基于峰域工作点的间接耦合光电探测器

本文系统报道了间接耦合光电探测器奇异输出特性中四类工作区域的瞬态响应状部，当器件工作于峰域时，不仅能加快响应速度而且产生新的内部增益，充分展示出这是一个极有价值的区域。文中针对实验结果进行讨论，得出交流耦合系数大于１的分析结果。     

通信电源用超小型光电耦合器件

近年来,通信电子设备由于Internet普及应用获得了长足发展。这些通信电子设备在实现高功能化的同时,自身不断小型化,而其中内置的板上电源部件（On-boardPower　Supply　Block）,正逐渐成为其小型化的障碍。在板上电源部件里,光电耦合器件是占居空间较大的器件之一,因而成为板上电源部件进一步小型化的关键。 图1是当今流行的板上电源的示意图。从图中可以看出,光电耦合器件（photo coupler）是板上电源原边和副边的隔离器件,同时肩负反馈和过压/过流保护作用。也就是说,它在以板上电源为首的开关电源里,可把副边输出反馈到原边,以便于调整电源输出。此外,因为过压/过电流需要实现保护,往往需要几个光电耦合器件。一旦大量使用光电耦合器件,它所占居的板上电源组装面积就相当可观     

半导体光源器件的金属化耦合封装

本文介绍长波长光源器件的金属化耦合封装工艺,并通过工艺试验和生产实践,对采用新工艺制作的产品进行了可靠性考核,其结果表明这种工艺是成功的。尤其是采用YAG激光焊接技术,较好的解决了光纤定位工艺。     

电荷耦合器件在视频处理中的应用

介绍一种利用电荷耦合器件ＣＣＤ３２１以及相关技术来提高弱信号检测能力的方法,这种从视频信号中提取有价值的目标信号是光电跟踪系统中视频处理的主要功能。     

全波导带宽的高方向性耦合器件

高方向性耦合器件是微波系统、微波测量中的重要器件。机电部二○六所研制的全波导带宽的高性能耦合器件能满足您在微波测量和微波工程中的大多数需求。已研制了覆盖2600MHz～60000MHz的宽带波导高方向性     

4096位线阵电荷耦合光电二极管摄像机成像技术

从电耦合光电二极管的基本工作原理出发，设计出４０９６位线降ＣＣＰＤ摄像机成像驱动动逻辑电路和视频信号处理电路。该成像系统频通道技术指标达到：动态范围４５ｄＢ，信噪比５伏峰峰值，分辨率２４００线。在实验室内摄出室温下清晰图像。     

基于光波导的高耦合效率垂直耦合结构设计

针对目前光电印制板(OEPCB)中光电器件与光波导对接的垂直耦合结构耦合效率较低的问题,分析了传统嵌入式45°反射微镜的垂直耦合结构,提出了一种新的垂直耦合结构,经Matlab仿真验证其具有更高的垂直耦合效率。研究表明,新结构对光电对准精度要求不高,受传统PCB制作工艺的层压的高温高压影响更小、便于兼容传统PCB制作工艺。     

高精度激光定位工件台系统研制成功

中国科学院光电技术所于1978年承担了两项为发展我国大规模集成电路（LSI）用的关键工艺设备的研制任务。经过三、四年的努力，已先后胜利完成研制工作。继1981年7月在北京通过了性能优良的、具有七十年代中期国际水平的JK-1型半自动接近式光刻机的院级技术鉴定之后，最近科学院成都分院受科学院技术科学部的委托在成都召开了高精度激光定位工件台系统院级鉴定会，通过了技术鉴定。     

高倍增高压超快GaAs光电导开关中的光激发畴现象

本文首次报道了在临界触发条件下观察到的高倍增ＧａＡｓ光电导开关中的光激发畴现象．分析了畴的产生与辐射发光在Ｌｏｃｋ－ｏｎ效应中的作用．指出正是光激发畴的性质与行为决定了ＧａＡｓ光电导开关高倍增工作模式的典型现象和特性．     

全波导带宽的高方向性耦合器件

高方向性耦合器件是微波系统、微波测量中的重要器件。机电部二○六所研制的全波导带宽的高性能耦合器件能满足您在微波测量和微波工程中的大多数需求。已研制了覆盖2600MH_2～60000MH_2的宽带波导高方向性耦合器(图A、B)、双向耦合器(图C、D)、双定向耦合器(图E)、同相耦合功分器(图F)。波导型号从BJ—32～BJ—500共十五个波导频段。耦合度有3dB、6dB、10dB、20dB、40dB和60dB。隔离度和方向性高达40dB以上。主线VSWR     

第七届全国化合物半导体和微波、光电器件学术会议简况

<正>由中国电子学会半导体与集成电路技术学会和电子材料学会主持召开的第七届全国化合物半导体材料和微波、光电器件学术年会,于1992年8月26日至30日在河北省北戴河召开。参加这次学术年会的代表来自全国40个单位,184人。机电部总工程师俞忠钰出席了大会,并就我国电于工业的发展作了重要讲话。会议录用论文176篇,其中特邀报告8篇,在大会上宣读了4篇。它们是:国家自然科学基金委员会许振嘉研究员的“金属-砷化镓研究”;北京大学秦国刚教授的“发可见光的多孔硅”;北京电子管厂苏里曼高级工程师的“InP异质结晶体管”和河北半导体研究所所长毕克允的“集中力量发展我国的砷化镓技术”。     

光电器件近年来的发展趋向

文章从不电器件的单元技术、成像器件和垂直腔面发射半导体激光器三方面评述电器件的进展，说明它是一个充满活力的研究领域。     

第五届全国化合物半导体材料和微波光电器件学术会议

<正> 由中国电子学会半导体与集成技术和电子材料学会主持召开的第五届全国化合物半导体材料和微波、光电器件学术年会,于1988年10月31日～11月6日在江西庐山召开。参加这次学术会议的有来自全国各地的有关研究所、高等院校、国家专利局、工厂等单位的代表154人。会议编辑出版的论文集共刊出155篇论文。大会报告了六篇论文,它们是:中国科学院半导体研究所研究员、所长王启民的《半导体光电子器件与OEIC的发展》;中国科学院上海冶金所研究员彭瑞伍的《Ⅲ-V族锑化物材料的进展》;中国科学院半导体所研究员梁骏吾的《Ⅲ—V族化合物中杂质与缺陷的相互作用》;中国科学院长春物理所高级工程师吕安德的《原子层外延及其进展》;河北半导体研究所高级工程师、副总工程师梁春广的《InAIAs/InGaAs/InP MESFET研究》;南京电子器件研究所高级工程师黄廷荣的《化合物半导体光逻辑器件研究现状及研究战略》。     

半导体发光器件技术现状及其产业发展趋势

本文根据最新资料，综述了上前国内外半导体发光器件的现状和发展趋势，并对我国应如何发展光电器件提出建议。     

高阻P型硅PN结中的光电转换

用高阻Ｐ型硅（ρ＝１２０００Ω·ｃｍ）单晶材料制作了ＰＮ结光敏二极管，对二极管的光电参数进行了测量。在激光辐射下，测出样管在光照前后的Ｃ－Ｖ实验曲线及样管在光照前后的电容相对变化可达到１００％，远大于低阻Ｐ型硅ＰＮ结在光照前后电容的相对变化率，并得到雾偏下样管电容在光照前后的相对变化率为１２１．７％。     

CCD摄象器件光响应均匀性测量

提出用均方根偏差度来表征CCD摄象器件光敏元响应的不均匀度,理论分析了不均匀度测量对转移效率测量的依赖关系,得出一种精确测定不均匀度及转移效率的新方法,建立了测量系统。实验结果与理论分析相符。