首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 15 毫秒
1.
本文介绍一种用于电子测量领域的智能测试仪器。重点论证该仪器的设计方案和技术难点,以及仪器的性能和它的应用范围。这种仪器设计独具特色、技术先进、在国内外领先地位。  相似文献   

2.
针对电感、电容、频率测量仪器存在仪器类型繁多和操作复杂的问题,提出了电感电容频率一体化简易测量仪的设计方案,其中小电容、电感和频率测量通过LC振荡器计数测量,电解电容通过RC充放电和比较电路进行测量。电感测量范围:0.1μH-1H,精度5%;小非电解电容测量范围:1pF-2.2μF,精度5%;频率测量范围:50Hz-400kHz,绝对误差小于3Hz;电解电容测量范围:0.5μF-12000μF,精度5%。经实践证明,测量仪工作稳定可靠,能够满足大多数测量场合的需求。  相似文献   

3.
比拟法是强电类“电磁场”教学的一个重要内容,本文首先分析某些现行“电磁场”教材利用比拟原理在推导平行平面场中关于分布电容和分布电感参数之间的比拟关系所存在的缺陷,同时详尽地给出了比拟关系的严格推证。该研究工作对本科生和研究生在学习过程中深化理解比拟法,提高理论素养也具有重要的意义。  相似文献   

4.
不论你是酷爱摩机的AV发烧友,还是资深电子爱好者.可能除了可测电流、电压、电阻的A、V、Ω三用表外,总想再拥有一只能测电感、电容和频率的LCF表。  相似文献   

5.
电感非线性RLC电路弹簧耦合系统3次超谐共振研究   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
杨志安  崔一辉   《电子器件》2008,31(3):988-991
研究电感非线性RLC电路弹簧耦合系统的非线性振动,应用拉格朗日一麦克斯韦方程,建立受简谐激励的具有电感非线性RLC电路弹簧耦合系统的数学模型.根据非线性振动的多尺度法,得到系统满足3次超谐共振条件的一次近似解以及对应的定常解.对其进行数值计算,分析系统参数对幅频响应曲线的影响.当系统3次超谐共振调谐值等于零时,幅频响应曲线的振幅最大.增大电压、极板面积和非线性电感系数,幅频响应曲线的振幅和共振区增大.增大极板间距、电阻和线性电感系数,幅频响应曲线的振幅和共振区减小.系统的固有频率随极板间距的增大而增大,随极板面积和线性电感系数的增大而减小.  相似文献   

6.
从爆炸磁频率发生器的等效电路原理分析,研究电感的变化规律对发生器工作电流时间特性及频谱特性的影响及比较,结果表明:电感减小率以先快后慢的形式变化时,能提高发生器抗击穿的能力和工作频率,接着从实际模型出发,对有电枢存在时的电感计算进行修正,提高了发生器电感计算的精确度,最后,通过实验的方法验证了爆炸磁频率发生器产生脉冲辐射的可能性。  相似文献   

7.
Cascode射频有源电感的设计   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
基于Cascode结构,提出了采用双共基异质结双极型晶体管级联反馈射频有源电感的设计方法,并与电阻反馈、单共基晶体管反馈构成的两种有源电感进行了比较.分别从理论上推导出了这三种不同反馈支路的有源电感的输入阻抗与等效电感,同时分析了影响其性能的因素.最终采用Jazz 0.35 μm SiGe BiCMOS工艺,利用安捷伦...  相似文献   

8.
基于SOI衬底的射频电感优化设计   总被引:2,自引:0,他引:2  
比较了SOIRF电感与体硅电感的性能 ,并根据模拟结果分析了电感中空面积 ,电感形状结构 ,金属宽度、间距对SOI电感品质因数Q、自谐振频率、电感量L的影响 ,最后提出了一种基于SOI衬底RF电感的优化设计原则 .以往射频集成电感性能的比较并不固定电感值 ,而文中全部参数的变化都是在电感值相同的情况下进行比较  相似文献   

9.
比较了SOI RF电感与体硅电感的性能,并根据模拟结果分析了电感中空面积,电感形状结构,金属宽度、间距对SOI电感品质因数Q、自谐振频率、电感量L的影响,最后提出了一种基于SOI衬底RF电感的优化设计原则.以往射频集成电感性能的比较并不固定电感值,而文中全部参数的变化都是在电感值相同的情况下进行比较.  相似文献   

10.
提出一种利用全波数值计算和等效电路理论反演介质中频率选择表面(FSS)等效电路的方法。该方法物理过程直观,适用于任意形状FSS等效电路的精确求解。采用经典方环型FSS,验证该等效电路提取方法的可行性。最后采用该方法研究圆形缝隙型FSS结构尺寸、介质材料以及电磁波入射角对其等效电路参数的影响规律,为后续FSS等效电路研究及快速设计奠定理论基础。  相似文献   

11.
徐池  邱楚楚 《通信技术》2020,(4):848-853
如何有效实现短波通信频率的优选,是推动短波通信技术发展和应用的关键。针对这一核心问题,分析介绍了一种新的频率优选方法——短波通信自优化技术,并阐述了其提出背景和技术特点。在系统梳理频率优选方法分类的基础上,对各类方法的优缺点、适用范围、相互关系进行分析讨论。对短波通信频率自优化技术发展中涉及的数据要素选取、频率数据重构等关键技术进行初步分析讨论,明确了频率自优化技术的地位和作用。  相似文献   

12.
基于回转器原理,提出利用两个SiGe异质结晶体管,通过采用不同组态构成四种射频有源电感,其中包括两种正电感和两种负电感,并对它们的性能进行了比较.结果表明,共射组态与共集组态构成的有源电感的性能最优异,并就此做了详细讨论.在带宽为1~15.8 GHz的范围内,其电感值可以达到1 nH以上,电感的品质因数最大值达到75.4.通过调节晶体管的偏置电压,有源电感的电感峰值在1.268 nH-1.914 nH范围内变化.电感值的可调谐性对增强电路设计的可复用性及灵活性具有现实意义.  相似文献   

13.
环境动能收集器的工作频带窄,导致其难以与频率随机变化的环境激励相匹配而制约其实用化。基于频率自调节技术的频率匹配方法具有频率匹配范围宽、精度高、无需人工干预等优点,是解决该问题的有效技术方案之一。根据近年来国内外该类技术研究进展,首先从频率自调节原理、实现方法和具体实现等方面对振动激励和转动激励下的频率自调节技术进行了总结;然后介绍了基于频率自调节技术与非线性技术结合的频率匹配方法的研究进展。最后,对比分析了不同频率自调节方法的优缺点,总结归纳了频率自调节技术的发展方向。  相似文献   

14.
肖华清  熊祥正  廖成 《微电子学》2007,37(4):507-510
采用基于有限元数值求解Maxwell方程的通用全波电磁(EM)场仿真器HFSS(High Frequency Structure Simulator),结合硅衬底螺旋电感(SIOS)的紧凑集总模型,对差分对称圆形单层双层螺旋电感进行了对比研究。结果表明,前者在品质因数(QF)、自谐振频率(SRF)和3dB带宽(BW)方面明显优于后者,而且前者最大品质因数处的电感值也符合nH量级要求。采用文中参数,前者较后者QF提高56.5%,SRF提高196.8%,BW提高5倍以上,但后者的电感值能达到前者3倍以上。模拟结果与理论分析相吻合。  相似文献   

15.
额定电流.直流电阻.Q值以及自谐振频率都是重要因素 在手机、RFID,测试设备、GPS、雷达、Wi-Fi以及卫星无线电等应用的高频模拟电路和信号处理中,电感是最重要的元件之一.通常,它可以承担的几项主要功能包括电路调谐、阻抗匹配,高通和低通滤波器,还可以用作RF扼流圈.  相似文献   

16.
自调谐VCO频段选择技术比较与设计   总被引:1,自引:0,他引:1  
黄水龙  王志华 《半导体技术》2005,30(10):54-57,72
系统分析了自调谐的必要性和各种具有频段选择功能的LC VCO(电感电容压控振荡器)的特点,设计了一种可以应用于自调谐的LC VCO结构.该压控振荡器用5层金属0.25 μ m的标准CMOS工艺制造完成,测试结果表明,该压控振荡器在电源电压为2.7V时的功耗约为14mW,它具有约1 80MHz的调谐范围,在振荡中心频率为1.52GHz时的单边带相位噪声为-110dBc/Hz@1MHz.  相似文献   

17.
使用三维电磁场模拟的方法对相同硅衬底结构下不同布图结构的螺旋电感进行了模拟和分析.通过改变电感匝数、电感金属的宽度和间隔以及电感的内径,模拟和分析了电感性能的变化.给出了引起电感性能变化的原因.结果表明优化电感的几何参数可以有效地改善电感性能.得出了一些实用的设计原则,可有效地指导射频集成电路中集成电感的设计.  相似文献   

18.
数字解调自激励频率调制原子力显微镜   总被引:1,自引:1,他引:0  
研制了以石英音叉探针作为力传感器的频率调制原子力显微镜(FM-AFM)。利用石英音叉具有压电特性且品质因数高的特点,采用正反馈回路控制石英音叉自激振动于实时共振频率处,通过反馈回路中设置自动增益控制环节控制石英音叉振幅恒定;以简单的标定方法,由流经石英音叉的电流定量计算出石英音叉探针的振动幅度;设计了基于现场可编程逻辑...  相似文献   

19.
以非线性电容RLC串联电路为研究对象,运用拉格朗日方法建立了系统的微分方程,应用多尺度法求得1/2次亚谐共振的一次近似解并进行数值计算。分析电阻、电感、电容和电动势对幅频响应曲线的影响。结果表明,电阻可以抑制振幅值,电动势可以增大振幅值。电阻增加后电流减弱,非线性也就变弱。运用MATLAB的Simulink工具,对RLC串联电路系统进行仿真。  相似文献   

20.
A low noise phase locked loop (PLL) frequency synthesizer implemented in 65 nm CMOS technology is introduced. A VCO noise reduction method suited for short channel design is proposed to minimize PLL output phase noise. A self-calibrated voltage controlled oscillator is proposed in cooperation with the automatic frequency calibration circuit, whose accurate binary search algorithm helps reduce the VCO tuning curve coverage, which reduces the VCO noise contribution at PLL output phase noise. A low noise, charge pump is also introduced to extend the tuning voltage range of the proposed VCO, which further reduces its phase noise contribution. The frequency synthesizer generates 9.75-11.5 GHz high frequency wide band local oscillator (LO) carriers. Tested 11.5 GHz LO bears a phase noise of-104 dBc/Hz at 1 MHz frequency offset. The total power dissipation of the proposed frequency synthesizer is 48 mW. The area of the proposed frequency synthesizer is 0.3 mm^2, including bias circuits and buffers.  相似文献   

设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号