14nm会是硅芯片的尽头

正尽管英特尔依然乐观地预测将于2015年之前推出8 nm制程工艺的芯片,但人们还是怀疑14 nm可能将成为硅芯片尺寸的最终尽头。近年来,芯片的发展进程始终严格遵守着"摩尔定律",并有条不紊地进行着,直到14 nm制造工艺的芯片在英特尔的实验室中被研制成功,业界开始有了     

英特尔14纳米芯片进入实验室测试

英特尔北欧地区总经理帕特·布莱默（PatBliemer）近日表示,其14纳米制程工艺芯片已经完成设计,进入实验室测试。     

德科学家研制出世界最快硅芯片

<正>德研制世界最快芯片,速度英特尔4倍德国卡尔斯鲁尔大学日前宣布,该校的一个国际研究小组成功研制出目前世界上最快的超速硅芯片,这种芯片可以同时处理260万个电话数据,其运算速度是目前记录保持者Intel(英特尔)芯片的4倍。     

Altera在20nm工艺技术上的三大创新

日前,Altera公司公开了在其下一代20nm产品中规划的几项关键创新技术,并延续在硅片融合上的承诺。Altera公司资深副总裁兼首席技术官Misha Burich在接受本刊记者采访时说,Altera在20nm的体系结构、软件和工艺的创新,大幅度提高了下一代FPGA的性能、带宽、集成度和功效,并能支持更强大的混合系     

从65nm到45nm

英特尔继续依托其“Tick-Tock”策略，已经将企业、桌面、移动平台主流处理器制造工艺提升45nm。2007年1月初，英特尔内部率先研制出世界第一款45nm制造工艺处理器，时隔一年多的时间，英特尔已经基本完成45nrn制造工艺战略部署。     

英特尔开始研发7纳米和5纳米制程工艺

英特尔首席执行官保罗·欧德宁（PaulOtellini）日前表示，英特尔已开始对7纳米和5纳米制程技术的研究。此外，英特尔目前计划在美国俄勒冈、亚利桑那和爱尔兰的工厂中部署14纳米制程生产线。欧德宁表示：“我们的研发已非常深入，面向未来10年。”他透露，英特尔对7纳米和5纳米制程技术的研究仍在按原定时间和目标稳步推进。     

英特尔宣布大连厂技术升级至65nm

正在建设中的英特尔大连芯片厂将采用65nm制程技术,该技术较以前宣布的90nm技术更先进。在大连举行的第七届中国国际软件和信息服务交易会上,英特尔半导体（大连）有限公司总经理柯必杰宣布了这一消息。     

22nm节点制程=断手取玉？

Alchimer公司是用于三维硅通孔（TSV）、半导体互连和其他电子应用的纳米沉积技术提供商。从某些方面上看,22nm节点制程也许并不算是什么技术上的突破,相反,在人们的眼中这可能是一种吃力而不讨好的活儿。     

基于英特尔22nm技术工艺的FPGA

Speedster22iHD和HP产品系列是将采用英特尔22nm技术工艺制造的首批现场可编程门阵列（FPGA）产品,据Achronix介绍,该FPGA仅消耗28nm高端FPGA一半的功率,成本也仅为它的一半。     

英特尔32nm时代带来了什么？

高性能处理器带来的运营效率显著提升,势必会引起致力于＂云计算＂的电信运营商的高度关注。     

IMFT推出20纳米制程的NAND闪存

近日,由英特尔（Intel）与美光（Micron）合资成立的IMFlashTechnology（IMFT）推出以20纳米制程生产之128GBNAND闪存。两家公司的20纳米制程的64GBNAND闪存也将进入量产;128GBNAND闪存预计于2012年进行量产。     

英特尔、美光联合开发出高密度低成本20nm闪存

正英特尔和美光科技(MicronTechnology)日前宣布,已开发出128Gb的NAND闪存,新元件采用了针对闪存改良的20 nm工艺制程,将high-k金属栅极(HKMG)晶体管包含在内。两家公司声称,他们开发出了全球首款独立型128 Gb存储器,并表示将立即使用相同的制程量产20 nm的64 Gb NAND闪存元件,而新的128 Gb元件预     

Achronix 22nm FPGA闯入,会搅动FPGA业吗?

FPGA业摊上大事了就在不久前Xilinx和Altera两大战车竞相宣布要推出20nm FPGA时,2月底,已声称要做22nm FPGA两年的Achronix公司,正式宣布推出22纳米3D Tri-Gate晶体管的FPGA样片,其Speedster 22i系列HD1000型号的样片已发运给客户,总裁兼CEO Robert Blake称,预计今年2季度底或3季度初将量产,并自己估计在工艺方面领先竞争对手两年。与此同时,Xilinx和Altera的代工     

英特尔调整芯片策略三年内跨向14nm

由于对目前Atom处理器路线图的不满,Intel公司首席执行官PaulOtellini认为应该改变原有路线图,寻找新的中心点,同时PaulOtellini称公司已经加快新款Atom处理器的设计进度,并表示Intel公司的一个目标是在智能手机和平板电脑设备上部署Atom处理器。     

英特尔公司称EUV光刻技术的发展赶不上其工艺进展的步伐

在最近召开的SPIE高级光刻技术会议上,Intel公司称EUV光刻技术应用到大批量生产的时间点将会迟于Intel推出14 nm制程产品的时间点,而且按现在的发展趋势来看,很可能连Intel的10 nm制程都会赶不上!不过对其它芯片代工厂以及内存芯片制造商而言,仍有可能赶在他们推出16/14 nm制程产品时     

半导体制程微细化技术再突破从65nm到45nm的微观神话

半导体微细化制程从65纳米迈向45纳米、甚至芯片结构尺寸将朝向32或22纳米之际,我们将会面临什么未知的物理性质变化?为了追寻更微小体积、切割更多芯片的商业成本效益,我们的制程技术如何再进一步地去突破,会有什么样的材料正等待着我们去发掘?     

英特尔将投入70亿美元于美国打造制造设施两年计划32nm制程技术

英特尔总裁暨执行长欧德宁（Paul Otellini）2月10日于美国华盛顿特区宣布，该公司将于未来两年间投资70亿美元，在美国打造先进制造设施。该投资将投入布建英特尔领导业界的32nm制程技术，用来制造更快、更小、耗电更少的芯片。