅界面不同于表层Si和氧化硅埋层界面;注N⁺的SOI结构在经1200℃,2h退火后,其氮化硅埋层中存在一个富N的疏松夹层,表层Si和氮化硅埋层界面与氮化硅埋层和体硅界面性质亦不同。这些结果与红外吸收和透射电子显微镜及离子背散射谱的分析结果相一致。还对两种SOI结构界面与埋层的不同特征的原因进行了分析讨论。 关键词：