首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 98 毫秒
1.
本文用Galerkin方法与能量估计研究方程u_u=u_(zat)+σ(u_z)_z含第二类边界条件的初边值问题。设σ∈c~1,σ~1(s)下方有界,得到整体强解的存在唯一性;若σ(s)及初始函数还适当光滑且σ~(21)(0)=0,i=1,2,…,某个n,则得到强解相应的光滑性;最后讨论了解的渐近性质及其物理意义。  相似文献   

2.
<正> σ称为结合环R的R一自同态,如果对任意的r∈R,rσ∈R:而且(r1+r2)σ=r1σ+r2σ;(r1 r2)σ=r1σr2在[1]—[2]中对具有σ-结构的环R,讨论了σ-理想理论,得到了相应于古典理想论中的结  相似文献   

3.
对Bi可膨胀空间类进行研究,得到主要结论如下:(1)若X=lim←{Xα,πβα,Σ}并且每个πα是开满映射,如果X是|Σ|-仿紧的,并且每个Xα都是Bi(i=0,1)可膨胀的,则X是Bi(i=0)可膨胀的。(2)若X=∏σ∈ΣXσ是|Σ|-仿紧的,则X是Bi(i=0,1)可膨胀的当且仅当F∈[Σ]<ω,X=∏σ∈ΣXσ都  相似文献   

4.
在不进行量子色动力学(quantum chromodynamics,QCD)整体分析的情况下,估算新数据对部分子分布函数(parton distribution functions,PDF)的影响,以及用更新的部分子分布函数预测其他可观测量不确定度的贡献是一项非常有用的工作。首先,用更新和优化的部分子分布函数软件ePump (error PDF updating method package)研究由CMS 8 TeV顶夸克对产生的微分散射截面(1/σ) dσ/dytt、(1σ) dσ/dmtt、(1/σ) dσ/dyt和(1/σ) dσ/dpTt等实验数据对CT18NNLO胶子部分子分布函数的影响,然后,用更新后的部分子分布函数计算(1/σ) dσ/dytt、(1/σ) dσ/dmtt、(1/σ) dσ/dyt和(1/σ) dσ/dpTt,并将计算所得理论值与实验值进行...  相似文献   

5.
研究了二阶线性微分方程f″+A(z)f'+B(z)f=0的非零解f及其一阶、二阶导数f(k)(k=1,2)的不动点性质,这里A(z),B(z)为整函数,得到了当A(z),B(z)满足i(A)i(B)=p或0σp(A)σp(B)∞或0σp(A)=σp(B)∞和0τp(A)τp(B)时,有p+1(f-z)=p+1(f'-z)=σp+1(f)=σp(B),(p∈N+),改进了陈宗煊,孙光镐等人的结果。  相似文献   

6.
设随机变量序列列X_1,X_2,…是独立同分布的,且 EX_1=0,E exP(tX_1)<∞(t>0),S_n=X_1+X_2+…+X_n,记D_1(N,K)=max(S_(n+k)-S_n),D_2(N,K)=max max(S_(n+k)-S_n)其中 K=K_N= 0(IOgN)(N→∞),进一步若存在τ∈(0,1),使 K/LOg_τN→∞(N→∞),本文得到了当 N→∞时,对任意的δ>0,存在序列a_N使得|K_(-δ)D_1(N,K)-a_NK_((1/2)-δ)|→0 a.s.i=1,2改进了Huse等的结果.  相似文献   

7.
壳聚糖-淀粉-苯甲酸钠三元共混膜的结构和性能   总被引:9,自引:0,他引:9  
以溶液共混法制备了壳聚糖-淀粉-苯甲酸钠三元共混膜,通过红外光谱(FT-IR),X-射线衍射(XRD),扫描电镜(SEM),透过率(T)表征了其结构,同时测试了其吸水率(Q)、力学性能及抗菌性能.结果表明,当壳聚糖含量为80%时,共混膜的湿态抗张强度(σw)和干态断裂伸长率(εd)均达到最大值;而壳聚糖含量为60%时,共混膜的干态抗张强度(σd)和湿态断裂伸长率(εw)均达到最大值.苯甲酸钠的加入仅对共混膜的σw有一定程度的增强,主要是提高了其抗菌性,且苯环的引入还可以降低膜的吸水性.同时也发现温度的升高对共混膜的σw的影响并不明显,但εw得到很显著的提高。  相似文献   

8.
制备了铒单掺和铒镱共掺的铋酸盐玻璃,对掺Er3+离子后玻璃的吸收光谱和荧光光谱进行了测试,分析了Yb2O3浓度对其吸收光谱和荧光光谱的影响,并应用McCumber理论计算了Er3+离子的受激发射截面.当Yb3+/Er3+的浓度比例为41时,荧光强度、荧光半高宽(FWHM)和峰值发射截面(σepeak)均达到了峰值,其FWHM和σepeak分别为77nm和1.08×10-20cm2.  相似文献   

9.
利用亚纯函数的Nevanlinna值分布理论的q-差分模拟,研究给定的q-差分Painlevé方程的超越亚纯解f(z)的增长性,并得到其亚纯解的增长级的估计:在给定条件下,其亚纯解f(z)的增长级满足σ(f)≥1。  相似文献   

10.
如果h(x)=x+σ(x)是M-拟对称函数,x∈R,且σ以a>0为周期的函数,则称h(x)为伴随周期的拟对称函数.本文将对这类函数中的σ在满足σ(0)=σ(1)=0,a=1的情形下的范数的L1,L2进行一些估计。作为应用,我们将改进Partyka.D的一个相关结果。  相似文献   

11.
在文[1]中指出:如果定义在Cn(0,1)的特征流形上的实可积函数φ(σ)是Cn(0,1)中某B—调和函数的极限,那末它必须满足如本文(2)式所示的可数集条件。在这篇文章里,假定φ(σ)满足H(?)lder条件,证明这个可数集条件是充要条件,并且得到了它的另外二个等价条件。  相似文献   

12.
一、总说设σ(x)∈BV[a,b]并且在[a,b]的两端σ(x)为半连续的,即σ(a)=σ(a 0),σ(b)==σ(b-0).以 S(dσ)表示使黎曼—斯蒂吉司积分I_(dσ)(f)=∫(f(x)fromx=a to b)dσ(x) (1)存在的函数 f(x)全体.所谓数值积分就是用被积函数 f(x)在节点{x_j~(n)}上的值的持重和  相似文献   

13.
考察耦合抛物方程组:ut=Δu+|x|mup1vq1,(x,t)∈RN×(0,T)vt=Δv+|x|nup2vq2,(x,t)∈RN×(0,T)u(x,0)=u0(x)x∈RNv(x,0)=v0(x)x∈RN得到了:当δ≠0,max{α,β}>N/2时,方程组所有正解的都是爆破的,当δ≠0,max{α,β}相似文献   

14.
在误差理论和数据处理中 ,标准偏差σ是一个非常重要的量 ,它是由下式σ =∑ni=1δ2i/ n (1 )定义的 .由于随机误差δi =xi -x0 是相对于真值 x0 定义的 ,而真值 x0 在绝大多数情况下是未知的 ,所以通常是利用贝赛尔 (Bessel)公式S =∑ni=1v2in -1 (2 )对标准偏差σ进行估计 .(2 )式中 vi=xi -x是第 i次测量的残余误差 ,这里的 xi 是第 i次测量的测得值 ,x是 n次测量的算术平均值 .而在 n次有限测量中 ,S实际上是标准偏差σ的估计量σ.可以证明σ =bn .S, (3)其中系数 bn 为bn =n -12Γ (n -12 )Γ (n2 ). (4 )由于用 (4 )式计算系…  相似文献   

15.
考虑了带特征的Mass形式的自守L函数的零点密度估计问题.证明了L(s,f×χ)的零点密度估计具有下面的形式:∑xN(σ,T,x)《(qT)A(σ)(1-σ)+ε.  相似文献   

16.
利用重合度理论中的延拓定理,研究如下一类三阶p-Laplacian微分方程:(φp((x(t)-cx(t-σ))″))′+f1(x(t))x′(t)+f2(x′(t))x″(t)+g(t,x(t),x(t-τ1(t)),x′(t-τ2(t)))=e(t)的T-周期解问题,得到了上述方程存在T-周期解的若干新结果,所得结论与方程多个变滞量有关.  相似文献   

17.
设G是LCA群,S(G)是G上的Segal代数。对S(G)的每一个乘子T,已知它对应唯一一个伪测度σ,使得Tf=σ*f,f∈S(G),并且|T|=|σ|又称此σ是乘子。但对许多Segal代数说来,并不是每一个伪测度都是乘子。本文给出了伪测度是Segal代数的乘子的充分条件,此外还研究了Segal代数的最小伪测度集。  相似文献   

18.
用多重散射团簇 (MSC)理论对 CO在 Ni O(10 0 )面吸附的碳 1s近边 X射线吸收精细结构(NEXAFS)实验谱进行了定量分析 ,研究了该系统可能出现的吸附模型 .MSC方法分析表明 CO是以 C原子朝下 ,吸附在衬底的 Ni- O键桥上 ,R- factor(可靠性因子 )计算显示 C原子的吸附位置距 Ni原子0 .0 9nm,CO分子中 C原子距衬底的吸附高度为 0 .31± 0 .0 1nm.本文讨论了在 Ni O表面吸附的 CO分子σ键的物理本质 .与 CO在过渡金属 Ni,Cu等表面吸附不同 ,σ共振对于 CO键长的依赖不明显  相似文献   

19.
根据大量的实验总结出对于许多物理及化学性质不同的材料,样品的持久寿命τ与温度 T 应力σ有以下关系τ=τ_o exp (μ_o-γ_σ)/kT从而提出了“断裂的动力概念”,设计并进行了许多用近代物理方法研究断裂过程的实验,对高分子材料得到了有说服力的结果。的工作近年得到了国际上有关学者的重视。本文简要介绍了等人的工作及断裂的动力概念的基本原理。  相似文献   

20.
本文采用密度泛函理论(DFT)和二维相关分析技术(2D-CA),计算了V取代NMO(NiMn2O_4)四面体Ni的温度依赖电子转移机制.计算结果表明:V-3d~3取代Ni-3d~8降低了价带顶的能态密度峰强度,这促使了原有Ni-O d-pσ杂化轨道改变为V-O d-pσ~*杂化轨道.随着温度升高,热增强促使O-2p~4轨道在-5 eV处劈裂,强化了Mn-O d-p杂化轨道强度,利于O-2p~4轨道捕获临近的Mn表面电子(Mn~(3+)→Mn~(3+)-Mn~(4+)).同时,价带内的V-3d~3能级向高能区域移动,增强长程V-O d-pσ~*轨道杂化强度.因此,V取代有效地提高了NMO基尖晶石的表面电子转移量(0.06→0.30 e).此方法可为新NMO基热敏电阻材料的设计提供理论参考.  相似文献   

设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号