HITCE陶瓷阵列封装板级互联可靠性研究

氧化铝HTCC陶瓷与有机印制电路板间热膨胀系数的差异较大,板级互连可靠性成为大尺寸陶瓷阵列封装面临的主要问题之一。介绍了常见陶瓷阵列封装结构及其互联可靠性问题。高热膨胀系数(HITCE)陶瓷材料具有独特的特性,在封装中的应用可以提高其板级互联可靠性。采用有限元仿真分析方法,对比分析了HITCE陶瓷封装和HTCC陶瓷封装温循条件下的板级互连可靠性。     

ESD Susceptibility of Submicron Air Gaps

This work describes the investigation of the ESD susceptibility of submicron air gaps which are used e.g. in filter devices. The breakdown behaviour of the air gaps is analyzed in both the HBM (Human Body Model) time domain and the CDM (Charged Device Model) time domain. Transmission Line pulsing (TLP) reproduces the different failure signatures. Furthermore, the failure model itself is explained in detail.     

变电站视频监控系统多级联网研究

介绍了电力图像监控系统建设与应用情况,论述了变电站图像监控系统联网平台建设的难点和关键技术.阐述了实现多级联网的两种技术方案,一种是基于服务器级联技术和中间件技术的解决方案,一种是基于SIP协议和协议转换服务器的解决方案.     

系统互通与网络互连概念研究

在计算机和网络领域中，由于种种原因已形成系统和网络的异构性。对异构网络的互连，互通，互操作的研究已形成关注的热点。本文对与此研究有关的一些重要概念，如：网络互连，系统互通与互操作，以及互连体系结构和互连协议体系等，提出一些见解和看法，以助于这方面的研究。     

OEMCM中光互连布局算法的研究

本文着重于具有FSOI结构的OEMCM的光学互连及其布局算法研究.针对具有CGH的FSOI系统中的互连布局特点,提出一种有效互连布局算法.运用该算法对典型的大规模互连网络示例进行的运算结果表明,该算法不仅能够有效地解决这种FSOI系统中的网络互连具有一定空间局限性的问题,而且与已有的其它互连布局算法的计算机模拟结果相比,本文的算法在布局结果、算法的收敛性等方面具有明显的优点.     

MCM-C基板上的多层互连及厚膜电阻的可靠性研究

重点研究了MCM-C基板中多层互连和厚膜电阻的可靠性.试验采用温度应力和电应力的双应力加速寿命试验.试验发现,温度小于180℃时互连失效在MCM-C基板失效中占主要地位,膜电阻失效相对互连失效可忽略不计.在温度高于180℃时膜电阻失效将起较大作用,即膜电阻比互连温度加速系数要大.重点计算了膜电阻和互连寿命分布及加速系数.     

基于DBD的双放电气隙臭氧发生器串联谐振特性研究

根据臭氧发生技术的现状和发展趋势,对介质阻挡放电技术进行了介绍。研究了工业型臭氧发生器等效电感及负载大小对电晕功率和其他电性能参数的影响,从而优化结构参数和工作条件。在CF-G-3-1K型臭氧发生器上进行了实验研究。研究分析表明,设计1.5 kg/h的臭氧发生器,相应的最佳参数为电压峰值为20 kV,电源频率为1 227 Hz,等效电感为0.9 mH。     

高可靠性贴片式介质滤波器的设计与制作

讨论了体积小,损耗低和可靠性高的贴片式介质滤波器的研究过程.该滤波器采用切比雪夫响应法设计,利用介电常数为37的高品质因数Q值陶瓷制作.从而使滤波器获得了中心频率为1 420.5 MHz、插入衰耗小于2.5 dB的性能.结果表明,该微波器满足了1 000～1 500 MHz频率范围特殊通讯要求.     

一种高可靠连体式介质滤波器设计

根据椭圆函数响应,采用相对介电常数为37的高品质因数微波介质材料,该文设计了一种低损耗、连体式四级介质滤波器。通过1-4谐振器之间使用级联四元组(CQ)电容加载耦合,经优化后滤波器中心频率为1 268 MHz,工作带宽为25 MHz,插入损耗≤2.5 dB,回波损耗≥18 dB,近端带外抑制≥40 dB。根据仿真模型结构参数,优化成型和金属化工艺,制备得到的样品,通过可靠性环境试验表明,该滤波器的性能测试结果与仿真结果吻合良好。     

气压自适应控制系统的研究

利用自适应控制理论,以某宇航环境仿气压控制系统为对象,给出该系统的自适应控制算法,该方法简单、可靠,可有效达到该系统的技术指标要求。     

DQCA城域网实现计算机局域网互连时的性能研究

本文分析了分布式排队周期性访问ＤＱＣＡ城域网实现计算机局域网互连时的性能。通过比较研究发现，ＤＱＣＡ城域网在实现局域网互连时的性能（包括公平性能和报文停留时间）优于ＤＱＤＢ城域网。研究了网络参数Ｐｍａｘ、报文平均长度和报文统计特性对网络性能的影响。     

中型双放电气隙臭氧发生器负载特性探究

分析CF-G-3-600G型双气隙放电臭氧发生器逆变电路的工作原理,研究了双放电气隙臭氧发生管的负载特性及其对逆变电路的要求,得出了采用PWM控制技术和IGBT功率元件的高频高压全桥逆变电路的设计特点。     

含基底频率选择表面电介质匹配方式的研究

针对含基底的单屏频率选择表面(PSS)在电磁波倾斜入射时中心频点漂移过大,透过率下降迅速的问题,利用谱域分析方法对电介质层匹配方式作了详细的研究,提出了一种对称夹层的匹配方法.分析结果表明,对于大范围角度入射的电磁波,该方法能够在不改变原基底特性的情况下,优化FSS的传输特性.     

Trimming of Microstrip Circuits Utilizing Microcantilever Air Gaps (Correspondence)

A reliable method of tuning and microwave integrated circuit (MIC) line connection which has potential up to X band has been demonstrated. The method utilizes integrable fabricated microcantilever air gaps which are cold-deformed in situ to accomplish trimming. The advantages of this concept are 1) high open-circuit impedance, 2) low short-circuit insertion loss, 3) high trim resolution, 4) low line perturbation, 5) high mechanical stability, and 6) in situ fabrication with the rest of MIC circuitry.     

互联互通漫谈

在我国，目前对互联互通问题在认识上还存在许多偏差，国内互联互通刍议的焦点表现为互联费是否适当的问题，但它并非争议的全部，要互联互通解决难题，首先运营商特别是主导运营商必须转变观念，将互联互通视为一项业务；主管部门则应分析问题产生的根源，并对原因分析排序，分清轻重缓急，预计主管部门最终还需要建立第三方清算中心；用户和大众媒体也应积极配合。     

CCD多晶硅层间绝缘介质对器件可靠性的影响

采用扫描电子显微镜和电学分析技术研究了电荷耦合器件(CCD)多晶硅层间绝缘介质对器件可靠性的影响.研究结果表明,常规热氧化工艺制作的多晶硅介质层,在台阶侧壁存在薄弱区,多晶硅层间击穿电压仅20 V,器件在可靠性试验后容易因多晶硅层间击穿而失效.采用LPCVD淀积二氧化硅技术消除了多晶硅台阶侧壁氧化层薄弱区,其层间击穿电压大于129 V,明显改善了器件可靠性.     

CCD多晶硅层间绝缘介质对器件可靠性的影响

报道了使用石墨烯作为阳极材料的GaN肖特基型紫外探测器。介绍了光敏面为1mm×1mm的新型肖特基紫外探测器的制备过程。并对器件进行了响应光谱、I-V特性测试。器件的响应光谱较为平坦,峰值响应度为0.175A/W;通过对石墨烯进行化学修饰,使峰值响应度增加到0.23A/W。并根据热电子发射理论,计算出了器件掺杂前后的肖特基势垒高度分别为0.477eV和0.882eV,验证了器件性能的提高主要原因是石墨烯功函数的增加。 更多还原     

Al2O3高k栅介质的可靠性

利用反应溅射方法制备了等效氧化层厚度为3．45nm的Al2O3栅介质MOS电容，研究了Al2O3作为栅介质的瞬时击穿和恒压应力下的时变击穿等可靠性特征．击穿实验显示，样品的Al2O3栅介质的等效击穿场强大小为12.8MV／cm.在时变击穿的实验中，Al2O3栅介质表现出类似于SiO2的软击穿现象．不同栅压应力作用的测试结果表明，介质中注入电荷的积累效应是引起软击穿的主要因素，其对应的介质击穿电荷QBD约为30～60C／cm^2．     

微波陶瓷介质滤波器成型烧结工艺可靠性研究

该文从微波陶瓷材料NP37本身出发,压制标准件,通过对密度、电性能测试及内部切片形态观测验证不同成型压力、烧结设备(气氛炉和隧道炉)、烧结温度工艺下对坯体制作性能及可靠性的影响。研究表明,在成型压力2 000 kg、隧道炉1 160 ℃烧结工艺下,坯体性能及可靠性测试结果最佳。将其用于介质滤波器的坯体制作、介质滤波器坯体的切片、扫描电镜(SEM)测试、热震试验及温度冲击试验,结果验证了此成型烧结工艺可靠性较高。结果表明,通过验证标准件成型烧结工艺指导介质滤波器生产的方法能有效地提高产品可靠性。     

Studies on Dielectric Properties of Silicon Nitride at High Temperature

In this paper, the dielectric properties of silicon nitride are studied using the dielectric polarization theories. According to the developed dielectric models, the temperature dependence of dielectric constant and loss of silicon nitride is mainly analyzed. In addition, the impact of Li^＋, K^＋, Ca^2＋, Al^3＋ and Mg^2＋ doping on the dielectric properties of silicon nitride are also estimated.