集成电路应用与抗辐射加固（上）

本从特定应用出发介绍集成电路抗辐射加固的若干技术,包括辐射因素、抗辐射材料及器件,着重介绍ＳＯＩ材料的相关技术的现状及其应用。     

一种高压集成电路工艺的抗辐射加固

承接了一项对AT&T公司现有的功率集成电路工艺(BCDMOS)从总剂量、γ剂量率、SEU和中子四方面进行核加固的研究课题。研究工作的重点是加固和优化我们的CMOS、DMOS和npn器件。初步的结果表明,抗核强度比我们原有的商品化产品工艺大大提高。     

抗辐射加固技术发展动态研究

辐射效应已成为影响集成电路(IC)在宇宙空间可靠应用的主要因素。文章对IC抗辐射加固技术的研究进展进行了综述。首先,简介了抗辐射加固技术。然后,综述了抗辐射加固技术国外发展动态,介绍了美国在抗辐射加固技术方面的管理方式、技术路线、进展及典型应用。最后介绍了国内相关技术的进展,指出研究美国抗辐射加固技术的发展动态可促进国内抗辐射加固技术的发展。该综述对国内抗辐射加固技术的实际应用及推广具有一定借鉴意义。     

抗辐射加固技术

简要介绍了辐射因素、效应及抗辐射微电子材料的选择，抗辐射加固技术的发展动态；对如何发展抗辐射加固技术提出了几点建议。     

双极模拟集成电路抗辐射加固技术跟踪

介绍了国外硅双极模拟集成电路抗辐射加固技术的发展动态和γ射线、中子、高能重离子对双极模拟集成电路的辐射效应及其电路结构器件结构、工艺控制等关键加固技术。以极模拟集成电路的辐射损伤阈值。     

CMOS集成电路的抗辐射设计

随着商业微电子器件抗辐射能力的提高,使得对专用集成电路(ASIC)从设计上进行抗辐射加固成为可能.本文介绍了CMOS器件的抗电离辐射的主要加固设计方法,认为在商业工艺上可以获得低成本的中等复杂程度和耐辐射能力的专用集成电路(ASIC).     

半导体器件抗辐射加固现状及其发展

对六种现有器件的抗辐照水平进行了简单的介绍，其中CMOS和CMOS／SOS器件具有较好的抗辐照能力，将被军用和空间电子系统广泛采用，特别CMOS器件是空间电子系统应用最理想器件。本文详细的介绍了具有很大发展前途的二种抗辐射加固器件－SOI和GaAS器件，它们的抗辐照能力将能完全满足军用电子系统对抗辐射加固愈来愈高的要求。     

双极模拟IC抗辐射加固措施探讨

从中子和γ射线引起半导体器件退化的基本效应出发,分别分析了抗中子和γ射线辐射的加固措施,还给出了初步试验结果以及尚存在的困难和可能采取的措施。     

RHX36等双极型集成电路抗核加固的一些措施

本文根据RHX36、RHX37等IC的抗核加固器件,以抗中子和γ射线为主,采取提高IC设计余量,使电路增益在较宽的范围内都不致于影响IC的性能。在工艺中,依据不同IC,分别采取pn结和介质隔离,金属膜电阻,浅结扩散和缩小发射区周长等办法,从而使RHX36、RHX37等电路均能承受两次中子辐照(9.47×10~(13)/cm~2和9.65×10~(13)/cm~2)。     

CMOS集成电路场区电离辐射加固技术分析

根据电离辐射引起场区隔离失效的机理，从版图设计及工艺技术两方面分析了场区辐射加固技术，结果表明，利用版图设计实现场区加固，需增加芯片面积并牺牲电路性能，一般适用于中小规模集成电路的加固，用工艺技术实现场区加固，对电路性能影响小，适用面广，是值是推荐的集成电路场区加固方法。     

微电子器件的抗辐射加固和高可靠技术

介绍了微电子器件的辐射效应和器件制作材料、电路设计、器件结构、制作工艺、元件之间的隔离、预辐射等加固技术，及微电子器件加固水平；并扼要介绍了微电子器件的耐高温和耐冲击与振动等高可靠技术。     

Si-栅MOSFET抗总剂量加固技术

ＭＯＳＦＥＴ总剂量加固强烈依赖于工艺技术,对干氧方式下不同条件制备的ＮＭＯＳ,ＰＭＯＳ管,分析其辐照响应,并借用亚阈值Ｉ－Ｖ技术分离氧化物陷阱电荷和界面陷阱对阈值电压漂移的贡献,得出较佳的干氧抗总剂量加固工艺条件。     

Al栅BESOI／CMOS器件的辐照特性

在表层硅厚度约６μｍＢＥＳＯＩ材料上，制备了Ａｌ栅ＣＭＯＳ器件。实验样品消除了纵向寄生结构和困扰ＳＯＩ薄膜器件的背沟效应、边缘效应、Ｋｉｎｋ效应。样品未作抗辐照工艺加固，γ累积辐辐照剂量已达３×１０５ｒａｄ（Ｓｉ）。实验表明，该结构埋层ＳｉＯ２的存在对器件的辐照性能影响不明显。     

军用微电子技术发展战略思考

电子信息技术正在引发新的军事变革，一场以信息技术为基础、以信息优势为核心和以高技术武器为先导的军事领域的深刻变革正在世界范围内蓬勃兴起。文章从硅技术、硅基技术、GaAs技术、纳米与MEMS技术、抗辐射加固技术的发展趋势等方面，介绍了军用微电子技术的发展动态，并提出了我国军用微电子技术的发展对策。     

用于抗闭锁的辐射敏感开关

介绍了一种用于抗闭锁的辐射敏感开关.设计的辐射敏感开关在"闪光I"瞬时辐射模拟源上进行了实验考核.实验结果表明,该辐射敏感开关能够成功驱动超大规模集成电路,达到抗闭锁设计目的.     

集成电路的现状及其发展趋势

集成电路是信息社会经济发展的基石。通过对集成电路发展规律的分析,从集成电路的设计、制造、新产品研发和市场动态等方面,描述了集成电路的最新动态;探讨了集成电路的发展趋势;指出集成电路与其它学科、技术的结合,不断形成新的研究方向;新材料、新结构、新器件不断涌现,特征尺寸继续缩小,摩尔定律仍然起作用。