半导体生产中的静电消除与空气电离化

在整个半导体制造过程中,微粒污染;静电放电损坏以及与此相关联的设备停机,是静电带来的三大问题.所以必须对静电加以控制.国际半导体发展路线图和SEMI标准提出了将静电控制在合适水准上的建议.静电控制方案包括了接地,静电耗散材料和空气电离化.为适应快速发展的半导体生产所带来的要求,空气电离器也在不断进行的变化.     

洁净室中的静电污染

洁净室静电危害主要有静电击穿和微粒子吸附两种。静电击穿产生的原因是静电放电(简称为ESD；E1ectro Static Discharge)；微粒子吸附主要与静电力(库仑力)、重力和扩散作用为主的三个作用力有关。所有这些静电危害都会给洁净生产造成影响。     

电离检测的铯原子滤光器

报道了一种新型电离检测的原子滤光器.它是在封装的电子倍增器中配上一阴极电场极板,并充入适量铯金属制作而成.初步实验测得:最小可探测光强为10nJ,脉冲响应宽度小于50ns.     

静电自由电子激光摆动器

静电自由电子激光使用静电摆动场代替静磁摆动场产生相干受激辐射。本文提出了一种静电自由电子激光摆动器。这种摆动器可以产生周期从3cm到5mm,辐值比较大的圆极化摆动场,有利于自由电子激光的进一步研究。     

谈静电冲击

静电冲击(Electro Static Discharge)缩写为ESD,主要是指由静电产生的强烈放电过程、情况及后果。静电冲击对使用半导体芯片的电子设备的危害性非常大,对于那些有外接线路和接口的芯片集成电路以及使用这些元器件的电路和设备,已经成为不可忽视的问题。     

静电控制的原则

论述了静电控制的重要性和基本原则，提出了有效的实行静电控制方案的9个关键因素，它们是成功的静电控制方案的路标和基础。     

用SiC作预电离电极的TEACO_2激光器

设计了用SiC作预电离电极的TEA CO_2激光器并运行成功.实验研究了该激光器系统参数对激光输出特性的影响,获得了激光单脉冲能量约274mJ、峰值功率密度约780MW/L.在无气体循环、无催化剂的条件下,器件以0.5Hz的重复频率运行10~5脉冲,以3Hz的重复频率无弧运行10~4脉冲.     

静电控制物理基础（上）

本文论述了静电放电的基本概念，静电控制的物理基础，静电放电对元器件，及电子设备的可靠性影响，同时也提出了简要的静防护措施。     

准分子激光器中的X光预电离研究

对于准分子激光器这样的高气压脉冲放电器件，为保证放电的均匀性，预电离是必不可少的。本文详细介绍了Ｘ光预电离的产生机理及实验装置，并进行了深入的实验研究及理论分析，对实际工作有较大的参考意义。     

电子工业中的静电控制

本文介绍了电子工业中静电控制应该遵循的原则。     

光刻掩模的静电放电损伤及其防护

半导体集成电路制造中,光刻工艺是整个制造过程中的核心技术.而光刻掩模(Reticle,Photomask)则为光刻技术中的最为关键的部件.随着半导体生产技术的不断提升,光刻掩模对静电放电敏感度也越来越高,如何防护光刻掩模避免遭受静电放电的损坏,已成为目前半导体集成电路制造中的一项挑战.     

手机的静电控制认证

静电控制是电子行业生产当中的一项重要技术要求，它直接关系到产品的品质和稳定性。静电控制不好会导致产品的不稳定，给用户的使用带来许多问题，2004年广州质量监督局的抽检表明，国产手机的多数质量问题与静电有关。静电的控制需要工厂在硬件设施和现场管理方面下大的功夫，同时，静电控制的技术性和管理的要求又相当严格，而且涉及面广，静电控制水平基本反映了该工厂对产品品质的控制和管理水平。     

DY-2001A型纳米级电子束曝光机中静电偏转器的设计

基于纳米曝光要求和JSM-35CF型扫描电镜,设计了一组上下偏转器长度不一致的静电偏转器,使偏转灵敏度大大提高.采用二阶有限元法计算了八极静电偏转器的轴上场分布.高精度的场分布有利于高级像差.为了使系统的总体像差最小,结合具体电子光学系统,用最小二乘法对偏转器的激励强度、转角及其在系统中的位置进行优化,得到直至五级分量的像差.动态校正后,偏转场为80μm×80μm时,束斑分辨率约为3.2 am;偏转场大小为1 mm×1 mm时,束斑分辨率约为29.8 nm.结果表明,应用该组静电偏转器的电子光学系统的分辨率满足纳米曝光的要求.