层间反应法制备CaGa2S4：Ce电致发光器件

报道了用层间反应法制备了ＣａＧａ２Ｓ４：Ｃｅ薄膜，用电子束蒸发交替沉积ＣａＳ：Ｃｅ和Ｇａ２Ｓ３膜，然后经一定处理，获得了ＣａＧａ２Ｓ４；Ｃｅ膜。Ｘ射线衍射，ＳＴＥＭ显微归照片ＥＤＸ等分析结果表明，产物为结晶度较好，符合ＣａＧａ２Ｓ４；Ｃｅ化学计量比的发光薄膜，并得到了Ｃｅ＾３＋的蓝色发光谱。     

SrS∶Ce薄膜电致发光机制

在分析Ｃｅ３＋ 激发态能级与导带之间杂化相互作用的基础上， 讨论了电场强度与场致电离之间的关系。实验测得的ＳｒＳ∶Ｃｅ ＴＦＥＬ发光波形表明， 在正弦电压驱动下的半周期内， 一种样品在上升沿有发光， 而另一种样品在上升和下降沿有两个发光峰。这种不同的产生与样品中硫空位对ＳｒＳ∶Ｃｅ 激发和发射过程的影响有关。上升沿的发光主要是由直接碰撞激发引起的分立中心的发光， 而下降沿的发光及上升沿的部分发光属于因电离而引起的复合发光。     

溶液法制备白光有机电致发光器件的研究进展

白光有机电致发光器件(WOLEDs)在全彩显示和下一代固态照明领域应用前景广阔,溶液法(旋涂、喷墨印刷和刮涂等)制备的WOLEDs具有低成本、可大面积生产等优点,因而受到学术界和产业界的广泛关注。溶液法制备的白光器件发展日趋成熟,发光层、传输层和注入层等相继实现了溶液法加工,发光材料也从共混聚合物和单一聚合物发展到有机小分子。本文主要根据不同的发光层材料综述了近几年溶液法制备的WOLEDs研究进展并对其存在的问题和应用前景作了评述。     

超薄层在白色有机电致发光器件中的应用

以DCJTB为掺杂剂, 以BCP为空穴阻挡层, 研究了两种结构的有机电致发光器件ITO/NPB/BCP/Alq3:DCJTB/Alq3/Al(结构A)和ITO/NPB/BCP/Alq3/Alq3:DCJTB/Alq3/Al(结构B)的电致发光光谱. 实验结果显示, 在结构A器件的电致发光光谱中, 绿光的相对发光强度较弱,增加Alq3层的厚度对绿光的相对发光强度的影响也很小; 而在结构B器件的电致发光光谱中, BCP层与掺杂层(Alq3:DCJTB)之间的Alq3薄层对绿光的相对发光强度影响显著, 用很薄的Alq3层就可以得到强的绿光发射. 进一步改变器件结构, 利用有机超薄层就可以得到稳定的白光器件ITO/NPB(50 nm)/BCP(3 nm)/Alq3(3 nm)/Alq3:DCJTB(1%(w))(5 nm)/Alq3(7 nm)/Al. 随着电压的增加(14-18 V), 该器件的色坐标基本保持在(0.33, 0.37)处不动; 在432 mA·cm-2的电流密度下, 该器件的发光亮度可达11521 cd·m-2.     

硫代硫酸根插层水滑石的层间限域反应

将无机阴离子硫代硫酸根(S2O23-)限域在锌铝水滑石(LDH)层间,并研究了其在水滑石层板限域空间内被铁氰根(Fe(CN)63-)氧化的反应过程.通过X射线衍射(XRD)和傅里叶变换红外(FTIR)光谱仪对反应的中间产物和最终产物进行的表征发现,氧化产物连四硫酸根(S4O62-)进入到溶液中,还原产物亚铁氰根(Fe(CN)64-)则保留在水滑石层间.进一步系统研究了该反应的动力学过程,考察了硫代硫酸根插层水滑石用量、铁氰化钾浓度和温度对反应的影响.结果表明该氧化还原反应符合球体内扩散模型.根据温度对反应速率影响,得出了该反应的表观活化能为24.6kJ.mol-1,比相同条件下溶液中反应活化能降低了约13.7kJ.mol-1.采用分子动力学(MD)模拟计算了水分子含量对硫代硫酸根插层水滑石层间距大小的影响.计算表明:在水溶液环境中,水滑石微反应器的尺寸在特定方向具有可调控性.根据实验表征和理论计算对该层间反应的机理进行了探讨.因此,该类层状材料可以作为一种新型纳米级微反应器应用于调控化学反应.     

高效溶液法制备延迟荧光电致发光器件研究

本文以2-[对-N,N-二苯基氨基-苯基]-S-二氧硫杂蒽酮(TXO-TPA)为发光材料, 4,4',4"-三(9-咔唑基)三苯胺(TCTA) 为主体材料, 通过溶液法与真空蒸镀相结合的工艺,制备了高效延迟荧光型电致发光器件。为了考察不同电子传输材料对器件性能的影响,分别选取TmPyPB、TPBI、BCP、Alq₃作为电子传输层制备器件,并对器件的性能进行系统的研究。结果表明:由于1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)具有合适的HOMO/LUMO能级、高的电子迁移率以及高的三重态能级,利于电子的传输和激子的阻挡,以其为电子传输层的器件显示出最佳的性能,器件的开启电压低至3.6 V,电流效率达到16.2 cd/A,最大的EQE达到5.97%。     

稀土铽配合物TbY(m-MOBA)6(phen)2·2H2O的有机电致发光单层器件的研究

将新型稀土配合物TbY(m-MOBA)6(phen)2·2H2O掺杂到导电聚合物PVK中改善了铽配合物的成膜特性和导电性质.用此掺杂体系制作了单层发光器件,发现掺杂浓度为1:5,甩膜转速为1000r·min-1时器件的发光效果最好,起亮电压为9 V,最大亮度在17 V时达到15.7cd·m-2.对比[Tb(m-MOBA)3phen]2·2H2O的单层器件的发光,说明Y3 的存在促进了PVK到Tb3 的能量传递.     

Ce2O—TiO2／SiO2的制备及除氟性能研究

以ＳｉＯ２为基质，ＣｅＯ２ＴｉＯ２为包覆物质，采用溶胶凝胶法制备ＣｅＯ２ＴｉＯ２／ＳｉＯ２表面复合物，并对所制复合物进行除氟测试。用扫描电镜（ＳＥＭ）观察表面形貌，讨论实验环境、试剂用量等因素对ＣｅＯ２ＴｉＯ２／ＳｉＯ２制备及除氟性能的影响，结果表明：ｎＴｉ（ＯＣ４Ｈ９）４／ｎＣｅＣｌ３·７Ｈ２Ｏ＝１、ｎＣＨ３ＣＯＯＨ／ｎＴｉ（ＯＣ４Ｈ９）４＝４５、ｎＣ３Ｈ８Ｏ３／ｎＴｉ（Ｏ４Ｈ９）４＝０３、ＲＨ＝９５％，热处理温度１１０℃时，所制ＣｅＯ２ＴｉＯ２／ＳｉＯ２对Ｆ－的吸附容量（ｑ）为２１４ｍｇ／ｇ，去除率（Ｅ）为８５６％。     

SILAR法制备化学计量CuInS_2薄膜

在室温下,以不同cCu/cIn的CuCl2和InCl3混合溶液作为阳离子前驱体,Na2S水溶液为硫源,利用连续离子层吸附反应法(SILAR)在玻璃基底上制备了CuInS2薄膜。XRD结果表明,当cCu2 /cIn3 在1￣1.5范围内均可形成具有黄铜矿结构的CuInS2薄膜。SEM观察到随cCu2 /cIn3 的升高,薄膜表面颗粒长大并出现团簇聚集。通过XPS测定薄膜表面的化学组成证明当cCu2 /cIn3 =1.25时,CuInS2薄膜接近其标准的化学计量组成。此时薄膜的吸收系数大于>104cm-1,禁带宽度Eg为1.45eV。     

SILAR法制备化学计量CuInS2薄膜

在室温下，以不同c_Cu/c_In的CuCl₂和InCl₃混合溶液作为阳离子前驱体，Na₂S水溶液为硫源，利用连续离子层吸附反应法(SILAR)在玻璃基底上制备了CuInS₂薄膜。XRD结果表明，当c_Cu²⁺/c_In³⁺在1～1.5范围内均可形成具有黄铜矿结构的CuInS₂薄膜。SEM观察到随c_Cu²⁺/c_In³⁺的升高，薄膜表面颗粒长大并出现团簇聚集。通过XPS测定薄膜表面的化学组成证明当c_Cu²⁺/c_In³⁺=1.25时，CuInS₂薄膜接近其标准的化学计量组成。此时薄膜的吸收系数大于>10⁴ cm^-1，禁带宽度E_g为1.45 eV。     

超声雾化反应法制备CeO2纳米粉体

以硝酸铈和碳酸氢铵为原料,采用超声雾化反应法制备了纳米CeO2粉. 用红外光谱(IR)、 X射线衍射分析(XRD)和透射电子显微镜(TEM)技术,对制得的纳米CeO2纳米粒子的物相结构、形貌特征、成分等进行了表征. 结果表明,双液超声雾化法能制备出颗粒分散性好,粒度分布均匀的纳米CeO2粒子,所得CeO2粒子为萤石型结构,粒径约为3～5 nm左右. 初步探讨了用超声雾化反应法制备纳米粉的机制,认为CeO2纳米粒子的成核和长大受到液滴大小的限制,是一个液相的微区反应过程,正是液滴的微小体积保证了更小纳米粒子的形成.     

ZnGa2O4∶Cr3+红色荧光粉的光致及电致发光性能

采用柠檬酸络合溶胶-凝胶法合成ZnGa2O4∶Cr3 红色荧光粉,在空气气氛中1000℃煅烧得到ZnGa2O4单相.对粉体进行X射线光电子能谱(XPS)和电子顺磁共振(EPR)测试,结果显示,在空气气氛中煅烧,铬离子以三价形式存在(Cr3 ),未出现高价铬离子(Cr5 ,Cr6 ).Cr3 取代Ga3 占据八面体格位,位于695nm的红光发射带属于Cr3 的2E-4A2跃迁.Cr3 的激发带与基质发射带间有大面积重叠,两者间存在有效的能量传递.利用丝网印刷方法制成电致发光器件,与硫化物电致发光器件相似,ZnGa2O4∶Cr3 电致发光器件的亮度与电压满足L=L0exp(-bV-1/2)关系,且亮度与频率成正比.器件的Q-V曲线为闭合回路,发光效率η约为13lm·W-1.     

铈掺杂络合燃烧法制备Li1.05CexMn2-xO4材料及其电化学性能

采用已二酸络合燃烧法制备了稀土Ce掺杂的锰酸锂材料Li1.05CexMn2-xO4粉体。利用XRD,SEM,EDS等对材料粉体进行结构形态表征,并以其为锂离子电池正极活性材料测试其充放电性能。实验结果表明:材料Li1.05CexMn2-xO4(x=0,0.01,0.02,0.03)具有较好的尖晶石结构,且颗粒分布均匀,掺杂的比未掺杂的比容量以及常温、高温下循环性能都有较大的改善。当掺杂量达到0.02(摩尔比)时材料的综合性能较好,其电化学极化阻抗小,放电比容量为126.8 mAh.g-1,常温下50次循环后仍保持有94.1%的放电效率,高温30次后为82.5%。     

ZnIn2S4/g-C3N4复合材料的制备及可见光催化制氢性能

采用水热方法制备了ZnIn₂S₄/g-C₃N₄复合材料, 并通过X射线衍射(XRD)、 傅里叶变换红外光谱(FTIR)、 紫外-可见漫反射光谱(UV-Vis DRS)、 透射电子显微镜(TEM)和荧光光谱(PL)等手段对其结构和性能进行表征. 结果表明, 当ZnIn₂S₄的负载量为20%(质量分数)时, 复合材料表现出最佳的光催化制氢性能, 制氢速率可达到637.08 μmol·g^-1·h^-1, 分别为纯ZnIn₂S₄和纯g-C₃N₄的4倍和37倍. 其原因在于ZnIn₂S₄和g-C₃N₄之间具有紧密的异质结结构, 两者有效的结合改善了组分的能带匹配和界面电荷转移, 从而大幅增强了载流子的分离和迁移, 进而提高光催化的性能.     

制备方法对Ce0.5Zr0.5O2固溶体微观晶相结构及还原性能影响的研究

采用不同合成方法制备了4种组成为Ce0.5Zr0.5O2的铈锆固溶体.通过XRD,BET,H2-TPR,HREM以及SEAD等表征手段,研究了微观晶相结构对铈锆固溶体还原性能的影响规律,以及对固溶体储放氧能力的影响.分析结果表明,在同一组成下,不同制备方法得到截然不同的晶相组成,4种固溶体包含4种不同的晶相组合.通过对微观晶相结构的定量分析,发现立方相的形成对促进固溶体的还原性能起到重要作用.其中,反相微乳法制得的铈锆固溶体能够形成完整的立方相结构,在H2-TPR还原过程中耗氢量最大,表明其具有优良的可还原性及储放氧能力,适合作为TWC,POX等催化剂载体.     

CRYSTAL STRUCTURES OF [Bu4N]2[M2Ag3（ μ3—S）2（μ—S）4S2Et2dtc]（M=W,Mo）

<正> The title compounds were prepared from the reation of (NH4)2MS4 (M=W,Mo),AgNO3,NadtcEt2 and Et4NBr in CH3CN-H2O solution. The isomorphous compounds [Bu4N]2[W2Ag3S8Et2du] ( I ) and [Bu4N]2[Mo2Ag3S8Et2dtc] (Ⅱ) crystallize in triclinic space qroup Pi with the following crystal parameters:α=13. 043(4),b = 21. 640(6),c=10. 757(6)A ,α=95. 09(5),β = 91. 90(4),γ = 98. 57(3)°,Z = 2,V = 2987A3,Dc=1. 76g/cm3 for I 5;a= 12. 989(2) ,b=21. 574 (9) ,c= 10. 7/1(1) A .α= 95. 06(7), β=91. 61(4), γ=98. 52(2)°, Z = 2,V = 2961 A3.Dc= 1. 58g/cm3 for Ⅱ . The final R and Rw values are 0. 061 and 0. 072 for Ⅰ ,and 0. 062 and 0. 076 for Ⅱ The M2Ag3 (M = W, Mo) unit in anion M2Ag3S8Et2dtc forms a five-membered ring.     

热分解法制备Y_2O_2S∶Eu~(3+)纳米粒子(英文)

采用热分解法和硫熔法分别合成了纳米Y2O2S∶Eu3+和体相Y2O2S∶Eu3+。其中硫氧化钇纳米粒子的制备是以水热法合成的Y(OH)3为前驱体,随后在激活剂和硫的共同作用下焙烧得到的。结果表明,所得Y2O2S∶Eu3+为单一纯相纳米粒子,粒径分布集中,大小约80nm,而前驱体Y(OH)3为纳米棒状,形貌上的这一巨大变化是由激活剂和硫粉在高温煅烧过程所形成的熔融物的腐蚀作用造成的。荧光光谱分析表明,Eu3+能有效地掺入硫氧化钇基质中,并具有良好的发光性能。此外,还探讨了纳米粒子的形成机理。