氦同位素与氢分子碰撞的振转激发分波截面研究

用密耦近似方法和Tang-Toennies势模型计算了E=0·7eV时,氦原子的四种同位素3He,4He,9He,10He与氢分子H2碰撞体系的振转激发分波截面.通过分析各碰撞体系分波截面的差异,探讨了He(3He,4He,9He,10He)-H2碰撞体系的弹性碰撞、纯转动激发和振转激发情况下,其分波截面随量子数和体系约化质量的变化规律.     

3He(4He)与H2分子碰撞的同位素效应研究

用公认精确度较高的密耦近似方法计算了入射能量E=05eV时惰性气体原子³He(⁴He)与H₂分子替代碰撞体系的转动激发碰撞截面.通过分析³He(⁴He)-H₂碰撞体系分波截面和微分截面的差异,总结出在氦原子的同位素替代情形下³He(⁴He)-H₂碰撞体系分波截面和微分截面随分波数增加和同位素原子质量改变的变化规律. 关键词： 散射截面 密耦方法 同位素替代 散射角     

不同能量的氦原子与同位素分子H2(D2,T2)碰撞分波截面的理论计算

用Tang-Toennies势模型和密耦近似方法计算了不同能量下惰性气体原子He与H2及其同位素D2,T2替代碰撞体系的振转激发碰撞截面.通过分析He-H2(D2,T2)各碰撞体系分波截面的差异,总结出在H2分子的对称同位素替代情形下He-H2(D2,T2)碰撞体系分波截面随量子数和体系约化质量变化的规律.结果表明,体系的约化质量及入射原子相对碰撞能量的变化均给体系的碰撞截面带来不同程度的影响.     

不同能量下He原子与HCl分子碰撞激发分波截面的同位素效应研究

基于Huxley势函数的拟合势,通过精确度较高的密耦近似方法计算了入射能量为50meV和150meV时,氦原子的四种同位素3He,4He,9He,10He与HCl分子碰撞体系的激发分波截面.通过分析不同能量下,各碰撞体系分波截面的差异,探讨了不同入射能量时He的同位素对He-HCl碰撞体系的分波截面的影响,总结出其分波截面随量子数和体系约化质量的变化规律.     

不同能量下He原子与HCl分子碰撞激发分波截面的同位素效应研究

基于Hux1ey势函数的拟合势,通过精确度较高的密耦近似方法计算了入射能量为50 meV和150meV时,氦原子的四种同位素3He,4He,9He,10He与HCl分子碰撞体系的激发分波截面.通过分析不同能量下,各碰撞体系分波截面的差异,探讨了不同入射能量时He的同位素对He-HCl碰撞体系的分波截面的影响,总结出其分波截面随量子数和体系约化质量的变化规律.     

He同位素对He-NO碰撞体系微分截面的影响

用密耦近似方法计算了同位素He原子与NO分子碰撞体系的总微分截面、弹性微分截面和非弹性微分截面,总结了同位素He原子对He-NO碰撞体系微分截面的影响. 计算结果表明：在同一入射能量下,随着入射同位素He原子质量增加,总微分截面在0°时的角分布逐渐增大;同位素He原子与NO分子碰撞发生的彩虹现象越明显. 同时,体系约化质量增加的效应大于相对碰撞速度减小的效应,使散射振荡间隔逐渐减小. 关键词： He-NO 密耦近似 微分截面 同位素效应     

Ne原子与H2分子碰撞的同位素替代效应研究

使用密耦近似（Close-Coupling）方法、采用Tang-Toennies势模型计算了惰性气体原子Ne与H₂分子及同位素D₂分子在碰撞能量为83.8 meV时的微分散射截面及分波截面, 并与实验值和文献值进行比较.计算得到的微分散射截面值与实验值符合得较好,分波截面值与文献值也相符合.使用同样的方法和模型,文中对Ne-H₂(D₂,T₂)三个体系的微分截面和分波截面进行了系统计算和比较分析,得出对称同位素替代碰撞体系的散射截面规律. 关键词： 2(D₂')" href="#">Ne-H₂(D₂ 2)碰撞')" href="#">T₂)碰撞 Tang-Toennies势模型 密耦方法 同位素替代     

低能氖原子与H2(D2、T2)分子碰撞微分截面的研究

用密耦方法及Tang-Toennies势模型计算了Ne-H2(D2、T2)碰撞体系的转动激发碰撞截面,得到了H2分子的对称同位素替代情形下Ne-H2(D2、T2)三碰撞体系总截面及微分截面的变化规律.     

不同能量的氦原子与同位素分子H2(D2，T2)碰撞分波截面的理论计算

用Tang-Toennies势模型和密耦近似方法计算了不同能量下惰性气体原子He与H₂及其同位素D₂,T₂替代碰撞体系的振转激发碰撞截面. 通过分析He-H₂(D₂,T₂)各碰撞体系分波截面的差异,总结出在H₂分子的对称同位素替代情形下He-H₂(D₂,T₂)碰撞体系分波截面随量子数和体系 关键词： 散射截面 密耦方法 同位素     

He同位素原子与HBr分子碰撞的微分截面

基于作者构造的He-HBr体系的各向异性势,采用密耦方法计算了³He,⁴He,⁶He和⁷He与HBr分子在碰撞能量分别为40和75meV时的微分截面,详细讨论了入射氦同位素对微分截面的影响.结果表明：在相同碰撞能量时,随着同位素氦原子质量的增加,总微分截面在0° 时的角分布逐渐增大,同一级衍射振荡极小值位置逐渐向小散射角方向移动;弹性与总非弹性截面交界角逐渐减小,总非弹性截面逐渐增加.碰撞能量越低,入射同位素He原子的 关键词： 同位素效应 微分截面 各向异性势 He-HBr体系