GaN基白光二极管漏电失效分析EI北大核心CSCD

芯片漏电会对LED灯珠稳定性和寿命造成很大影响,为此本文对LED样品的漏电失效机理进行了研究。在微光显微镜观测下,样品的芯片正电极位置存在漏电异常。利用氩离子精密刻蚀系统对样品进行截面制样,并采用扫描电镜进行观察,分析可能导致漏电的原因。SEM下观测到漏电样品芯片正极出现空洞,且空洞对应的外延层出现较明显的裂缝。分析认为,在焊接时电极产生空洞,在后续高温回流焊、封装和使用过程中压力和应力集中在裂缝处,使GaN外延层受损导致漏电。研究结果为LED芯片漏电检测手段、机理分析提供了良好的参考方案,并为解决芯片裂缝和空洞问题提供了理论参考方向。     

均匀线性介质中电容器漏电阻与电容的关系

利用漏电电阻、电容的场量表达式,推导出充以均匀线性介质电电容器的漏电电阻与电容之间的关系为ＲＣ＝ε／σ,当已知漏电电阻（或电容）时,利用该关系可以方便地求出电容（或漏电电阻）。     

穿透型V形坑对GaN基p-i-n结构紫外探测器反向漏电的影响

研究了GaN基p-i-n（p-AlGaN/i-GaN/n-GaN）结构紫外探测器的漏电机理．实验发现,在位错密度几乎相同的情况下,基于表面有较高密度的V形坑缺陷材料制备的器件表现出较高的反向漏电．进一步的SEM测试发现,这种V形坑穿透到有源区i-GaN、甚至n-GaN层．在制备p-AlGaN电极时,许多金属会落在V形坑中,从而与i-GaN形成了肖特基接触,有些甚至直接和n-GaN形成欧姆接触．正是由于并联的肖特基接触和欧姆接触的存在导致了漏电的增加． 关键词： GaN 紫外探测器 V形坑 反向漏电     

均匀线性介质中电容器漏电电阻与电容的关系

利用漏电电阻、电容的场量表达式 ,推导出充以均匀线性介质电容器的漏电电阻与电容之间的关系为 RC=ε/σ.当已知漏电电阻 (或电容 )时 ,利用该关系可以方便地求出电容 (或漏电电阻 )     

漏电非平行板电容器内能量传输的物理图象

考虑介质漏电情况,分析和研究非平行板电容器的漏电性能,给出漏电电阻和热功率密度的分布,证明在非平行板电容器内的热功率能量损耗仍是通过场中传输的。     

GaN基异质结缓冲层漏电分析

通过对GaN基异质结材料C-V特性中耗尽电容的比较,得出AlGaN/GaN异质结缓冲层漏电与成核层的关系.实验结果表明,基于蓝宝石衬底低温GaN成核层和SiC衬底高温AlN成核层的异质结材料比基于蓝宝石衬底低温AlN成核层异质结材料漏电小、背景载流子浓度低.深入分析发现,基于薄成核层的异质结材料在近衬底的GaN缓冲层中具有高浓度的n型GaN导电层,而基于厚成核层的异质结材料的GaN缓冲层则呈高阻特性.GaN缓冲层中的n型导电层是导致器件漏电主要因素之一,适当提高成核层的质量和厚度可有效降低GaN缓冲层的背景载流子浓度,提高GaN缓冲层的高阻特性,抑制缓冲层漏电. 关键词： AlGaN/GaN异质结 GaN缓冲层 漏电 成核层     

超薄栅下LDD nMOSFET器件GIDL应力下退化特性

对1.4nm超薄栅LDD nMOSFET器件栅致漏极泄漏GIDL(gate-induced drain leakage)应力下的阈值电压退化进行了研究.GIDL应力中热空穴注进LDD区界面处并产生界面态，这导致器件的阈值电压变大.相同栅漏电压V_DG下的不同GIDL应力后阈值电压退化量的对数与应力V_D/V_DG的比值成正比.漏偏压V_D不变的不同GIDL应力后阈值电压退化随着应力中栅电压的增大而增大，相同栅偏压V_G下的不同GIDL应力后阈值电压退化也随着应力中漏电压的增大而增大，这两种应力情形下退化量在半对数坐标下与应力中变化的电压的倒数成线性关系，它们退化斜率的绝对值分别为0.76和13.5.实验发现器件退化随着应力过程中的漏电压变化远大于随着应力过程中栅电压的变化. 关键词： 栅致漏极泄漏 CMOS 阈值电压 栅漏电压     

谈谈静电实验

对静电实验中常见的漏电现象、绝缘材料的选取、摩擦起电等问题进行了探讨。     

同轴电缆漏电电阻的计算

通过三种不同的方法求解同轴电缆的漏电电阻,并对三种方法进行比较分析,从而了解到其各自的优缺点和适用条件,并得到同轴电缆的漏电电阻．     

InGaN/GaN超晶格厚度对Si衬底GaN基蓝光发光二极管光电性能的影响

采用有机金属化学气相沉积技术在Si(111)衬底上生长蓝光多量子阱发光二极管(LED) 结构, 通过在量子阱下方分别插入两组不同厚度的InGaN/GaN超晶格, 比较了超晶格厚度对LED光电性能的影响. 结果显示: 随超晶格厚度增加, 样品的反向漏电流加剧; 300 K下电致发光仪测得随着电流增加, LED发光光谱峰值的蓝移量随超晶格厚度增加而减少, 但不同超晶格厚度的两个样品在300 K下的电致发光强度几乎无差异. 结合高分辨X射线衍射仪、扫描电子显微镜、透射电子显微镜对样品的位错密度和V形坑特征分析, 明确了两样品反向漏电流产生巨大差异的原因是由于超晶格厚度大的样品具有更大的V形坑和V形坑密度, 而V形坑可作为载流子的优先通道, 使超晶格更厚的样品反向漏电流加剧. 通过对样品非对称(105)面附近的X射线衍射倒易空间图分析, 算得超晶格厚度大的样品其InGaN量子阱在GaN上的弛豫度也大, 即超晶格厚度增加有利于减小InGaN量子阱所受的应力. 综合以上影响LED发光效率的消长因素, 导致两样品最终的发光强度相近.     

射频溅射制备的BST薄膜介电击穿研究

采用射频溅射制备BST薄膜，研究了薄膜的介电击穿特性.实验表明，在电压增大到传统击穿电压(电流密度出现瞬时增大时的电压)之前，薄膜性能已被破坏，发现在传统击穿状态之前存在另一个新状态——初始击穿状态.通过测试各状态的J-V(电流密度-电压)、J-T(电流密度-温度)特性分析其导电机理，建立了薄膜结构、漏电性能随电场强度增大而变化的模型.最后提出了确定实际意义上击穿电压的方法. 关键词： BST薄膜 介电击穿 漏电流     

做好三个"难做"的物理演示实验的诀窍

在高中物理教学中，“水波的干涉”、“布朗运动”和“静电实验”是三个较难做好的演示实验．“水波的干涉”实验的主要问题是看不到明显而规则的强弱条纹；“布朗运动”实验的主要问题是要么显微镜中看到的是黑洞洞的一片，要么镜头被沾湿弄脏；“静电实验”的主要问题是漏电，一漏电什么也做不成．这三个实验其实都有诀窍，如果我们能像刑警“破案”一样仔细分析每个实验做不成的原因，问题就可以解决．     

InAs/GaSb超晶格中波红外二极管的阳极硫化

采用分子束外延技术,在GaSb衬底上生长了pin结构的InAs(8ML)/GaSb(8ML)超晶格中波红外光电二极管.用阳极硫化和ZnS薄膜对二极管表面进行钝化处理后,二极管漏电流密度降低了三个数量级,零偏阻抗R0达到106Ω,R0A达到103Ωcm2.通过测量电流密度与光敏元周长面积比的关系可知表面漏电不是主要漏电成分;电容电压特性曲线表明吸收层i层背景掺杂浓度约4~5×1014cm-3.在空气中放置一个月后再次测试,发现响应率和探测率几乎没有变化.与化学硫化和SiO2薄膜钝化方法相比,阳极硫化方法是一种更简单和有效的钝化方法.     

应力导致的薄栅氧化层漏电流瞬态特性研究

分别研究了FN隧穿应力和热空穴(HH)应力导致的薄栅氧化层漏电流瞬态特性.在这两种应力条件下,应力导致的漏电流(SILC)与时间的关系均服从幂函数关系,但是二者的幂指数不同.热空穴应力导致的漏电流中,幂指数明显偏离-1,热空穴应力导致的漏电流具有更加显著的瞬态特性.研究结果表明热空穴SILC机制是由于氧化层空穴的退陷阱效应和正电荷辅助遂穿中心的湮没.利用热电子注入技术,正电荷辅助隧穿电流可被大大地减弱.     

应力导致的薄栅氧化层漏电流瞬态特性研究

分别研究了FN隧穿应力和热空穴(HH)应力导致的薄栅氧化层漏电流瞬态特性.在这两种应力条件下,应力导致的漏电流(SILC)与时间的关系均服从幂函数关系,但是二者的幂指数不同.热空穴应力导致的漏电流中,幂指数明显偏离-1,热空穴应力导致的漏电流具有更加显著的瞬态特性.研究结果表明:热空穴SILC机制是由于氧化层空穴的退陷阱效应和正电荷辅助遂穿中心的湮没.利用热电子注入技术,正电荷辅助隧穿电流可被大大地减弱.     

基于小波变换的汽车电子漏电信号检测系统设计

汽车电子漏电信号具有较强的微弱性和瞬时性。当前的漏电信号检测方法无法避免这种微弱性和瞬时性的特点,导致漏电信号检测准确性较低。设计并实现了一种新的汽车电子漏电信号检测系统。该检测系统由硬件部分和软件部分构成。在硬件设计方面重点介绍了基于PCI1712数据采集卡的漏电信号采集模块和滤波电路;软件部分由LADVIEM和MATLAB仿真软件共同编程完成,重点阐述了小波变换滤波器的设计方法,并给出部分漏电信号采集程序。实验结果表明,该系统能够有效提高汽车电子漏电信号检测的准确性和检测效率。     

发明来源于对问题的思考 ——"漏电保护器"的发明思想简析

上世纪，随着电网连接到了千家万户，电在给人们生活带来方便的同时，也带来了各种各样的安全隐患，频繁的触电事故的发生，威胁着人民群众的生命安全。如何发明一种“触电保护器”，在触电事故发生时可以自动断开电源？这个问题引起了许多发明家的思索。     

Mn掺杂对多铁性BiFeO_3薄膜铁电性能以及漏电流的影响

本文利用脉冲激光沉积技术在(LaAlO3)0.3(Sr2AlTaO6)0.7(001)衬底上生长了BiFe1-xMnxO3(x=0～5%)外延薄膜,研究了Mn掺杂对BiFeO3(BFO)薄膜结构、铁电特性和漏电流的影响.XRD和SEM结果表明薄膜具有良好的结晶质量.漏电流测量显示Mn掺杂有效地减小了BFO薄膜的漏电流密度,因而在室温下5%Mn掺杂的BFO薄膜能够获得饱和的电滞回线.XPS分析证明,Mn掺杂改善BFO薄膜性能的可能原因在于其极大地减少了BFO薄膜中的Fe2+离子.     

避雷器电阻片测试系统设计

采用工业PC机与可编程控制器、示波器、直流仪等设备设计了避雷器电阻片测试系统,阐述了本系统的控制流程及逻辑关系,用图形化编程语言编写了上位机软件,完成了避雷器电阻片在 U_1mA及0.75U_1mA下的漏电流等参数的测试,并对电阻片测试过程中的电压峰值、电流峰值进行采集存储,还存储了电阻片在整个测试过程中的能量,方便以后对测试过程中损坏的阀片进行能量、电流峰值、电压峰值方面的分析,对系统进行了初步的试验,结果表明该系统运行效果良好,实现了避雷器电阻片出厂前的测试,提高了测试效率。     

荷电液滴捕集细颗粒物的数值模拟研究

对固定荷电液滴吸附细颗粒物进行了数值模拟计算。采用微漏电模型计算电场分布和作用在液滴上的电场力。利用VOF模型追踪液滴自由界面,考虑自由界面流体体积分数过渡引起的物性参数变化。通过求解牛顿方程计算固体细颗粒物的运动轨迹。计算模拟了细颗粒物在库仑力、电场力、流体黏阻以及重力的作用下脱离基底被荷电液滴捕集的全过程,分析了不同电场强度、颗粒粒径以及液滴粒径等因素对吸附效率的影响。计算结果与实验结果吻合较好。