以超强飞秒激光脉冲辐照多孔硅产生硬X射线辐射

用强度为１０＾１６Ｗ／ｃｍ＾２的飞秒激光脉冲辐照气孔率高于７０％的硅靶时,产生硬Ｘ射线辐射的效率比量子能量Ｅ〉２．５６ｋｅＶ的高２．５倍,比Ｅ〉８ｋｅＶ时高３０倍。研究了此效应与多孔硅荧光特性的关系。     

X射线安检系统的图像非均匀性校正方法

首先分析了X射线安检系统应用中图像非均匀性的原因,并在此基础上提出了一种新的软硬件结合的校正方法。此方法根据线性校正算法给每个探测单元以相应的校正参数,然后通过增益控制电路和零点补偿电路来调整最终的输出。实验结果表明,经过软硬件校正后图像水平条纹基本消失,图像效果明显改善。     

高功率固体激光放大器中增益均匀化研究

针对高功率固体激光放大器中增益分布不均匀的现象,为获得较为均匀的增益分布,提出了分布式泵浦的方法.相对于均匀泵浦,分布式泵浦就是通过设计使得泵浦场具有一定的分布.在总体泵浦功率相同的情况下,分别对均匀泵浦和一定分布的分布式泵浦条件下产生的增益分布进行了模拟计算.结果表明,与均匀泵浦相比,使用分布式泵浦方法获得了较为均匀...     

X射线线扫描安全检查设备实时信号处理

针对X射线在成像过程中存在的非均匀性，利用两点校正法设计了用于X射线安全检查设备的增益和偏移补偿电路；完成了线扫描X射线安全检查设备的数据信号处理硬件模块，给出了电路结构框图；电路采用DSP＋CPLD的结构，在模拟部分和数字部分两次校正，得到了校正前后的处理结果，实现了工程应用。     

减小列阵光学系统小尺度不均匀性的方法研究

应用衍射积分理论,通过详细的数值计算分析,讨论了用于减小列阵光学系统小尺度不均匀性的几种技术方法.所得结果与实验相符,对均匀照明光学系统的设计有参考意义.     

高高宽比硬X射线聚焦波带片的制作

相对于软X射线显微成像,硬X射线显微成像对菲涅尔波带片的吸收体厚度提出了更高的要求.采用电子束光刻和X射线光刻复制的方法,在聚酰亚胺薄膜上成功制作了高高宽比的菲涅尔波带片.首先利用电子束光刻和微电镀技术制作了X射线光刻的掩模,然后利用X射线光刻和微电镀制作了高高宽比、线条侧壁陡直的菲涅尔波带片.复制后的波带片最外环宽度500 nm,直径1 mm,吸收体金厚度为3.6μm,高宽比达到7.2,可用于10 keV～25 keV的硬X射线成像.     

注FCC4007电路的电子和X射线辐照效应

分析研究了用注Ｆ工艺制作的ＣＣ４００７ 电路电子和Ｘ射线辐照响应结果。实验表明,把适量的Ｆ注入栅场介质,能明显抑制辐射所引起的ＰＭＯＳＦＥＴ 阈电压的负向漂移和ＮＭＯＳＦＥＴ阈电压的正向回漂及静态漏电流的增加。Ｉ－Ｖ特性表明,栅介质中的Ｆ能减小辐射感生氧化物电荷和界面态的增长积累。注Ｆ栅介质电子和Ｘ射线辐照敏感性的降低,是Ｓｉ－Ｆ结键释放了Ｓｉ／ＳｉＯ２ 界面应力,并部分替换在辐照场中易成为电荷陷阱的Ｓｉ－Ｈ弱键的缘故。     

一种新的辐射试验技术--低能X射线辐照

首先分析了辐照条件下MOSFET氧化层及Si／SiO2界面陷阱电荷和界面态电荷产生的机理,随后介绍了一种低能X射线辐射系统,最后讨论了X射线辐照后nMOSFET阈值电压的变化。结果表明采用X射线辐照对nMOSFET的阈值电压的影响与^60Co辐照影响的规律一致。     

ICF中光束平滑及靶面辐照均匀性技术评述

由于激光的高强度,它成为惯性约束聚变的首选驱动器.但为实现聚变靶丸的均匀压缩,必须提高激光的辐照均匀性.分析了惯性约束聚变中实现激光光束平滑和靶面均匀辐照的几种主要技术方案的原理和方法,得出各技术手段的性能特点及适用条件.     

长波红外高光谱非均匀性校正及光谱特征提取

长波红外高光谱系统既可分析目标成分又能感应其温度信息,广泛应用于遥感领域.该系统响应波段为7.7-9.5 μm,共32个波段,光谱分辨率达53 nm,可用于地质勘探,环境监测等领域.由于长波红外器件工艺问题,探测器在成像之前必须进行非均匀性校正.通过对比基于焦平面和基于光谱的校正方法,说明后者能够很好地保持目标的原始光...     

高发光均匀性Ce:LSO闪烁晶体的研制

采用提拉法生长了尺寸为φ65mm×200mm的Ce:LSO闪烁晶体,在研究高发光均匀性机理的基础上,利用正交试验生长不同铈掺杂浓度、二氧化硅补偿浓度及结晶率的Ce:LSO晶体。结合晶体头尾相对发光强度、发光不均匀性等测试结果,确定了合适的原料配比和结晶率等相关参数,即铈离子掺杂浓度为0.16%、二氧化硅补偿浓度0.20%、结晶分数60%。通过以上研究结果表明,该尺寸晶体的发光均匀性超过96%。     

高精度光学玻璃光学均匀性测量仪研制

围绕研制大口径高精度光学玻璃材料光学均匀性测量仪 ,简要介绍一种光学玻璃光学均匀性的绝对测量原理及其优点 ,介绍了系统组成、数据处理方法与流程 ,给出了与Zygo干涉仪的对比测量结果 ,结果表明其对大于 3 0mm厚光学玻璃材料的光学均匀性检测精度可达 1×10 - 6 。     

红外图像非均匀性校正高通滤波算法的改进

红外焦平面阵列的非均匀性噪声是制约红外成像质量的主要因素.本文通过分析多种均匀性校正的方法,提出了一种时域高通滤波法的改进,在这种方法中增加了一个调节因子a,目的是为了调节系统的截止频率,选择合适的调节因子能够尽可能校正焦平面阵列的非均匀性.另外考虑到噪声的空域特性,建立了差图像Eij(n),用于替换噪声图xij(n).实验仿真通过图像的空间标准差证明,新算法具有较好的校正效果.     

腔体形状对混响室内场均匀性的影响

针对高功率微波(HPM)激励下的混响室,研究了不同腔体形状对混响室内电场分布的影响。根据理想封闭矩形腔体内电磁场表达式,分析了腔体形状对混响室内场特性的重要影响,并确立以时间窗为研究单元的统计计算方法描述混响室内的瞬态场特征。重点研究腔体形状对腔体内场均匀性的影响效果,主要对比电场的最大值、分布标准差以及各向同性等指标。研究结果表明:在矩形谐振腔中引入复杂结构能够降低场分布标准差,提高能流分布的均衡性,实现均匀的电磁场环境。     

光谱色散和分布式相位板联用对靶面辐照均匀性的改善

通过对分布式相位板和光谱色散匀滑技术联用的模拟计算,分析了联用实验中焦斑的变化,论证了非设计采样点光强的不可控性对焦斑匀滑质量的损害。模拟结果证实了光谱色散匀滑技术对色散方向上的焦斑均匀性的改善,焦斑不均匀性由58.30%降为19.50%。通过分析焦斑不均匀性与光谱色散匀滑积分时间的关系,发现5~6个光谱色散匀滑调制周期时得到最优匀滑效果。对焦斑频谱的分析显示,光谱色散匀滑技术可以有效抑制由非设计采样点光强引入的高频成分,26.3μm内的光强调制被平滑,同时很好地保持了由分布式相位板决定的焦斑低频包络,在实验与模拟中均得到很好验证。为进一步的分布式相位板与光谱色散匀滑技术联用设计提供了理论依据。     

"神光-Ⅱ"装置靶面均匀辐照系统的优化设计

利用小透镜列阵均匀化技术 ,针对“神光 Ⅱ”出射光束近场光强特殊分布 (有大面积光强为零的区域 )的情况 ,通过对主聚焦透镜及小透镜列阵组合系统的优化设计 ,实现了靶面光强的大光斑均匀辐照 ,并利用其驱动平面铝靶 ,获得了具有大范围良好平面性的冲击波发光信号。     

高阻薄层硅外延材料研制

根据绝大多数分立器件的技术要求,常规硅外延层电阻率的数值会小于厚度的数值。介绍了一种外延层电阻率数值接近甚至大于厚度数值的高阻薄层硅外延材料的实用生产技术,即在PE-2061S桶式外延设备上,采取特殊的工艺方法,在掺砷(As)衬底上进行高阻薄层外延生长。该工艺通过控制自掺杂,改善了纵向载流子浓度分布,取得了较好的外延参数均匀性。     

n型高阻硅单晶电阻率均匀性的控制

通过不同工艺的拉晶实验,发现晶转、拉速、热对流等因素对高阻n〈111〉硅单晶径向电阻率均匀性有所影响.采用水平磁场拉晶工艺,通过提高晶转、增大拉速、减小热对流等,可有效提高硅单晶径向电阻率均匀性.     

2英寸高均匀性GaAs多层外延材料

用法国进口的ＧａＡｓＶＰＥ设备，采用ＡｓＣｌ）３／Ｈ＿２／Ｇａ体系，以ＳｎＣｌ＿４ｌ／ＡｓＣｌ＿３为掺杂液，生长了２英寸多层ＧａＡｓ外延材料，自行设计了反应器的热场分布，在反应器中增加了合适的搅拌器，用以改变反应器中气体流动情况。ＧａＡｓ外延层的浓度均匀性与厚度均匀性均小于５％。浓度均匀性的最佳值为３．７％，厚度均匀性的最佳值为１．５％，当外延层载流子浓度为１．９×１０￣（１７）ｃｍ￣（－３）时，室温迁移率达到４３９０ｃｍ￣２／Ｖ·ｓ。