等离子体CVD金刚石薄膜衬底正偏压增强成核效应机理研究

衬底正偏压增强成核效应是最近等离子体ＣＶＤ金刚石薄膜中光滑衬底表面金刚石的成核研究发现的，它对于增强和控制金刚石在非金刚石衬底光滑表面的成核行为具有重要的意义。基于已经得到的实验结果。本文分析了衬底正偏压作用于成核过程的机理，提出了这种效应的电子流密度模型，并且给出了正偏压增强效应与沉积参数的关系，描述了正偏压处于过渡和饱和区时的成核状态，合理地解释了所谓“正偏压阻止成核”现象，本模型的结果与已经     

在以Cu/Re镀膜为过渡层的铁衬底上沉积金刚石膜

本文采用热丝ＣＶＤ法在以Ｃｕ／Ｒｅ镀膜为过渡层的铁衬底上沉积金刚石薄膜,研究了以Ｒｅ作为铁衬底上沉积金刚石膜的过渡层的制备工艺及其对沉积金刚石膜的影响。实验结果表明：在铁 底上难以直接镀上铼膜,但 铜上镀铼比铁衬底上镀铼要容易得多,且镀铼层质量好。以Ｃｕ／Ｒｅ复合膜为过渡层,以巴基管为成核剂可以在铁衬底上沉积出质量很好的金刚石膜。     

离子轰击增强金刚石膜与Si衬底结合力的进一步研究

由于金刚石与Si有较大的表面能差,利用化学气相沉积(CVD)制备金刚石膜时,金刚石在镜面光滑的Si表面上成核困难,而负衬底偏压能够增强金刚石在镜面光滑Si表面上的成核,表明金刚石核与Si表面的结合力也得到增强.本文分析衬底负偏压引起的离子轰击对Si表面产生的影响之后,基于离子轰击使得Si衬底表面产生了微缺陷(凹坑)增大了金刚石膜与Si衬底结合的面积,理论研究了离子轰击对金刚石膜与Si衬底结合力的影响.     

气相合成金刚石薄膜的成核习性研究

本文采用燃烧焰法观察金刚石薄膜的成核生长过程.分析了衬底表面刻划及油污处理等因素对金刚石成核的影响.观察到成核初期的金刚石不具有明显晶形,含有较高的石墨相.XRD谱表明:成核初期衬底表面形成非金刚石结构的过渡层.并提出了控制成核密度提高沉积质量的思想.     

大尺寸单晶金刚石薄膜的外延生长

用电子回旋共振等离子体增强的化学汽相沉积法, 在单晶硅衬底上外延生长出了近于100μm2的单晶金刚石薄膜.使用的原料气体是高纯的氢气和甲烷,生长前没有对衬底做划痕和研磨等预处理.生长中是把衬底放在ECR共振区,并施加了射频负偏压.研究证实,在单晶金刚石薄膜的外延中,硅衬底表面形成高质量结晶的β-SiC过渡层是外延生长金刚石单晶的关键条件;而射频负偏压对于β-SiC过渡层的形成是致关重要的条件.     

C70作为金刚石薄膜成核区的理论模型

本文基于已经得到的实验事实，提出了在低压气相生长金刚石薄膜系统中，Ｃ７０薄层作为非金刚石衬底表面金刚石成核区的理论模型，较好地解释了相关的实验现象。本文还讨论了Ｃ６０及其它富勒烯对金刚石成核的增强作用。     

负衬底偏压热灯丝CVD金刚石膜成核的研究

本文利用扫描电子显微镜和原子力显微镜研究了Si(100)衬底上热灯丝金刚石膜成核过程.在-240V和250mA下,在镜面抛光的Si(100)衬底上金刚石最大成核密度超过了1010cm-2.研究表明,负衬底偏压增强成核主要是发射电子和离子轰击的结果.     

[100]定向织构生长金刚石薄膜的红外光学性能研究

采用微波等离子增强化学气相沉积法在(100)镜面抛光的硅片衬底上实现了金刚石薄片[100]定向织构生长.并用扫描电子显微镜、拉曼散射和傅立叶红外光谱仪分析测试了不同工艺得到的金刚石薄片的表面形貌、组成结构和红外性能.结果表明:负偏压辅助定向成核和氢的等离子刻蚀不仅促进了金刚石薄膜的定向织构生长,而且还能刻蚀成核期的非金刚石成分.从而提高了金刚石薄片的红外光透过特性.     

利用发射电子法经由热灯丝CVD在Si（100）上合成局域异质外延金刚 …

本文利用发射电子法经由热灯丝ＣＶＤ在Ｓｉ（１００）上获得了局域异质外延金刚石膜。由Ｒａｍａｎ背散射强度（在１３３２ｃｍ＾－１处）旋转角依赖关系表明，金刚石膜与Ｓｉ（１００）的定向关系为ｄｉａ（１００）∥Ｓｉ（１００）和ｄｉａ〔１１０〕∥Ｓｉ〔１１０〕。在金刚石膜的成核阶段，位于衬底和灯丝之间的电极相对于灯丝施加一负偏压，获得的金刚石膜用扫描电镜和Ｒａｍａｎ谱表征。对实验结果进行了简要的讨论。     

CVD金刚石薄膜涂层衬底预处理方法

概述了CVD金刚石薄膜涂层衬底预处理的基本方法,并对一些主要方法作了评述.对于硬质合金类衬底预处理、铜衬底表面预处理、钢铁衬底表面预处理、硅表面预处理,提高膜基结合力的途径除有研磨、超声清洗、植晶、化学腐蚀、等离子体刻蚀、沉积中间过渡层等方法外,还有优化衬底形状、通过表面扩散感应促进成核等手段.