用全球科学家信赖的激光器产品构建您的化学实验室

长春新产业光电技术有限公司是1996年依托中科院长春光机所设立的高科技企业,主要从事半导体泵浦全固态激光器和半导体激光器的科研、开发与生产。产品包括紫外到红外波段多种波长的激光器（266nm～2200hm）。     

用全球科学家信赖的激光器产品构建您的化学实验室

长春新产业光电技术有限公司是1996年依托中科院长春光机所设立的高科技企业,主要从事半导体泵浦全固态激光器和半导体激光器的科研、开发与生产。产品包括紫外到红外波段多种波长的激光器（266nm-2200nm）。公司的规模和产品的性能近年来一直保持全球领先,     

科学家成功研制全半导体室温太赫兹时域光谱仪

英国的研究人员已经公布了全半导体室温太赫兹时域光谱仪。该小组认为,这是第一个使用全半导体结构的光谱仪,相比于传统的基于超激光的设计,具有节约成本和规模小的优势。南安普敦大学的VasileiosApostolopoulos在optics.org提到:传统的太赫兹时域光谱仪是基于钛蓝宝石激光器的基础上设计的,它虽然具有优良的性能,但成本昂贵、规模较大。目前使用的是由南安普敦的AnneTropper研究小组开发的一种微型半导体激光源,它有非常高的重复率,并在未来的一两年内,可能会产生低于200飞秒的脉冲。通过全半导体的方法,研究小组开始制造垂直外腔表面发射激光器(VECSEL),在波长为1044nm时可以发射480飞秒的脉冲。腔体包括一个光学斯塔克半导体可饱和吸收镜(SESAM)作为锁模元件。垂直外腔表面发射激光器用于传统的时域光谱设置,它可以照亮一组光敏天线。Apostolopoulos和他的同事们报告说,他们可以检测到超过带宽0.1至0.8THz的辐射,并有充分确定水吸收谱线的方案。Apostolopoulos评论说:“同样的技术可被用来制造太赫兹光敏天线和垂直外腔表面发射激光器的元件,如量子阱增益样品和半导体...     

毛细管电泳-473 nm固体激光诱导荧光检测系统的建立

以发射波长473nm的半导体激光泵浦固体激光器(LD DPSSL)为激发光源,研制了一种小型模块化激光诱导荧光检测器。以异硫氰酸荧光素(FITC)为荧光探针,毛细管电泳柱上检测(0.05mmi.d)评价了该体系,得到了5×10-12mol L的浓度检出限。利用该系统考察了氨基酸、实际样品中B族维生素的检测。     

我国攻克大功率半导体激光器关键技术

从中国科学院长春光学精密机械与物理研究所了解到,由该所王立军研究员带领的课题组攻克了大功率半导体激光器关键核心技术,成功开发出千瓦量级、高光束质量、小型化的各种半导体激光光     

金属有机化合物用于形成半导体材料方面的新进展

多元半导体材料在高科技领域中占有极其重要的地位,在半导体激光器,探测器,太阳能电池及微电子学等方面有着广泛应用。这些材料的获得经常采用的手段之一是金属有机气相     

半导体微盘腔激光器的腔模结构分析

应用光流线量子力学理论，分析了微盘激光器的腔模结构，为半导体微盘谐振腔的＂回廊耳语模＂~［７］（ＷｈｉｓｐｅｒＧａｌｌｅｒｙＭｏｄｅ）现象做出了理论解释，并对不同尺寸的微盘可能存在的模式做出了理论计算，为微腔激光器的设计。制作及输出光模式的预测提供了理论依据。     

Tm3+/Yb3+掺杂亚碲酸盐玻璃蓝红光上转换的研究

研究了掺Tm^3 /Yb^3 亚碲酸盐玻璃室温下的上转换发光。用970nm波长的半导体激光器作为泵浦源，得到了高效率的480nm波长上转换的荧光，通过对不同掺杂浓度样品的发光比较，发现了这种玻璃上转换发光的浓度猝灭现象，找出了这种玻璃得到高效率上转换发光的适宜浓度，并对Tm^3 的浓度猝灭现象进行了分析，通过对上转换发光强度与泵浦强度关系曲线的拟合，看到这种上转换是三光子吸收过程，这与通过能级图分析得到的结果相同，另外，也对650nm波长的转换发光进行了研究。     

有机光电导体增感剂N,N'-二乙基-3,3'-二吩噻嗪基-甲苯基碘鎓盐的合成及光敏性研究

有机光电导体在静电复印、全息记录、信息存储等方面得到实际应用.特别是半导体激光器的研制成功,人们对研究适于近红外(780-850 nm)的有机光电导材料越来越感兴趣。它在半导体激光打印,影像印刷等应用中具有广阔的前景。     

微波法合成氧化锌纳米棒

以氯化锌为锌源,碳酸钠为矿化剂,水为溶剂,微波辐照10 min制备了结晶性好的半导体ZnO纳米棒.经XRD,FESEM,TEM和SAED表征,ZnO纳米棒直径为40 nm～80 nm,长度为300 nm～500 nm,沿着c轴择优取向生长.对ZnO纳米棒生长机制进行了分析.     

掺铬高温相硼酸镧钪的光谱研究

报道了掺铬高温相硼酸镧钪Cr^3 :LaSc3(BO3)4(α－CLSB）晶体的光谱特性，吸收光谱表明：CLSB晶体在可见光区有两个吸收带，吸收峰值分别位于457和654nm处，吸收系数均为19．07。室温荧光光谱则表现为一个源自于4T2→4A2能级跃迁的780－1120nm的宽带发射，其半峰宽为167nm，峰值为963nm，其荧光寿命为17us。通过计算得出了铬离子所处的晶场强度Dq和拉卡参数B分别为1529和675cm^-1，Dq/B=2.26，研究结果表明：掺铬高温相硼酸镧钪有望成为一种新的可调谐激光晶体。     

硫化物半导体超微粒量子尺寸效应的光谱研究

用胶体化学方法在水溶液中制备了纳米硫尺寸硫化物半导体超微粒(CdS、ZnS、PbS、及Bi₂S₃),并用TEM测得超微粒颗粒尺寸小于10nm.本文详细研究了这些硫化物半导体超微粒的量子尺寸效应和光学性质以及制备过程中颗粒形成的化学环境与条件参数的影响。可以观察到它们收光谱及喇曼光谱(CdS)的明显变化。采用合适的表面修饰剂和稳定剂、将溶液的pH控制在适当的范围以及金属离子的过量等,都可使超微粒的吸收光谱明显蓝移并出现结构峰。对于CdS超微粒,其特征共振喇曼峰逐渐减弱直至最后消失。这些都表明了硫化物半导体超微粒尺寸逐渐减小而呈现出明显的量子尺寸效应。     

激光二极管泵浦激光诱导荧光检测装置的研究

基于共聚焦光学结构,以发射波长532nm的二极管泵浦固体激光器为激发光源研制了一小型荧光检测器;以罗丹明B为荧光试剂,柱上检测模式评价了该检测体系,焦宁Y为背景荧光探针间接检测了无机金属离子,结果表明该系统具有体积小、成本低、高灵敏度和易操作等优点。     

超声化学合成半导体氧化锌纳米杯

在室温下,以硝酸锌和六次甲基四胺的水溶液为前驱体溶液,通过超声辐照20 min制得了半导体ZnO纳米杯。粉体用XRD、EDS、FESEM、TEM、SAED和HRTEM进行了表征。结果表明：ZnO纳米杯为六方纤锌矿相的单晶结构,产量高,杯高在90 nm左右。讨论了超声时间和碱的浓度对晶体生长的影响,分析了可能的反应机理。室温下的PL光谱表明粉体有在389 nm处较强的激子发射和中心区在530 nm处较宽的黄绿光发射。     

我国与俄罗斯合作突破大功率激光器关键技术

不久前，受科技部委托，吉林省科技厅组织召开了大功率激光器技术研究国际科技合作项目验收会，邀请了北京、黑龙江、山东等省专家组成专家组，对项目进行了验收。专家组认为，该项目通过与俄罗斯知名院所合作创新，突破了千瓦级大功率激光器多项关键技术；在国内首次开发出连续输出千瓦级高效节能半导体激光加工机光源；实现了百瓦级质量激光输出。该项成果已在工业、     

宽谱响应的混合碳纳米管光电探测器的制备和性能

基于表面等离子体增强的机理,利用银纳米线及半导体性单壁碳纳米管通过微纳加工手段制备了一种混合光电探测器,使用扫描电子显微镜、拉曼光谱分析仪、半导体装备分析仪及光电流谱技术等手段分别表征了制得混合光电探测器的微观形貌、响应光谱特征、光吸收性能和光响应性能及光电流光谱性能。结果表明,制得混合光电探测器沟道薄膜形貌均匀紧密,沉积成膜的碳纳米管直径约为1.4 nm,主要由半导体性单壁碳纳米管所构成。该杂化的光电探测器在可见光到近红外光谱范围内都表现出优良的宽谱响应特性。在近红外波段(约1 050 nm)下,混合光电探测器的光响应度可以达到34.9 mA/W,远优于无银纳米线光电探测器(7.45 mA/W)。并且混合器件在受到532 nm激光激发时的响应时间约为200μs,同时保持了超快的光响应性能。与无银纳米线光电探测器相比,混合光电探测器在宽谱范围内的光响应性能增强,其中,在光电流模式下的光响应性能最高增强7.5倍。     

5-硝基螺(口恶)嗪的合成及其光致变色

螺(口恶)嗪是一类重要的光致变色化合物,与研究最多的螺吡喃化合物相比,其主要优点是热稳定性高、抗疲劳性强。做为光致变色光存贮材料,它是一类值得重视的化合物,但关于此类化合物的研究却还很少。限制此类化合物在光致变色光存贮材料中应用的最大困难是它们的最大吸收(一般在650nm左右)与现有半导体激光器的光源波长(一般大于750nm)不相适应。     

一个新的三维配位聚合物Na[Cu_2(malonate)_2]·(ClO_4)·(H_2O)_2的合成与表征(英文)

通过Cu(ClO4)2和丙二酸在水溶液中的自组装合成了一个新的3D配位聚合物:Na[Cu2(malonate)2]·(ClO4)·(H2O)2。X鄄射线结构分析表明该化合物晶体属于正交晶系Pnma空间群(a=1.2565(3),b=1.05943(2),c=1.07556(14)nm,V=1.4317(4)nm3,Z=4)。该聚合物的空间堆积在沿b轴和c轴方向分别形成大小为0.98nm×0.83nm和0.40nm×0.40nm的方形孔洞,在沿a轴方向形成大小为0.85nm×0.40nm的砖墙形孔洞。磁性测试结果表明该化合物显示出铁磁性。导电性能测试实验表明它是一个半导体,经拟合得到其活化能为0.80eV。     

Pb1—xEuxSeyTe1—y双异质结的分子束外延生长

用分子束外延技术在P型PbTe[100]衬底上成功地生长出Pb_(0.970)Eu_(0.030)Se_(0.016)Te_(0.984)/Pb_(0.970)Eu_(0.030)Se_(0.016)Te_(0.984)双异质结。为得到发射波长在2～4μm波段的半导体激光器,通过控制有源区Eu的组份(x值)来调节有源区的禁带宽度。经扫描电子显微镜分析及电学特性的测量,证明Pb_(1-x)Eu_xSe_yTe_(1-y)双异质结结构均匀完整,结特性明显。     

镉的硫族化合物半导体纳米线阵列的模板法合成及其紫外可见吸收光谱研究(英文)

以多孔氧化铝为模板 ,用交流电分别通过含有相应的CdCl2 、ZnCl2 、单质S、Se等的二甲亚砜 (DMSO)溶液 ,沉积CdS、CdSe以及CdxZn1-xS半导体纳米线阵列并研究其紫外可见吸收光谱 .实验结果表明 ,当半导体纳米线的直径小于 2 5nm时 ,其吸收边相对于体相的吸收边产生蓝移 ,而且蓝移的幅度随着半导体纳米线直径的减小而增加 ,显示了明显的量子限域效应 .