高性能双极型集成电路晶体管

本文讨论作为集成电路元件的高性能双极型晶体管的现状和有关的工艺问题。     

平面型磷化铟双极型晶体管

<正>本文提出并制成一种平面型InP双极型晶体管.其基区采用Zn扩散,发射区采用Si离子注入,结果表明晶体管的共发射极电流增益h_(FE)=20,器件可在很小电流下工作(I_C=1μA,h_(FE)=5).由于器件结构和工艺类似Si平面晶体管,预计它可广泛应用于InP高速电路和光电单片集成电路.     

一种能与CMOS兼容的高频横向双极晶体管

本文介绍了一种能方便地实现与CMOS器件兼容的高频横向双极晶体管。与常规纵向双极晶体管相比,它能使BiCMOS技术具有更低的成本。器件性能也与常规高频纵向双极晶体管相仿。采用这种横向双极晶体管的BiCMOS门电路也与采用常规纵向双极晶体管具有同样优良的性能。     

CMOS工艺中横向双极型晶体管的直流与交流电学特性

在 CMOS工艺结构中,将位于阱中的 MOS 器件加适当的偏置,可以使其变为体内器件、以横向双极管的模式工作.本文利用 3μm P-well和 2μm N-well两种 CMOS工艺设计了这种横向双极器件,分析讨论了这种器件的工作原理和特点,并给出其典型的直流和交流参数的实验数据.这些分析和实验数据将有助于电路设计者了解和掌握该器件的电流、频率工作范围及特性,以便在CMOS电路中充分发挥其特长.     

双极型装控晶体管模型及原理

本文提出一种新的双极型压控晶体管模型，并说明其工作原理。这种器件有两种载流子参与导电，有较大的电流密度和功率，导电能力又受电压控制，具有较大的输入阻抗，兼有双极器件和ＭＯＳ场效应器件的特点。     

双极型静电感应晶体管特性转变机理分析

本文对双极型静电感应晶体管（ＢＳＩＴ）的工作机理进行了二维分析，给出了明确的ＢＳＩＴ从单极作用机制到双转变过程的物理图象。得到了作用机制转变时的栅压、势分布以及载流子和电场分布等的数值计算结果。     

双极型晶体管发射区物理参量的测定

本文提出了一种测定双极型晶体管重掺杂发射区中禁带宽度和少子复合寿命的方法.利用电流增益的温度特性,可计算出禁带宽度;通过计算发射区中少子反向饱和电流,可计算出少子复合寿命.考虑到发射区中重掺杂效应,本文采用了费米-狄拉克统计分布.此测定方法简便而实用.     

硅异质结晶体管的试制

本文较详细地分析了Si/α-Si异质结晶体管(HBT)的微波性能和工艺优点,简述了工艺过程,初步实验结果证实:Si/α-Si HBT具有较好的小电流特性,晶体管的h_(fe)=12(V_(CE=10V,I_C=1mA),BV_(CEO)=20V。     

SiGe/Si异质结双极晶体管研究

介绍了一咱ＳｉＧｅ／Ｓｉ分子束外延异质结双极晶体管（ＨＢＴ）的研制。该器件采用３μｍ工艺制作,测量得其电流放大系数β为５０,截止效率ｆｒ为５．１ＧＨｚ,表明器件的直流特性和交流特性良好。器件的音片成品率在９０％以上。     

绝缘栅双极型晶体管的研究进展

作为一种新型的功率半导体器件,绝缘栅双极型晶体管（IGBT）以其优越的性能,成为中高功率电力电子领域的主流功率开关器件,被广泛应用于智能电网、新能源、高速铁路、工业控制、汽车电子、家电产品、消费电子等领域。概述了IGBT的演变历程以及主要技术发展,同时对我国IGBT的发展现状进行了分析。     

突变反型异质结及其双极晶体管的研制

文章对突变反型异质结的能带图、接触电势差和势垒区宽度进行了讨论和研究。同时，介绍了基于分子束外延(MBE)法生长的SiGe／Si结构的异质结双极晶体管(HBT)制造工艺，并给出了测试结果。     

一款微波双极晶体管的设计和实现

对双极晶体管结构和关键性能参数进行了研究和设计,并进行了流片测试.介绍了器件工艺步骤及其采用的工艺结构.对器件的特征频率、Gummel曲线、发射极电子和空穴浓度、CE击穿特性模拟、β/Ic曲线等关键参数进行了模拟.模拟器件最高特征频率为10 GHz,流片测试最高特征频率为9.5 GHz.     

X波段功率异质结双极晶体管

讨论了 X波段功率异质结双极晶体管 (HBT)的设计 ,介绍了器件研制的工艺过程及测试结果。研制的器件在 X波段功率输出大于 5 W,功率密度达到 2 .5 W/mm。采用 76mm圆片工艺制作 ,芯片的 DC成品率高于 80 %。     

基于SiC的NPN双极型晶体管设计

利用高禁带宽度的SiC材料,设计了一种基于SiC的NPN双极型晶体管,该晶体管采用多层缓变掺杂基区结构实现。在完成晶体管结构设计基础上,仿真分析了晶体管的直流电流增益、击穿特性以及频率特性。在工艺方面,设计完成了晶体管制备工艺流程与版图。仿真结果表明,SiC双极型晶体管具有击穿电压高(BV_(CEO)=900 V)、特征频率高(f_T=5 GHz),晶体管增益适中(β=33)等特点。     

双极模式静电感应晶体管(BSIT)

一种具有常关型特性的新型功率器件已经研究成功了,该器件称为双极模式静电感应晶体管,器件阻断电压达600V,漏极电流1.5A,开通时间120ns,关断时间320ns。     

SOI横向双晶体管结构研究

本文首先概括地介绍了体硅、SOI纵向双极晶体管和横向双极晶体管的各自特点，并简要地阐述了SOI横向双极晶体管的发展；其次，对各种SOI横向双极晶体管的结构与性能进行了分析研究；最后，我们认为SOI横向双极晶体管是一种比较理想的双极器件，不失为SOI／BiCMOS的理想选择。     

一种新型4H-SiC双极结型晶体管的研究

研制了一种功率型4H-SiC双极结型晶体管。通过采用深能级降低工艺和一氧化氮退火钝化工艺,提高了电流增益。详细研究了发射极-基极几何结构与电流增益的关系,发现随着发射极线宽或发射极-基极间距的逐渐增加,最大电流增益也逐渐提高并趋于饱和。器件在反向阻断电压1 200 V时漏电流为5.7 μA。在基极电流为160 mA时集电极电流达11 A,电流增益达到68。