氢化非晶硅作为静电复印感光膜的应用

本文概述了氢化非晶硅作为静电复印感光膜的应用。讨论了非晶硅膜的电荷保持能力、感光特性以及膜的制备。     

介质对高压硅半导体器件表面的钝化作用

本文研究高压硅半导体器件P-N结表面与表面保护材料的界面问题,作者分析了反向漏电流随电压的变化规律,在此基础上提出钝化系数B_(ID)、B_K,用以定量地讨论钝化作用和鉴别保护材料的质量。同时,用这些参数作者实验研究了现今用于PN结表面钝化的硅漆和硅橡胶中聚合物结构、侧基的组成、纯度及填料对钝化作用的影响,结果表明侧基中苯基较多,纯度较高的改性硅漆对于表面钝化作用是比较优良的。     

GD a-C:H膜对硅半导体器件的钝化作用

将氢化非晶碳薄膜(GDα-C:H)应用于硅半导体晶体管的表面钝化,取得了与α-Si:H 膜相类似的效果。对α-C:H 的钝化机理进行了初步探讨。     

不锈钢去膜表面在氯化镁溶液中的钝化过程

采用划破电极技术,研究了不锈钢去膜表面在氯化镁溶液中的钝化过程。不锈钢在氯化镁溶液(14％,80℃)中钝化时的真实电流衰减规律为: i(t)=C_1exp(-a_1t)+C_2exp(-a_2t) 式中第一项反映吸附膜生长速度,第二项反映氧化膜生长速度。不锈钢去膜表面在氯化镁溶液中钝化时膜成长的规律符合高电场离子传导的膜生长机理。     

氧对氢化非晶硅特性的影响

综合阐述氧对非晶硅网络结构、能带结构、SW 效应等特性的影响。     

氢化非晶硅的离子束淀积研究

本文研究了影响离子束溅射淀积非晶硅薄膜的各种因素:真空室气氛,加速电压,衬底温度,几何位置及膜后处理;提出并论证了含氢等离子体对靶和薄膜的冶金效应是诸种因素中最直接和实质性因素的论点     

氢化非晶碳膜的制备及其在金属表面防护上的应用

氢化非晶碳膜具有硬度高、电绝缘、光学透明、化学性能稳定等优良特性,又称为“类金刚石”碳膜。本文报导由碳氢气体的辉光放电分解而制备的氢化非晶碳膜的特性及其在金属表面防护上的应用。     

非晶硅薄膜在敏感器件上的应用

本文叙述了氢化非晶硅薄膜在光敏和色敏传感器上的应用。讨论了非晶硅薄膜的制备和特性,以及非晶硅光敏和色敏传感器的结构和特性,也简述了非晶硅光敏和色敏传感器的某些可能的应用。     

协同钝化技术在镀锌钢板表面的应用

协同钝化技术是防腐蚀领域重要的应用技术之一,许多高效的复合缓蚀剂是根据协同效应原理研制的.协同效应不是几种缓蚀剂的简单加和,而是相互促进的结果.协同技术因能够充分地发挥各种缓蚀剂的作用,在防腐蚀领域被广泛采用.简要综述了常规无机-有机缓蚀剂协同作用及有机缓蚀剂的选用原则.     

锌铝合金镀层表面低铬钝化膜的研究

探索了低浓度铬酸盐钝化处理在热浸镀锌铝合金镀层上的应用·采用盐雾试验、电化学腐蚀试验和人造海水浸泡试验对锌铝合金镀层表面低浓度铬酸盐钝化膜的耐蚀性进行了测试,并借助ＸＰＳ和ＡＥＳ对钝化膜的组成进行了分析·结果表明,锌铝合金镀层经低铬酸盐钝化处理后耐蚀性得到了显著提高,钝化膜的元素组成(原子数分数,％)为:Ｓ５－５,Ｎａ３－４,Ｃ１１－８,Ｔｉ７－９,Ｏ４１－６,Ｃｒ１３－７,Ｚｎ１６－０·     

酸性溶液中碳钢上钝化膜的生成和溶解

碳钢上的钝化膜为不均匀膜,其稳定性比纯铁的钝化膜低,并随酸度的降低和钝化时间的增长而增加。在0.8V钝化一个半小时后,开路电位衰减曲线出现两个平台。采用方波迭加法模拟了电流振荡现象。     

SiC表面的氢钝化

本文在对比SiC和Si结构差别的基础上,总结了当今现在比较流行的氢钝化工艺,如沸水、沸氟化氢、氢气退火、等离子体处理等,并简要介绍了各自工艺的特点和不足。     

氢化非晶硅薄膜光吸收谱的恒定光电流测量法

本文报道了光吸收谱的恒定光电流（ＣｏｎｓｔａｎｔＰｈｏｔｏｃｕｒｒｅｎｔＭｅｔｈｏｄ）测量法，并用其测量了高速沉积的氢化非晶硅薄膜（ａ－Ｓｉ：Ｈ）的光吸收谱，同时观测了ＳｔａｅｂｌｅｒＷｒｏｎｓｋｉ（ＳＷ）效应中样品吸收系数的变化。     

制造非晶硅锗合金膜的新技术

本文报告了我们设计的制造非晶硅锗合金膜的一种新方法——直流反应溅射法。用这种方法,我们得到了锗含量从5％到95％的分布均匀的氢化非晶硅锗合金,膜质均匀、致密,是制造太阳能电池、锗化锗晶体管的优良材料。     

氢等离子体退火对氢化非晶硅结构有序度的影响

室温下利用氢等离子体退火技术对氢化非晶硅(a-Si：H)薄膜进行处理，通过傅立叶红外、光吸收、拉曼光谱3种测试手段对非晶硅的微结构进行了分析，发现不同的退火时间对a—Si：H的微结构影响很大，氢等离子体在与薄膜的化学反应过程中主要表现为原子氢(H^0)与薄膜的反应．化学势很高的H^0能将Si—Si弱键转变成Si—Si强键．硅网络结构发生弛豫，使结构由无序向有序转变，从而能够降低晶化温度与退火时间．     

晶体硅太阳电池表面钝化的研究

文章从理论上分析了太阳电池的表面复合及重掺杂效应。在实验上采用二氧化硅作为钝化膜,比较了两种不同表面浓度的太阳电池片钝化效果,得出低表面浓度的太阳电池片比高表面浓度的太阳电池片的开路电压要高,短波光谱响应要好。开路电压和短波光谱响应的提高主要来自于前表面的钝化和适当地降低了表面浓度。