铜及铜合金压力容器的焊接工艺设计

压力容器设备中,除广泛使用碳钢、低合金钢及不锈钢外,有色金属如钛及钛合金、镍及镍基合金、铜及铜合金、铝及铝合金的应用也日益增多。由于这些有色金属具有碳钢、不锈钢等无法比拟的优点,所以在一些特殊的重要场合已占有主导地位。本文针对铜及铜合金焊接时的特点,提出了铜及铜合金压力容器焊接的焊接方法、焊接材料及焊接工艺,经试验具有很强的实用性。     

铜及铜合金搅拌摩擦焊接工艺研究

铜及铜合金的焊接是工业应用的重点和难点。如何解决铜在焊接中的难溶与热裂问题是研究铜焊接技术的关键,摩擦焊是一种利用金属熔融进行焊接的一种工艺技术,然而对于铜及铜合金的研究较少。通过分析现有技术的优缺点和研究进展,对摩擦焊接的关键工艺进行了设计分析,并通过试验验证,做出了工艺参与焊接质量的相关图,确定了合理可行的工艺方案,为铜与铜合金的摩擦焊接应用提供了理论的补充。     

铜及铜合金加工材热镀锡研究进展

近年来,工业环保的要求越来越严格,在很大程度上制约了电镀锡技术的发展和应用。同时,随着通讯和电力产业规模的不断扩大,对镀锡铜材的需求量随之增加。镀锡铜材的抗氧化能力强,接触电阻小,因而具有良好的焊接性和导电性。热镀锡技术作为镀锡铜材生产中的一种关键工艺,具有成本低、效率高、工艺流程简单、环境友好等特点,在电工、电子、能源等领域有着广泛的应用。从热镀锡技术的原理和特点,影响热镀锡质量的关键工艺参数（包括预处理、助镀剂、镀液的成分等）,常见工艺缺陷以及废锡的处理和回收等方面综述了近年来铜加工材热镀锡技术的研究进展。     

废钨铜合金回收金属钨和铜盐的工艺研究

介绍了用无机强酸处理废钨铜合金回收金属钨和铜盐的方法及其工艺模式．     

应变速率和电流处理对铜及铜合金电致塑性效应的影响

通过改变脉冲电流输入参数以及拉伸应变速率系统考察了脉冲电流作用下不同层错能的纯铜及H62黄铜合金的电致塑性效应。借助INSTRON5969型电子万能试验和ULTRA PLUS型场发射扫描电镜(SEM)考察了脉冲电流作用下纯铜及H62黄铜合金的力学性能和断口形貌的演变,研究结果发现对于不同层错能的材料,施加电流对材料力学性能的影响不同,而力学性能的变化与材料自身物理性质有关,且在该实验条件下,研究发现应变速率和电流对纯铜及H62黄铜合金力学性能几乎没有影响。     

铝合金化学抛光工艺研究

本文确定开发以磷酸-硫酸为基液的环保型化学抛光新技术。研究发现,某些氧化剂、大分子有机化合物、表面活性剂和重金属盐类的加入有利于提高化学抛光质量。用正交试验的方法对上述各物质及其协同作用进行分析,并最终确定了合适的复合添加成分,同时对温度、时间等工艺进行了优化,提高了表面质量避免了污染。     

铜及铜合金的焊接

本文简要介绍了常用铜及铜合金的分类、焊接性,总结了焊接铜及铜合金常用的焊接方法。     

火花源发射光谱法测定H62铜合金中铜含量

理论分析了铜合金中铜含量与铜合金(H62)中铜和锌光强比之间的关系。建立了火花源原子发射光谱测定铜合金(H62)中铜元素含量的方法,建立了铜含量测试工作曲线,线性相关系数为0.9875精密度测试RSD为0.13。对5个未知样品进行了测试,结果与碘量法分析结果一致。     

铝合金碱性抛光液及其工艺条件

由于铝合金在碱性溶液中腐蚀速度极大,致使抛光时间不能过长;此外,由于碱性溶液抛光后表面的光亮度不大,所以降低铝的腐蚀速度、提高抛光光亮度是碱性化学抛光的关键．作者对铝合金的几种新型碱性化学抛光液及其工艺条件进行了研究．试验结果表明添加由硫脲(或钼酸铵或六次甲基四胺)、硅酸钠、十二烷基硫酸钠构成的复合缓蚀剂能大大提高铝合金抛光质量,同时可抑制碱雾的产生．铝合金碱性抛光液的较佳配方与工艺条件为NaOH300g/L,NaNO     

A new acid pickling process for copper alloys

The cleaning process of removing oxides on the surface of copper alloy sheets was investigated systematically. Through optimizing, a perfect process was selected that is fit for removing oxides on the surface. By acid pickling, all kinds of copper oxides are removed completely, furthermore, no poisonous gases are given out and a smooth and clean surface of copper alloys is obtained. At present, the process is applied successfully in the copper-processing industry.     

互连芯片化学机械抛光材料去除的仿真分析

针对互连芯片化学机械抛光去除机理的认知不足,假设金属材料弹塑性变形连续,对单磨粒划擦互连芯片的材料去除进行了数值表征.通过芯片应力分布和工艺参数对材料去除率分析发现:平均法向力大于平均切向力;滑动摩擦系数、材料去除率随抛光速度增加而增加;当抛光速度为10~12 mm·s~(-1)时,粒径为30 nm的磨粒材料去除率最大;当工作载荷为6μN,抛光速度为6~10 mm·s~(-1)时,粒径为30 nm的磨粒材料去除率略低,粒径为60 nm的磨粒的材料去除率最大.     

基于硫代水杨酸基电解液的纯铜电化学机械抛光反应机理研究

随着国防和电子工业领域的发展,纯铜精密零件对表面粗糙度的要求随之提高.在硫代水杨酸(TSA)的络合作用下,电化学机械抛光(ECMP)可避免加工应力引起的变形并获得低表面粗糙度的纯铜表面,但由于TSA存在多个官能团,其与纯铜材料的反应机理难以阐明.通过对电位动态极化和ECMP试验,优化了工作电位,实现在2 V(饱和甘汞电...     

Preparation of composite abrasives by electrostatic self-assembly method and its polishing properties in Cu CMP

The adsorption characteristics of cationic polyelectrolyte poly dimethyl diallyl ammonium chloride （PDADMAC） and anionic polyelectrolyte poly （sodium-p-styrenesulfonate） （PSS） on benzoguanamine formal- dehyde （BGF） particles are investigated. The charging characteristics of BGF particles are changed and con- trolled using electrostatic self-assembly method. A variety of PE,-BGF/SiO2 composite abrasives are obtained. The as-prepared samples are analyzed by zeta potential analysis, transmission electron microscope （TEM） and thermogravimetric （TG） analysis. The composite abrasive slurries are prepared for copper polishing. The poli- shing results indicate that it is SiO2 abrasives, not only coated SiO2 abrasive on polymer particles but also free SiO2 abrasive in slurry, that offer the polishing action. The material removal rates of copper polishing are 264 nm/min, 348 nm/min and 476 nm/min using single SiO2 abrasive slurry, PE0-BGF/SiO2 mixed abrasive slur- ry and PE3-BGF/SiO2 composite abrasive slurry, respectively. The surface roughness Ra of copper wafer （with 5μm×5μm district） is decreased from 0.166 μm to 3.7 nm, 2.6 nm and 1.5 nm, and the surface peak-valley values Rrv are less than 20 nm, 14 nm and 10 nm using these kinds of slurries, respectively. Key words ： chemico-mechanical polishing; polishing slurry; composite abrasives ; polyelectrolyte ; copper     

咪唑及其衍生物作为铜的盐酸酸洗缓蚀剂的量子化学研究

用失重法研究了几种咪唑化合物在5%盐酸中对铜的酸洗缓蚀性能,用Hyperchem程序中的PM3半经验量子化学方块计算了这几种化合物的量子化学参数,并分别将它们的前线分子轨道能级、N原子上的净电荷以及咪唑环上的净电荷与各自的缓蚀率拟合,得到了很好的相关性,初步探讨了咪唑化合物在铜表面的吸附作用机理.用所得结果预测了2-羟基咪唑和4-羟基咪唑的缓蚀率,几种关系式预测的结果与实验结果能较好的吻合.     

化学镀法制备镍包铜复合粉末

采用化学镀法制备镍包铜复合粉末,通过研究化学镀过程中还原剂、络合剂及稳定剂的质量浓度、温度、pH值等因素对沉积速率的影响规律得出化学镀镍的优化条件.利用XRD、SEM和EDS等测试手段对优化条件下制备的复合粉末进行表征.研究结果表明:当硫酸镍质量浓度30g·L-1,铜粉质量浓度10g·L-1,联氨质量浓度60g·L-1,柠檬酸钠质量浓度50g·L-1,硫脲质量浓度10~20mg·L-1,控制温度80~90℃,pH=10,超声功率50W时,镀层沉积速度较快,复合粉末表面镍包覆层均匀,包覆层厚度为0.29μm.     

无磨料低温抛光中的振动分析及消除

针对无磨料低温抛光中冰盘会出现倾斜、引起加工过程的振动问题,对冰盘与工件盘的水平面内的相对运动进行了分析。对冰盘倾斜时,工件盘的纵向运动进行了建模,得到了冰盘与工件盘的偏心及冰盘的倾角越大,振动的幅值越大的影响规律,提出了抛光前对冰盘进行修整来消除振动的解决方案。通过对石英晶体的抛光实验,证实了这种方法的可行性,最终达到了粗糙度为0.53nm的超光滑表面。     

非球面件数控研抛力、研抛工具位置和姿态解耦技术

为解决非球面自动研抛系统中普遍存在的研抛力-研抛工具的位置-研抛工具的姿态(以下简称力-位-姿)相互耦合问题,提出一种基于磁流变力矩伺服装置(MRT)的非球面数控研抛力-位-姿解耦技术。基于Hertz接触理论和摩擦学原理,分析研抛过程中的力-位-姿耦合机理,建立了耦合模型。阐述基于MRT的数控研抛力-位-姿解耦原理,开发相应的实验研究系统,建立系统研抛力模型。规划了研抛工具的路径。试验得到0.025 μm粗糙度的镜面表面。试验表明该技术能独立、主动、实时地控制研抛过程中的研抛力、研抛工具的位置和姿态。     

化学镀铜对A2B7型贮氢合金电极电化学性能的影响

以A2B7型贮氢合金La0.75Mg0.25Ni3.44Al0.06为对象,系统研究了合金覆铜后进行不同温度退火处理的电极电化学性能。结果表明,表面包覆Cu及退火处理后的贮氢合金电极的活化性能及循环稳定性有所提高。线性极化扫描和电化学阻抗图谱分析结果表明,包覆Cu及退火处理后提高了合金电极的交换电流密度I0,降低了电化学阻抗,说明包覆处理改善了合金表面的电催化活性,加快了合金表面电荷的迁移速率,从而提高了高倍率放电能力。