用原子集团的有序-无序相变理论研究Fe_xCu_(1-x)系统的非晶相形成

借助Kikuchi四面体原子集团变分方法,引入二体相互作用参量,讨论了Fe_xCu_(ix)合金fcc结构的相图,并估算了在相变区中系统晶格常数的变化,指出非晶相的形成是由于晶格畸变的结果。     

重整化群变换应用于U(1)规范理论的定量分析

在Migdal及Migdal-Kadanoff重整化群变换方案中,我们导出了U(1)格点规范理论的强耦合(高温)近似和弱耦合(低温)近似,同时还得到了包括中间耦合区的数值结果。上述结果与严格的强耦合展开、弱耦合展开以及Monte-Carlo模拟结果进行了比较。 关键词：     

Low-energy electron-diffraction analysis of the Rh(110)-(2 × 1)-O phase

A quantitative low-energy electron-diffraction (LEED) analysis of the Rh(110)-(2 × 1)pg-O structure revealed a model which consists of O zigzag chains with oxygen located in threefold-coordinated sites on an otherwise undistorted Rh(110) surface. Due to the strong interaction of oxygen with Rh the contraction of the first Rh interlayer spacing (observed for the clean surface) is globally removed. LEED investigations on the (2 × 2)pg-O structure prove the presence of a missing-row reconstruction of the Rh substrate.     

非均匀无序系统中Anderson局域化的标度理论——实空间重整化群途径

针对大量具有空间调制的无序系统,本文提出一种实空间重整化群变换方案。这个方案保证了在空间映象下相对的空间调制结构不变,因此可用以研究非均匀无序系统Anderson局域化的临界性质。在有限晶格近似下,我们对无序金属超晶格的一个简化模型求解了RG方程,得到不动点和临界指数的近似值,并发现空间调制在一定程度上引起无序系统电子局域化性质的改变。 关键词：     

Pb(Sc_(1/2)Nb_(1/2))O_3中有序-无序转变和铁电相变的Raman光谱研究

采用wolframite前驱物法制备了Pb(Sc1/2Nb1/2)O3陶瓷。通过调节陶瓷烧结工艺,获得了三种具有不同B位离子有序度的PSN陶瓷。测量了三种陶瓷样品在室温至160°C范围内的Raman光谱随温度变化。结果表明,随着温度的升高,三种不同B位有序度的陶瓷样品中,Raman光谱中位于530 cm-1的F2g模的峰位和半峰宽分别在100°C,85°C和80°C发生了突变,表明陶瓷分别在100°C,85°C和80°C三个温度点发生了铁电-顺电相变。上述结论得到了介电温度谱测量数据的支持。     

有序-无序型铁电和反铁电相变的格林函数理论

本文在对称截断近似下,对格林函数在研究有序-无序型铁电和反铁电相变中的应用做了初步探讨。还发现,可以直接利用所得的序参数S随温度T变化关系,同时确定相变的二个临界参数S_c和T_c,从而自然得出相交级数(一级相变或二级相变)的结论。本文较详细地讨论了所得结果,并给出了几种晶体的理论结果与实验的比较。 关键词：     

Ge(112)-(4×1)-In表面重构的原子结构

用扫描隧道显微镜(STM)研究了亚单层In原子引起的Ge(112)-(4×1)-In表面重构.结合随偏压极性不同而显著不同的STM图象和相应的“原子图象”,为这个重构提出了一个原子结构模型,供进一步研究参考.其中,In原子的吸附位置与它在Si(112)表面的吸附位置一致,但与Al原子和Ga原子在Si(112)表面的吸附位置不同.这个吸附位置的不同主要是由In原子较长的共价键键长引起的 关键词： 表面结构 In Ge 扫描隧道显微镜(STM)     

用原子集团的有序-无序相变理论研究FexCu1-x系统的非晶相形成

借助Kikuchi四面体原子集团变分方法,引入二体相互作用参量,讨论了Fe_xCu_1-x合金fcc结构的相图,并估算了在相变区中系统晶格常数的变化,指出非晶相的形成是由于晶格畸变的结果。 关键词：     

面心立方(001)方向AB合金薄膜表面层的有序无序相变

采用平均场近似方法对两组元面心立方合金薄膜的有序无序相转变过程进行模拟计算,结果表明,合金薄膜的有序无序相变受薄膜层数奇偶性的影响.薄膜层数奇偶性不同,会导致薄膜具有不同的相结构和热力学性质.在弱表面偏析作用下,对于偶数层薄膜,由于薄膜边界对称性破缺,对应体组分x=0.5的化学势区间,偶数层薄膜有序无序相变过程中出现了中间温度相和浸润现象.而奇数层薄膜的有序无序相变类似体材料的相变.在强表面偏析作用下,由于受表面偏析作用和有限尺寸效应影响,对应体组分x=0.5的化学势区间,奇数层薄膜中出现AB(AB)nA相,它不存在严格热力学意义上的有序无序相变.     

V(001)表面上(4×1)-O,(2×2)-S两超结构的角分辨光电子谱

用角分辨紫外光电子谱详细研究了V(001)表面上,S和O偏析引起的(4×1)-O,(2×2)-S两超结构,确定了S,O各自引起的吸附态的峰位和对称性;得到了O占据V(001)表面上空位的实验证据。所得实验结果与理论计算相等。 关键词：     

Na在Si(111)表面(3×1)有序吸附结构的光电子能谱研究

分析了Si(111)7×7表面上Na(3×1)有序吸附的同步辐射光电子能谱的变化,并与Paggel等的扫描隧道显微镜和光电子能谱比较,得出Na吸附在类余留原子(rest atom)的位置,支持Mnch的模型,与室温下无序吸附Na的光电子能谱相比较,得出Na-Si界面肖特基势垒形成是由Na与Si原子之间的相互作用决定,与表面构形是否有序关系不大,势垒高度与MIGS理论预计值相符。     

The Rh(100)-(3 × 1)-2O structure

The O adsorption on Rh(100) has been studied using high resolution core level spectroscopy, low energy electron diffraction and scanning tunnelling microscopy. In addition to the well known (2 × 2), (2 × 2)-pg and c(8 × 2) structures at coverages of 0.25, 0.5 and 1.75 ML respectively, an intermediate (3 × 1) structure with a coverage of 2/3 ML is identified.     

Monitoring surface reactions with scanning tunneling microscopy: CO oxidation on p(2 × 1)-O pre-covered Cu(110) at 400 K

Scanning tunneling microscopy (STM) is used to study the oxidation of CO on O pre-covered Cu(110) in the steady state at 400 K at the atomic level. There is a strong preference for CO to react with oxygen along the p(2 × 1) oxygen rows. The reaction appears to occur initially at the outer edge of an oxygen island, creating defects in the overlayer structure. Once created, oxygen overlayer defects are more reactive than non-defect sites and play a dominant role in sustaining the reaction. Copper atoms that make-up the p(2 × 1) oxygen overlayer structure add to terrace edges after oxygen supply is exhausted and do not form small Cu islands that could eventually lead to surface roughening.     

CO在表面有序合金Cu{001}c(2×2)-Pd上的吸附

用高分辨电子能量损失谱研究CO在有序表面合金Cu{001}c(2×2)-Pd上的吸附位置,在240K,CO仅直立地吸附在Pd原子的顶位;在135K,低覆盖度时,CO仅直立地吸附于Pd原子顶住,覆盖度增加后,CO同时直立地也吸附于Pd和Cu原子的顶位。     

面心立方(001)方向AB合金薄膜表面层的有序无序相变

采用平均场近似方法对两组元面心立方合金薄膜的有序无序相转变过程进行模拟计算，结果表明，合金薄膜的有序无序相变受薄膜层数奇偶性的影响.薄膜层数奇偶性不同，会导致薄膜具有不同的相结构和热力学性质.在弱表面偏析作用下，对于偶数层薄膜，由于薄膜边界对称性破缺，对应体组分x=0.5的化学势区间，偶数层薄膜有序无序相变过程中出现了中间温度相和浸润现象.而奇数层薄膜的有序无序相变类似体材料的相变.在强表面偏析作用下，由于受表面偏析作用和有限尺寸效应影响，对应体组分x=0.5的化学势区间，奇数层薄膜中出现AB(AB)关键词： 合金薄膜 有序无序相变 浸润现象 准热力学相变     

SU(3)_C×SU(2)_I×U(1)_Y复合轻子理论

假定HiggsYukawa耦合是宇称不守恒的唯一来源，通过取三代并引进超对称性，从而建立了一个SU（3）C×SU（2）I×U（1）Y复合轻子理论。     

Si(001)-(2*2*1):H表面O2吸附的密度泛函理论研究

建立了一种计算Si(001)-(2×2×1):H表面O2吸附的理论模型．在周期性边界条件下,采用基于密度泛函理论广义梯度近似的超软赝势法对Si(001)-(2×2×1):H表面O2吸附进行了第一性研究．通过占位能的计算,得到了Si(001)-(2×2×1):H表面O2的最佳吸附位置．计算结果表明吸附后的反应产物应为Si=O和H2O,从理论上支持了D．Kovalev等人提出反应机制．     

Co(S1-xSex)2系统中的铁磁量子相变

针对Co(S1-xSex)2系统在x=0.11附近发生的铁磁金属到顺磁金属相变,制备了一系列不同Se替代浓度的多晶样品.通过对其结构和电阻率-温度ρ(T)关系的系统观测,结果发现,样品铁磁相变温度TC随着Se替代浓度x值的增加,以(1-x)1/2关系单调下降,其二级铁磁相变转变为一级相变;在临界浓度x=0.11附近,其ρ(T)关系由Fermi液体行为转变为非Fermi液体行为.作者认为,Co(S1-xSex)2系统在x=0.11附近发生的是一种量子相变,在该量子相变点附近零温度下的自旋量子涨落导致其ρ(T)关系的反常行为.     

氮吸附在镍(001)表面上的P(2×2)结构

在总压为5×10^-5托并含有少量氮的氩气中,用能量为500伏、束流为5微安的氩离子轰击镍(001)表面,获得了一个吸附着氮的镍表面。低能电子衍射观察表明,吸附在镍(001)表面上的氮形成了类似于氧和碳吸附(偏析)在镍(001)表面上所产生的P(2×2)结构。对氮吸附在镍面上的键的本质进行了初步的探讨。 关键词：